Transitores Bjt

Cuadro Comparativo de las Características de los Transistores BJT y los FETBJT | LOS FET |
| JFET | MOSFET |
EL transistor BJT está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector | Es un elemento tri-terminalcuyos terminales se llaman drenado, fuente y puerta | Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se llaman drenador , fuente y puerta |
Controlado por corriente de base. | Controlado por tensiónentre puerta y fuente. | Se utiliza en aplicaciones de alta potencia. |
Dispositivo bipolar que trabaja con las cargas libres de los huecos y electrones. | Dispositivo unipolar que trabaja con lascargas libres de los huecos (canal p) ó electrones (canal n). | En los circuitos digitales y analógicos, MOSFETs se consideran de uso más común que los BJT en estos días |
IC es una función de IB |ID es una función de Vgs. | Mayor área de operación segura. |
ß (beta factor de amplificación) | Gm (factor de transconductancia). | La transconductancia de un MOSFET aumenta con la corriente,comportándose mejor frente a la distorsión |
Altas ganancias de corriente y voltaje | Ganancias de corriente indefinidas y ganancias de voltaje menores a las de los BJT | Se comportan como resistenciascontrolados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente. |
Relación lineal entre Ib. e Ic. | Relación cuadrática entre Vgs e Id. | Si la VGS<VT, la corriente de drenado-fuente esnula. |
Los BJT son inestables desde el punto de vista térmico | La polarización de un JFET exige que las uniones p-n esté inversamente polarizada | Estable desde el punto de vista térmico |
Launión colector-base debe estar polarizada inversamente, mientras q la unión base-emisor debe estarlo directa | Presentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT | Los...