UJT circuito de relajacion


UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITÉCNICA
ANTONIO JOSÉ DE SUCRE
VICERRECTORADO “LUÍS CABALLERO MEJÍAS”
NÚCLEO CHARALLAVE
INGENIERÍA MECATRÓNICA
ASIGNATURA: ELECTRÓNICA II


Participantes:
Camejo, Yomar
Exp: 2011147158
Colina, Rafael
Exp: 2011103001
Cortez, Andrea
Exp: 2010.247.226
Delgado, Andreina
Exp: 2010.247.248
Gonzalez, Raul
Exp: 2007





Charallave, Febrerode 2014
Profesor(a): Funes, Osmar

APLICACIONES DEL TRANSISTOR UNIDIRECCIONAL O UNIJUNTA (UJT).

En éste, veremos dos nuevos componentes, el
transistor uniunión (UJT) y el transistor uniunión programable (PUT), en los que también
tiene lugar un paso brusco del estado de bloqueo al estado conductor, con la diferencia
respecto al del tiristor en que este paso se produce cuando una tensiónde control rebasa
un valor determinado.


El TRANSISTOR UNIUNIÓN: (en inglés UJT: UniJuntion Transistor) es un tipo de tiristor que contiene dos zonas semiconductoras. Tiene tres terminales denominados emisor (), base uno () y base dos (). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales , en la que se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de labarra, lo que determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o factor intrínseco.

Su construcción: Consiste en una placa de material ligeramente dopado de silicio tipo-n. Los dos contactos de base se unen a los extremos de esta superficie tipo n. Estos se indican como  y  respectivamente. Un material de tipo p se utiliza para formar una juntura p-n enel límite de la varilla de aluminio y la placa de silicio tipo n. El tercer terminal llamado emisor () se hace a partir de este material tipo-p.
El tipo n está ligeramente contaminado, mientras que el de tipo p está fuertemente contaminado. Como el tipo n está ligeramente dopado, ofrece una alta resistencia mientras que el material tipo p, ofrece baja resistividad puesto que está fuertementecontaminado.



Como se opera: Fijándose en la curva característica del UJT se puede notar que cuando el voltaje  sobrepasa un valor de ruptura, el UJT presenta un fenómeno de modulación de resistencia que, al aumentar la corriente que pasa por el dispositivo, la resistencia de esta baja y por ello, también baja el voltaje en el dispositivo, esta región se llama región de resistencia negativa,este es un proceso realimentado positivamente, por lo que esta región no es estable, lo que lo hace excelente para conmutar, para circuitos de disparo de tiristores y en osciladores de relajación.






El UJT se polariza normalmente según se vé en su curva de polarización. La base  se lleva a una tensión positiva (5V≤VBB≤30V). Por la resistencia  circula entonces una corriente :

El cátododel diodo emisor se encuentra a una tensión:

El diodo puede presentar una polarización inversa si  es inferior a  por lo que se presentará una corriente de fuga  muy pequeña. Por otro lado si  es superior , el diodo queda polarizado directamente y por ende circula una corriente  formada por portadores minoritarios que son depositados en . Esta se anula disminuyendo su valor; por esto latensión  disminuye también, ahora si bien si  es constante,  debe aumentar, lo que disminuye aún más a .
Oscilador de relajación con transistor UJT


Funcionamiento del oscilador de relajación con UJT
El capacitor se carga hasta llegar al voltaje de disparo del transistor UJT, cuando esto sucede, éste se descarga a través de la unión E-B1. (ver el gráfico del transistor UJT)
El capacitor se descargahasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv) de aproximadamente 2.5 Voltios. Con este voltaje el transistor UJT se apaga (deja de conducir entre E y B1) y el capacitor inicia su carga otra vez. (Ver la línea verde en el gráfico)
La lìnea negra en el segundo gráfico representa el voltaje que aparece en el resistor R3 (conectado entre B1 y tierra) cuando el capacitor se descarga.
Si...