transsistor bipolar

INTRODUCCIÓN
En la actualidad, existe una gran variedad de aparatos electrónicos, tales como televisores, vídeos, equipos musicales, relojes digitales entre otros. Aunque, aparentemente sean muy distintos, todos ellos tienen algo en común: los dispositivos electrónicos de los que están constituidos.
Referente a los transistores son unos de los dispositivos más importantes. Están construidoscon materiales semiconductores pero con estructuras más complejas que los diodos. Son la base de la electrónica y uno de los objetivos actuales es ir reduciendo su tamaño continuamente.
TRANSISTOR BIPOLAR
Transistor bipolar es un dispositivo de tres terminales -emisor, colector y base-, que, atendiendo a su fabricación, en general se definen una serie de tensiones y corrientes en el transistor.Además El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de juntura, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados.
ESTRUCTURA FÍSICA
El transistor bipolar es un dispositivo formado portres regiones semiconductoras, entre las cuales se forman unas uniones. Asimismo el transistor se fabrica sobre un substrato de silicio, en el cual se difunden impurezas, de forma que se obtengan las tres regiones antes mencionadas.
Por otra parte Es de señalar que las dimensiones reales del dispositivo son muy importantes para el correcto funcionamiento del mismo. En ella se pretende dar una ideade las relaciones de tamaño que deben existir entre las tres regiones para que el dispositivo cumpla su misión.
• El emisor ha de ser una región muy dopada. Cuanto más dopaje tenga el emisor, mayor cantidad de portadores podrá aportar a la corriente.
• La base ha de ser muy estrecha y poco dopada, para que tenga lugar poca recombinación en la misma, y prácticamente toda la corriente que provienede emisor pase a colector. Además, si la base no es estrecha, el dispositivo puede no comportarse como un transistor, y trabajar como si de dos diodos en oposición se tratase.
• El colector ha de ser una zona menos dopada que el emisor. Las características de esta región tienen que ver con la recombinación de los portadores que provienen del emisor.
FUNDAMENTOS FÍSICOS DEL EFECTO TRANSISTOR
Eltransistor bipolar basa su funcionamiento en el control de la corriente que circula entre el emisor y el colector del mismo, mediante la corriente de base.
En esencia un transistor se puede considerar como un diodo en directa (unión emisor-base) por el que circula una corriente elevada, y un diodo en inversa (unión base-colector), por el que, en principio, no debería circular corriente, peroque actúa como una estructura que recoge gran parte de la corriente que circula por emisor-base.
FUNCIONAMIENTO CUALITATIVO DEL TRANSISTOR
En función de las tensiones que se apliquen a cada uno de los tres terminales del transistor bipolar podemos conseguir que éste entre en una región u otra de funcionamiento.
Por regiones de funcionamiento entendemos valores de corrientes y tensiones en eltransistor, que cumplen unas relaciones determinadas dependiendo de la región en la que se encuentre.
REGIONES DE FUNCIONAMIENTO
Corte: cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales.
Activa: La región activa es la normal de funcionamiento del transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se cumple que la unión base-emisor se encuentra polarizada endirecta y la colector-base en inversa.
CURVAS CARACTERÍSTICAS
Las curvas características son representaciones gráficas de 3 variables. En los ejes X e Y se colocan dos de las variables, y se dibuja una curva para cada uno de los valores de la tercera variable.
Entendemos por curvas características de un transistor la representación gráfica de las relaciones entre sus corrientes y tensiones....