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:) La memoria dinámica , fue desarrollada en los laboratorios de IBM pasando por un proceso evolutivo que la llevó de usar 6 transistores a sólo un condensador y un transistor, como la memoria DRAMque conocemos hoy. La invención de esta última la hizo Robert Dennard1 quien obtuvo una patente norteamericana en 19682 por una memoria fabricada con un solo transistor de efecto de campo y uncondensador.
Los esfuerzos de IBM estaban encaminados a mejorar sus equipos de cómputo como por ejemplo la línea System 360: el modelo 25 en 1968 ya incluía un ScratchPad (una especie de Caché) en forma deintegrados 5 veces más rápidos que la memoria principal basada en núcleos de ferrita.3 Dado el modelo de negocios de IBM que consistía en vender o arrendar computadores,4 un negocio rentable, para IBMel uso de DRAM se reducía a ser el complemento de la memoria principal basada en núcleos magnéticos. No hubo interés en comercializar ese tipo de memorias para otros fabricantes ni tampoco se pensó enusar las tecnologías de estado sólido tipo SRAM o DRAM para construir la memoria principal. La empresa Intel fue creada para aprovechar esa oportunidad de negocios: Gordon Moore, observaba que hacetiempo la industria de los semiconductores se había estancado, a pesar de existir potenciales usos de los integrados de silicio como la fabricación de memorias SRAM y DRAM.5

Celda de memoria para lai1103.
Aunque Intel se inició con memorias SRAM como la i1101 y la i3101, el primer producto rentable fue el integrado de memoria DRAM i1103 de 1024 bits. El i1103 lanzado en 1970 estaba formado porceldas de memoria con 3 transistores tipo PMOS y un condensador,6 estaba organizado en un arreglo de 32 filas y 32 columnas, empacado en un encapsulado de 18 pines y con un costo de 1 centavo por bitera un fuerte competidor para las memorias de núcleo. La producción y calidad del integrado era difícil de mantener, hecho que se demostró cuando Intel entregó parte de la producción a otra empresa...