Ttl y cmos
Tecnología TTL Tecnología CMOS Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica Encapsulados Otras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
– TTL: Transistor-Transistor Logic – Tensiones de alimentación: GND=0V, +Vcc=5 V – Nivel de tensión de entrada para el 0 lógico:
• VIL(min) = 0V •VIL(max) = 0,8V
– Nivel de tensión de entrada para el 1 lógico:
• VIH(min) = 2V • VIH(max) = 5V
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
– Nivel de tensión de salida para el 0 lógico:
• VOL(min) = 0V • VOL(max) = 0,4V
– Nivel de tensión de salida para el 1 lógico:
• VOH(min) = 2,4V • VOH(max) = 5V
Fernando Beltrán
Dpto.Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
5V VIH(max) 5V VOH(max) 1 lógico
1 lógico 2,4V 2V No predecible 0,8V 0 lógico 0V VIH(min)
VOH(min) No predecible
VIL(max) VIL(min)
0,4V 0V
0 lógico Niveles de tensión a la salida
VOL(max) VOL(min)
Niveles de tensión a la entrada
Fernando Beltrán
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
TecnologíasTecnología TTL
– Márgenes de ruido: medida de la inmunidad al ruido de un circuito – VNH= VOH(min) - VIH(min) – VNL= VIL(max) - VOL(max)
Fernando Beltrán
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
5V 5V
VOH(min) VIH(min)
Margen de ruido para el nivel alto
VIL(max) VOL(max) 0V VNH≈0.4V
Fernando Beltrán
Margen de ruido para el nivel bajoVNL≈0.4V
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
+VCC
A B S
Puerta NAND
GND
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
+VCC
Las dos entradas en nivel alto
H H
OFF
OFF ON ON L (2,4V)
Salida en nivel alto
GND
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
TecnologíasTecnología TTL +V
CC
+VCC
Sentido de la intensidad para salida nivel bajo
L
GND
Fernando Beltrán
GND
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL +V
CC
+VCC
Sentido de la intensidad para salida nivel alto
H
GND
Fernando Beltrán
GND
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
+VCC
Resistenciaexterna pull-up
Salida en colector abierto
GND
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL
+VCC
EN
Salida en alta impedancia
GND
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL > Tecnología CMOS Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica EncapsuladosOtras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología CMOS
– CMOS: Complementary Metal Oxide Semiconductor (trans. efecto de campo) – Tensiones de alimentación variables: 0÷VDD – Suponiendo VDD=5V:
• Nivel de tensión de entrada para el 0 lógico:
– VIL(min) = 0V – VIL(max) = 1,5V
• Nivel de tensión de entrada para el 1 lógico:
–VIH(min) = 3,5V – VIH(max) = 5V
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología CMOS
– Suponiendo VDD=5V:
• Nivel de tensión de salida para el 0 lógico:
– VOL(min) = 0V – VOL(max) = 0,1V
• Nivel de tensión de salida para el 1 lógico:
– VOH(min) = 4,9V – VOH(max) = 5V
– Márgenes de ruido: VNH=VNL≈1,4V
Fernando Beltrán
Dpto. Ingeniería Electrónicay Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología CMOS
+VDD +VDD
A
S A GND B Inversor CMOS Puerta NAND CMOS GND
S
Fernando Beltrán
Dpto. Ingeniería Electrónica y Comunicaciones
Tecnologías
Tecnología TTL Tecnología CMOS > Parámetros relevantes Hojas de características Elección de la familia lógica Encapsulados Otras tecnologías
Fernando Beltrán Dpto. Ingeniería Electrónica y...
Regístrate para leer el documento completo.