tu puta madre

1) INTRODUCCION
Si la frecuencia se incrementa lo suficiente, se llega a un punto donde las capacitancias internas del transistor comienzan a tener un efecto significativo en la ganancia. Las diferencias básicas entre los BJT y los FET son las especificaciones de las capacitancias internas y la resistencia de entrada.
Amplificadores basados en BJT
Un circuito equivalente en ca en altafrecuencia para el amplificador basado en BJT de la figura 10 – 28 (a) se muestra en la figura 10 – 28 (b). Observe que los capacitores de acoplamiento y puenteo se tratan como cortos efectivos y no aparecen en el circuito equivalente. Las capacitancias internas, Cbe y Cbc, las cuales son significativas solo en altas frecuencias, sí aparecen en el diagrama.
Estas dos capacitancias Miller crean uncircuito RC de entrada y un RC de salid. Estos dos circuitos, difieren en la frecuencia, los cuales actúan como filtro paso altas por que las capacitancias están a tierra y por consiguiente actúan como filtro paso bajas.
Circuito equivalente en alta frecuencia después de aplicar el teorema de Miller.
Circuito RC de entrada:
En altas frecuencias, el circuito de entrada es como se muestra en la figura10-30 (a) donde βacr’e es la resistencia de entrada en la base del transistor por que el capacitor de puenteo pone en corco circuito efectivamente al transistor con tierra. Combinado con Cbe y Cent(Miller) en paralelo y reposicionando se obtiene el circuito simplificado mostrando en la figura 10 – 30 (b)
2) OBJETIVOS
2.1) OBJETIVO GENERAL
Como objetivo general de este laboratorio nos planteamos“Comprobar en laboratorio la respuesta en alta frecuencia de un amplificador BJT, así mismo como del FET”
2.2) OBJETIVOS ESPECIFICOS
Conocer las diferentes configuraciones de polarización de un transistor BJT y FET.
Cumplir todos los requisitos indicados en la guía del laboratorio
Implementar correctamente los circuitos indicados en el pre-informe
Realizar un correcto manejo de instrumentosde medición (multímetro) para la toma de datos.
Definir correctamente las principales diferencias entre un FET y un BJT.

3) MARCO TEORICO – CONCEPTOS GENERALES
3.1) POLARIZACION DE LOS TRANSISTORES
En este la laboratorio se utilizo la configuración de polarización por divisor de tension tanto para el BJT como para el FET, utilizando las formulas ya conocidas anteriormente.
3.2) BJT
3.2.1)ANALISIS EN AC DEL BJT (POLARIZACION POR DIVISOR DE VOLTAJE)

Sustituyendo el circuito equivalente re obtenemos de la red de la figura 8.7 Observe la ausencia de RE debido al efecto de corto-circuito de baja impedancia del capacitor de puenteo CE. Es decir, a la frecuencia de operación de la reactancia del capacitor es tan pequeña comparada con RE, que se considera como un corto-circuito através de RE. Cuando VCC se establece en cero, coloca un extremo de R1 y RC a un potencial de tierra, como se muestra en la figura 8.8.

Además, observe que R1 y R2 permanecen en el circuito de entrada, en tanto RC forma parte del circuito de salida. La combinación en paralelo de R1 y R2 se define como:

Zi: De la figura 8.8

Zo: De la figura8.8 con Vi ajustada a 0[V], y resulta

Av: Es larelación entre la tensión (voltaje) de salida y de entrada en un circuito amplificador:
Av = Vo/Vi
* El signo menos indica que Vo esta 180° fuera de fase con la entrada Vi
Como RC y ro están en paralelo




3.2.1) RESPUESTA EN ALTA FRECUENCIA - BJT
Hay dos factores que definen el comportamiento en alta frecuencia de los transistores bipolares: la dependencia de la hfe con lafrecuencia y los condensadores internos. En la gráfica de la figura 3.9.a se observa esta dependencia y se definen dos frecuencias: fß, frecuencia de corte superior que es la frecuencia a la cual decae en 1/ 2 0.707 la hfe a frecuencias medias especificada por hfeø, y ƒT, frecuencia de transición definida como la frecuencia a la cual la hfe vale 1. El fabricante proporciona el valor de ƒT...