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Ciclo: Mar 2012 – Jul 2012
PRACTICA No. 6
1.- TEMA: Polarización del Transistor BJT
2.- OBJETIVOS:
` 1. Diseñar, Calcular y Comprobar el funcionamiento del lossiguientes circuitos de polarización, en donde el punto de trabajo a la salida se en encontrara al centro de la recta de carga y al menos 2 circuitos con transistores PNP.
2.1 Polarización con 2Fuentes
2.2 Polarización con 1 Fuente
2.3 Polarización con divisor de Tensión
2.4 Auto polarización
2.5 Polarización con RE
3.- SUSTENTO TEÓRICO:
4.- DESARROLLO DE LAPRÁCTICA:
a) LISTADO DE EQUIPOS Y HERRAMIENTAS
EQUIPOS / HERRAMIENTAS
- Fuente de voltaje regulable DC
- Multimetro Digital
- Protoboard
MATERIALES
- 1 Transistor 2N3904
- 1 Transistor 2N3906- Resistencias 1k, 10k, 150, 10 Ohmios
b) INSTRUCCIONES
` 1. Diseñar, Calcular y Comprobar el funcionamiento de los siguientes circuitos:
1.1 Circuito de Polarización del Transistor NPNcon 2 fuentes, considerando: VCC=12V, E=5V , VCE = 6V, IC = 40mA, β = 200
Medir y Calcular : IB , RC , RB , IB(max) , VBE(max) , IC(max) , VCE(max) . Además realizar la simulación del Circuito ygrafique el punto de operación en la recta de carga
1.2 Circuito de Polarizacion del Transistor PNP con 1 fuente, considerando: VCC=12V, VCE = 6V, IC = 40mA, β = 290
Medir y Calcular : IB , RC, RB , IB(max) , VBE(max) , IC(max) , VCE(max) . Además realizar la simulación del Circuito y grafique el punto de operación en la recta de carga
1.3 Circuito de Polarizacion del Transistor NPNcon divisor de tension, considerando: VCC=12v, Veq=6v , VCE = 6V, IC = 40mA, β = 200
Medir y Calcular : IB , RC , Req , α, R1 , R2 , IB(max) , VBE(max) , IC(max) , VCE(max) . Además realizar lasimulación del Circuito y grafique el punto de operación en la recta de carga
1.4 Circuito de AutoPolarizacion del Transistor NPN, considerando: VCC=12v, VCE = 6V, IC = 35mA, β = 200
Medir y...
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