transistores

Páginas: 7 (1727 palabras) Publicado: 20 de octubre de 2015
Transistor de unión bipolar 
El transistor de unión es un ​
dispositivo electrónico​
 de ​
estado sólido​
 consistente en 
dos ​
uniones PN​
 muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la ​
corriente​
 a 
través de sus terminales. Los transistores bipolares son los transistores más conocidos y 
se usan generalmente en ​
electrónica analógica​ aunque también en algunas aplicaciones 
de ​
electrónica digital​
, como la ​
tecnología TTL​
 o BICMOS. 
Un transistor de unión bipolar está formado por dos ​
Uniones PN​
 en un solo cristal 
semiconductor, separados por una región muy estrecha. De esta manera quedan 
formadas tres regiones: 
■ Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente ​
dopada​
, comportándose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona 
como emisor de portadores de carga. 
■ Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. 
■ Colector, de extensión mucho mayor. 

La técnica de fabricación más común es la deposición ​
epitaxial​
. En su funcionamiento 
normal, la unión base­emisor está polarizada en directa, mientras que la base­colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es 
muy angosta, hay poca recombinación de portadores, y la mayoría pasa al colector. El 
transistor posee tres estados de operación: estado de corte, estado de saturación y 
estado de actividad. 

El Alfa y Beta del transistor 
Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones 
capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. El alto ​
dopaje​ de la región del emisor y el 
bajo dopaje de la región de la base pueden causar que muchos más electrones sean 
inyectados desde el emisor hacia la base que huecos desde la base hacia el emisor. 
La ganancia de corriente emisor común está representada por​
β​
 o por h​
. Esto es 
F​
fe​
aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua de la base en la región activa directa y es típicamente mayor a 100. Otro parámetro importante 
es la ganancia de corriente base común, ​
α​
. La ganancia de corriente base común es 
F​
aproximadamente la ganancia de corriente desde emisor a colector en la región activa 
directa. Esta tasa usualmente tiene un valor cercano a la unidad; que oscila entre 0.98 y  0.998. El Alfa y Beta están más precisamente determinados por las siguientes relaciones 
(para un transistor NPN): 

 
 

 

Transistores PNP Y NPN 
NPN 

 
 
El símbolo de un transistor NPN. 

NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se 
refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del 
transistor. La mayoría de los transistores bipolares usados hoy en día son NPN, debido a que la movilidad del electrón es mayor que la movilidad de los "huecos" en los 
semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operación. 
Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor ​
dopado​
 P (la 
"base") entre dos capas de material ​
dopado​
 N. Una pequeña corriente ingresando a la 
base en configuración emisor­común es amplificada en la salida del colector. La flecha en el símbolo del transistor NPN está en la terminal del emisor y apunta en la 
dirección en la que la ​
corriente convencional​
 circula cuando el dispositivo está en 
funcionamiento activo. 
[​
editar​
]​
PNP 
El otro tipo de transistor de unión bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refiriéndose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores 
usados hoy en día son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeño en la 
mayoría de las circunstancias. 

 
 
El símbolo de un transistor PNP. 

Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor ​
dopado​
 N entre 
dos capas de material ​
dopado​
 P. Los transistores PNP son comúnmente operados con el ...
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