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Páginas: 6 (1418 palabras) Publicado: 15 de enero de 2013
DRAM (Dynamic Random Access Memory)
Es un tipo de memoria dinámica de acceso aleatorio que se usa principalmente en los módulos de memoria RAM y en otros dispositivos, como memoria principal del sistema. Se denomina dinámica, ya que para mantener almacenado un dato, se requiere revisar el mismo y recargarlo, cada cierto período, en un ciclo de refresco. Su principal ventaja es la posibilidad deconstruir memorias con una gran densidad de posiciones y que todavía funcionen a una velocidad alta: en la actualidad se fabrican integrados con millones de posiciones y velocidades de acceso medidos en millones de bit por segundo. Es una memoria volátil, es decir cuando no hay alimentación eléctrica, la memoria no guarda la información. Inventada a finales de los sesenta, es una de las memoriasmás usadas en la actualidad.
FPM(Fast Page Mode , Modo de Paginamiento Rápido )
Su nombre procede del modo en que transfiere los datos, llamado paginamiento rápido. Es la memoria más común y la que utiliza la tecnología más vieja. Es el tipo de memoria estándar en las computadoras con procesadores 386, 486 y los primeros Pentium . Llegó a alcanzar velocidades de hasta 60 nanosegundos (ns). Sepresentaba en módulos SIMM (Single In-line Memory Module )de 30 contactos a 16 bits para los 386 y 486 y en módulos de 72 contactos (32 bits) para las últimas placas 486 y las placas para Pentium.
Este tipo de memoria fue tan popular que inclusive llegó a ser utilizada en tarjetas gráficas, sin embargo, sus limitaciones técnicas como el puerto simple, que sólo permitía un acceso de 16 bits a lavez, así como su baja velocidad de operación dieron pie a la creación de nuevas tecnologías con mayor velocidad, una ruta de datos más amplia y puerto doble para permitir la lectura/escritura simultánea.
EDO (Extended Data Output, Salida Extendida de datos)
La memoria EDO , cuyo nombre son las siglas para Salida Extendida de Datos en inglés, utiliza la misma tecnología que la FPM con una ligeramodificación en el ciclo de acceso que aumenta su desempeño de un 5% a 20%. En la memoria EDO la lectura a memoria puede comenzar antes de que la anterior haya terminado completamente. Su mayor calidad le hizo alcanzar velocidades de hasta 45 ns, dejando satisfechos a los usuarios de los ordenadores Pentium, Pentium Pro, y los primeros Pentium II que demandan mayor velocidad de proceso. Sucompatibilidad es muy alta. Se presenta en módulos SIMM de 72 contactos a 32 bits y módulos DIMM de 168 contactos de 64 bits .
Aunque originalmente fue utilizada para la memoria principal del sistema, también debutó en las tarjetas gráficas de bajo nivel ya que no ofrece una mejora significativa sobre la FPM y existen tecnologías específicas para video que si bien eran más caras, igualmente ofrecían unmayor desempeño.

SDRAM (Synchronous DRAM, DRAM Síncrona)
Es un tipo síncrono de memoria, que, como su nombre lo indica, se sincroniza con el procesador, es decir, el procesador puede obtener información en cada ciclo de reloj, sin estados de espera, como en el caso de los tipos anteriores. La memoria EDO está diseñada para operar a una velocidad mínima detransporte de 66 Mhz (la mínima velocidadde bus de los procesadores de Pentium II y el doble de la del PCI), llegando a alcanzar 75MHz y 83 MHz ( necesarias para algunos procesadores CYRIX, o para sobreacelerar los módulos de 45 y 50ns, aunque con cierta inestabilidad. Sin embargo, la memoria SDRAM puede aceptar velocidades de BUS de hasta 100 MHz, lo que dice mucho a favor de su estabilidad y ha llegado a alcanzar velocidades de 10 ns.Se presenta en módulos DIMM de 168 contactos. El ser una memoria de 64 bits, igual que los procesadores Pentium, Pentium Pro y Pentium II, implica que no es necesario instalar los módulos por parejas de módulos de igual tamaño, velocidad y marca.
Inicialmente este tipo de memoria sólo era soportado por los conjuntos de circuitos 82430VX, 82430TX y 82440LX de Intel y la circuitería 580VP, 590VP...
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