trnaistores

El PNP llamado mosfet de canal P

Se da una situación similar. Cuando se aplica una tensión negativa en la compuerta, los huecos (ausencia de electrones) del canal P del drenaje y de la fuente sonatraídos hacia la compuerta y pasan a través del canal N que hay entre ellos, creando un puente entre drenaje y fuente. La amplitud o anchura del puente (y la cantidad de corriente) depende de latensión aplicada a la compuerta.

Debido a la delgada capa de óxido que hay entre la compuerta y el semiconductor, no hay corriente por la compuerta. La corriente que circula entre drenaje y fuentees controlada por la tensión aplicada a la compuerta.













Aplicaciones
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Véase Tecnología CMOS.
Las aplicaciones de MOSFET discretos más comunes son:
 Resistencia controlada por tensión.
 Circuitos deconmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
 Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

Ventajas con respecto a los transistores bipolares

La principal aplicaciónde los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a los transistores bipolares:
 Consumo en modoestático muy bajo.
 Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
 Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
 Funcionamiento por tensión, soncontrolados por voltaje por lo que tienen una impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta es del orden de los nanoamperios.
 Los circuitos digitales realizados con MOSFETno necesitan resistencias, con el ahorro de superficie que conlleva.
 La velocidad de conmutación es muy alta, siendo del orden de los nanosegundos.
 Cada vez se encuentran más en aplicaciones...