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Páginas: 4 (843 palabras)
Publicado: 20 de noviembre de 2014
Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a 600 μm fe espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa lapieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas.
Oxidación
Se refiere al proceso químico dereacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura.
Difusión
Es elproceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusión es un método mediante el cualse introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad.
Implantación de iones
Es otro método que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristalsemiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo eléctrico y les permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que seimplantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones).
Deposición por medio de vapor químico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionarquímicamente, lo cual conduce a la formación de sólidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de óxido que se deposita por medio de vapor químico no son tan buenas como las de un óxido térmicamenteformado, pero es suficiente para que actúe como aislante térmico. La ventaja de una capa depositada por vapor químico es que el óxido se deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos de 500°C)....
Preparación de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta pureza, donde adquiere la forma de un cilindro sólido de color gris acero de 10a 30 cm de diámetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . Este cristal se rebana para producir obleas circulares de 400 μm a 600 μm fe espesor, (1 μm es igual a 1×10-6 metros). Después, se alisa lapieza hasta obtener un acabado de espejo, a partir de técnicas de pulimento químicas y mecánicas.
Oxidación
Se refiere al proceso químico dereacción del silicio con el oxígeno para formar Dióxido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reacción se necesitan de hornos ultralimpios especiales de alta temperatura.
Difusión
Es elproceso mediante el cual los átomos se mueven de una región de alta concentración a una de baja a través del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusión es un método mediante el cualse introducen átomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad.
Implantación de iones
Es otro método que se utiliza para introducir átomos de impurezas en el cristalsemiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado, los acelera mediante un campo eléctrico y les permite chocar contra la superficie del semiconductor. La cantidad de iones que seimplantan puede controlarse al variar la corriente del haz (flujo de iones).
Deposición por medio de vapor químico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionarquímicamente, lo cual conduce a la formación de sólidos en un sustrato. Las propiedades de la capa de óxido que se deposita por medio de vapor químico no son tan buenas como las de un óxido térmicamenteformado, pero es suficiente para que actúe como aislante térmico. La ventaja de una capa depositada por vapor químico es que el óxido se deposita con rapidez y a una baja temperatura (menos de 500°C)....
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