variados

Escuela De Ciencia Y Tecnología
Ingeniería De Software







Tema
Polarización de los Transistores BJT
Actividad

No.5
Presentado por

Ambar Quezada R.
Matricula
13-0369Facilitador (a)
Jeremy Gómez

Asignatura
Electrónica básica

Edición
Santiago de los caballeros,

Actividades sugeridas Unidad V

1 Diga algunas razone de por qué es importante el análisis de lapolarización en dc para los transistores BJT.
En las configuraciones polarizadas precedentes, la corriente de polarización ICQ y del voltaje VCEQ eran una función de la ganancia de corriente () deltransistor. Sin embargo, ya que  es sensible a la temperatura, especialmente para transistores de silicio, y el valor real de beta normalmente no está bien definido, sería deseable desarrollar uncircuito de polarización menos dependiente, de hecho, independiente de la beta del transistor. Si se analiza sobre una base exacta, la sensibilidad a los cambios en beta es bastante pequeña. Si losparámetros del circuito se escogen apropiadamente, los niveles resultantes de ICQ y VCEQ pueden ser casi totalmente independientes de beta. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero elpunto de operación sobre las características, definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del circuito.

2 Dibuje un circuito con transistor en polarizaciónfija


3 Haga un resumen de las diferentes formulas empleada en esta configuración de polarización fija


4 Explique el término saturación.

el transistor en general incluyendo los mosfet sepueden usar como un interruptor electrónico, donde como cualquier interruptor tiene dos estados uno abierto no hay paso de corriente en el caso de un transistor en corte y el otro estado cuando estácerrado y permite el paso de corriente que exija la carga en el caso del transistor hace un puente donde la resistencia es casi cero y pasa la corriente que exige la carga o que permite el circuito...