Tristores

INDICE
INTRODUCCION, JUSTIFICACION, PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA…....4
TRANSISSTOR BJT………………………………………………………...….………5
TRANSISSTOR BJT………………………………………………………...….…….. 6
TRANSISSTOR BJT………………………………………………………...….……….7
CORRECCION DE FACTOR DE POTENCIA……………………………………..…8
FUNCIONAMIENTO DEL RELEVADOR…………………………….…………….....9
TRANSISTORES MONO UNION……………………………………………..……....10
OPTOACOPLADORES………………………………………………………..……11
FUNCIONAMIENTO DE OPTOACOPLADORES………………………………..12
CONCLUSIONES Y BIBLIOGRAFIA…………………………………………..….13

Electrónica de Potencias

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INTRODUCCION

La expresión Electrónica de Potencia se utiliza para diferenciar el tipo de
aplicación que se le da a dispositivos electrónicos, en este caso para transformar y
controlar voltajes y corrientes de niveles significativos. Se diferencia así estetipo
de aplicación de otras de la electrónica denominadas de baja potencia o también
de corrientes débiles.
En este tipo de aplicación se reencuentran la electricidad y la electrónica,
pues se utiliza el control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la
conducción (encendido y apagado) de semiconductores de potencia para el
manejo de corrientes y voltajes en aplicaciones depotencia. Esto al conformar
equipos denominados convertidores estáticos de potencia.
De esta manera, la electrónica de potencia permite adaptar y transformar la
energía eléctrica para distintos fines tales como alimentar controladamente otros
equipos, transformar la energía eléctrica de continua a alterna o viceversa, y
controlar la velocidad y el funcionamiento de máquinas eléctricas, etc.mediante el
empleo de dispositivos electrónicos, principalmente semiconductores.

PLANTEAMIENTO DEL PROBLEMA
Hacer una investigación de electrónica de potencias de los siguientes conceptos:
bjt,mos y igbt de potencia.
Además de investigar el circuito de disparo de un TRIAC.
JUSTIFICACION
Se realiza esta investigación para tener aprender acerca de los conceptos que se
están investigando paraque las futuras prácticas y conceptos que serán dados en
clases sean más entendibles.

Electrónica de Potencias

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Investigación:
TRANSISTOR BJT
Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de
encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También
tendremos que conocer una serie de valores máximos de tensiones, corrientes y
potenciasque no debemos sobrepasar para no destruir el dispositivo. El
parámetro de la potencia disipada por el transistor es especialmente crítico con la
temperatura, de modo que esta potencia disminuye a medida que crece el valor de
la temperatura, siendo a veces necesario la instalación de un radiador o aleta
refrigeradora. Todos estos valores críticos los proporcionan los fabricantes en las
hojasde características de los distintos dispositivos. Una forma de identificar un
transistor NPN o PNP es mediante un polímetro: Este dispone de dos orificios para
insertar el transistor, uno para un NPN y otro para el PNP. Para obtener la medida
de la ganancia es necesario insertarlo en su orificio apropiado, con lo que queda
determinado si es un NPN o un PNP.
Zonas de funcionamiento deltransistor bipolar:

1. ACTIVA DIRECTA: El transistor sólo amplifica en esta zona, y se
comporta como una fuente de corriente constante controlada por
la intensidad de base (ganancia de corriente).
Este parámetro lo suele proporcionar el fabricante dandonos un
máximo y un mínimo para una corriente de colector dada (Ic);
además de esto, suele presentar una variación acusada con la
temperatura ycon la corriente de colector, por lo que en principio
no podemos conocer su valor. Algunos polímetros son capaces
de medir este parámetro pero esta medida hay que tomarla
solamente como una indicación, ya que el polímetro mide este
parámetro para un valor de corriente de colector distinta a la que
circulará

Electrónica de Potencias

por

el

BJT

una

vez...