Variado

1. Se parte de la oblea de material semiconductor.
2. Se hace crecer una capa de óxido (zona rayada) que servirá como aislante.
3. Se deposita un dieléctrico como el nitruro (capa roja) queservirá como máscara, también se podía usar simplemente el óxido anterior como máscara, depende del grosor y de los procesos siguientes.
4. Se deposita una capa de resina sensible a la radiación(capa negra), típicamente a la radiación luminosa. Se hace incidir la luz para cambiar las características de la resina en algunas de sus partes. Para ello sirven de ayuda las máscaras hechas antes conherramientas CAD.
5. Mediante procesos de atacado algunas zonas de la resina son eliminadas y otras permanecen.
6. Se vuelve a atacar, esta vez el nitruro. Este paso se podía haber hecho juntoal anterior.
7. Implantación iónica a través del óxido.
8. Se crean las zonas que aislarán el dispositivo de otros que pueda haber cerca (zonas azules).
9. Se crece más óxido, con lo queéste empuja las zonas creadas antes hacia el interior de la oblea para conseguir un mejor aislamiento.
10. Eliminación del nitruro y parte del óxido.
11. Se hace crecer una fina capa de óxidode alta calidad que servirá de óxido de puerta al transistor.
12. Deposición de una capa de polisilicio (capa verde oscuro) mediante procesos fotolitográficos análogos a los vistos en los puntos 1al 5. Este polisilicio será el contacto de puerta del transistor.
13. Atacado del óxido para crear ventanas donde se crearán las zonas del drenador y surtidor. El polisilicio anterior servirá demáscara al óxido de puerta para no ser eliminado.
14. Implantación iónica con dopantes que sirven para definir el drenador y el surtidor. El polisilicio vuelve a hacer de máscara para proteger lazona del canal.
15. Vemos en verde claro las zonas de drenador y surtidor.
16. Se deposita una capa de aislante (zona gris).
17. Mediante procesos fotolitográficos como los vistos antes...