Union de semiconductores NP en la zona de empobrecimiento

UNIÓN DE SEMICONDUCTORES Y EN LA DENOMINADA
“ZONA DE EMPOBRECIMIENTO”

Se denomina unión PN a la estructura fundamental de los materiales semiconductores, está formado por dos elementos denaturaleza P y N (generalmente Silicio y Germanio) según su composición a nivel subatómico y se encuentran a temperatura ambiente.
La unión P-N la conocemos en los diodos, cuando aplicamos unvoltaje a la unión P-N los electrones y los huecos se mueven respectivamente hacia la unión de los dos materiales porque polaridades del mismo signo se repelen, el voltaje positivo que se aplica almaterial tipo P repele los huecos y estos cruzan la unión hacia el material tipo N, y así cada hueco encuentra un electrón y de esta forma las cargas se neutralizan, por otro lado los electrones cruzanla unión hacia el material tipo P y sucede lo mismo, los electrones y huecos que se neutralizan son remplazados por mas electrones y huecos que entran en la unión P-N. Entonces si se aplica elvoltaje positivo al material tipo P y el voltaje negativo al tipo N la corriente fluye y es lo que nosotros llamamos polarización directa. Cuando invertimos este voltaje los huecos y electrones sonatraídos a cada terminal y se alejan de la unión, lo que hace que las partículas cargadas no puedan pasar la unión y de esta forma el flujo de corriente se anula, esto es lo que conocemos como polarizacióninversa. Esta propiedad de dejar pasar o bloquear la corriente en un semiconductor de unión P-N no solo se usa en los diodos sino también en los transistores.
Los portadores de carga son loshuecos producidos por falta de electrones que son tratados como portadores de  carga eléctrica, existen portadores minoritarios y mayoritarios.
Se denominan portadores minoritarios alas partículas cuánticas encargadas del transporte de corriente eléctrica que se encuentran en menor proporción en un material semiconductor dopado como tipo N o tipo P. Y se denominan portadores mayoritarios a...