Varios

MEMORIAS Y BUSES

Las memorias son dispositivos de almacenamiento de información, en la cual los bits se graban en
celdas.

ESTRUCTURA. (Ejemplo de una memoria de 8 x 8)
A2 A1 A0
0 0 0
0 0 1
0 1 0
0 1 1
1 0 0
1 0 1
1 1 0
1 1 1
Direcciones Información Datos

D7 D6 D5 D4 D3 D2 D1 D0
Palabra 0
Palabra 1
Palabra 2
Palabra 3
Palabra 4
Palabra 5
Palabra 6
Palabra 7
Cadapalabra es de 8 bits
La capacidad de la memoria es de:
8 x 8 = 64 bits
A cada dirección le corresponde una palabra
(Información, datos, instrucciones,...)
TIPOS DE MEMORIA: Existen dos tipos de memoria

•RAM, memorias de lectura y escritura (volátiles – si Vcc = 0V se pierde el dato)
ROM, memorias de lectura solamente (no volátiles)

MEMORIA RAM
RAM ESTATICA – SRAM

Celdas de memoria sonFF, por lo que el dato
permanece indefinidamente siempre que este
alimentada.
Potencia disipada > DRAM
‐Capacidad (densidad) : Celdas por mm2
‐Costo por celda
‐Velocidad (Tiempo de acceso)
RAM DINAMICA – DRAM
‐Celdas de memoria son capacitores, por lo que el
dato se pierde gradualmente, por lo tanto es
necesario refrescar permanentemente el mismo
cada 2, 4 o 8 mseg.
‐Potencia disipada:menor SRAM (6 veces)
‐Capacidad : 4 veces la SRAM
‐Costo: menor que SRAM (5 veces)
‐Velocidad: menor que SRAM
CELDA DE MEMORIA DE UNA DRAM
SW1 SW2 SW3
+
_
Vref
Datos de SW4
Entrada
Operación de escritura
‐SW1 y SW2 cerradas
‐SW3 y SW4 abiertas
Posteriormente se abren SW1 y SW2,
con lo que el capacitor queda
desconectado del circuito
Operación de lectura
‐SW2, SW3 y SW4 cerradas‐SW1 abierta
MEMORIA RAM / ROM / PROM / EPROM / EEPROM
De este modo se conecta el voltaje que hay en el capacitor al amplificador el cual
compara esa tensión con una referencia y coloca a la salida un cero o un uno ,
produciendo una salida de cero volts o de 5 volts.
Esta salida de datos también esta conectada al capacitor y asi se regenera el voltaje del
capacitor cargándolo o descargándolosegún sea el caso. En otras palabras, el bit de
datos de una celda se regenera cada vez que es leido.‐
MEMORIA ROM
ROM: La programa el fabricante
PROM: ROM programable por el usuario, se programa una sola vez
EPROM: ROM programable y borrable ( con luz UV) por el usuario –
En el proceso de borrado se borran todas las celdas
Chips comerciales 27C64 : 8K x 8 ; 27C512: 64K x 8
EEPROM ROMprogramable y borrable (eléctricamente) por el
usuario – Se pueden borrar y rescribir bytes individualmente.
Durante una operación de escritura la circuiteria interna borra
las celdas de esa dirección antes de escribir los nuevos datos –
Tiene menos capacidad (bits/mm2) que una EPROM , por lo tanto es mas cara.
MEMORIA FLASH

FLASH (Memoria instantánea)
Este tipo de memoria supera lasdesventajas de la EEPROM respecto de
la EPROM (capacidad y costo)
Se denominan FLASH debido a sus tiempos rapidos de borrado y escritura. La
mayoria de estos chips usan una operación de borrado masivo. Las memorias tipo FLASH
mas modernas ofrecen un modo de borrado por sector
Tiempo de escritura memoria FLASH :
10 μseg
Tiempo de escritura memoria EEPROM : 5 mseg

En el siguiente esquema Mostramosun cuadro comparativo

EEPROM
FLASH
EPROM
ROM ‐ PROM
Densidad
Complejidad
y
Costo

MEMRISTOR

En teoría de circuitos eléctricos, el memristor es un elemento de circuito pasivo.
Ha sido descrito como el cuarto elemento de los circuitos pasivos, Junto con los
tres mejor conocidos: el condensador, la resistencia y el inductor. El nombre es
una palabra compuesta de memory resistor(resistencia-memoria).
Un memristor efectivamente almacena información porque el nivel de su
resistencia eléctrica cambia cuando es aplicada la corriente. Donde una
resistencia típica proporciona un nivel estable de resistencia, un memristor puede
tener un alto nivel de resistencia que puede ser interpretado en una computadora
en términos de datos como un "1", y un bajo nivel que puede ser...