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MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO
El MOSFET de empobrecimiento fue parte de la evolución hacia el MOSFET de enriquecimiento que
es también llamado de acumulación. Sin el MOSFET de enriquecimiento no existirían los ordenadores.

Idea Básica
En la figura 14-3a se presenta un MOSFET de enriquecimiento. El substrato p se extiende a lo ancho
hasta el dióxido de silicio; ya no existe un canal n entre lafuente y el drenador. La figura 14-3b
muestra las tensiones de polarización normales. Cuando la tensión de puerta es nula, la corriente de
fuente y el drenador es nula.

Por esta razón, el MOSFET de enriquecimiento está normalmente en corte cuando la tensión de puesta
es cero.
La única forma de obtener corriente es mediante una tensión de puerta positiva. Cuando la puerta es
positiva, atraeelectrones libres dentro de la región p, y éstos se recombinan con los huecos cercanos al
dióxido de silicio. Cuando la tensión de puerta es lo suficientemente positiva, todos los huecos
próximos al dióxido de silicio desaparecen y los electrones libres empiezan a circular desde la fuente
hacia el drenador. Esta capa conductora se denomina capa de inversión tipo n. Cuando existe, loselectrones libres pueden circular fácilmente desde la fuente hacia el drenador.
La VGS mínima que crea la capa de inversión de tipo n se llama tensión umbral (en inglés: threshold
voltage), simbolizada por VGS(th). Cuando VGS es menor que VGS(th) la corriente de drenador el nula.
Pero cuando VGS es mayor que VGS(th), una capa de inversión tipo n conecta la fuente al drenador y la
corriente de drenadores grande. Los valores típicos de VGS(th) para dispositivos de pequeña señal puede
variar entre 1 y 3 V.
El MOSFET de enriquecimiento se clasifica porque su conductividad mejora cuando la tensión de
puerta es mayor que la tensión umbral. Los dispositivos de enriquecimiento están normalmente en corte
cuando la tensión de puerta es cero.

Características de salida

Un MOSFET deenriquecimiento para pequeña señal tiene una limitación de potencia de 1 W o menos.
La figura 14-4a muestra un conjunto de curvas de salida de un MOSFET de enriquecimiento típico. La
curva inferior es la curva de VGS(th). Cuando VGS es mayor que VGS(th), el dispositivo conduce y la
corriente de drenador se controla por medio de la tensión de puerta.

La parte casi vertical corresponde a la zona óhmica,y la parte casi horizontal corresponde a la zona
activa. El MOSFET de enriquecimiento puede funcionar en cualquiera de ellas. En otras palabras,
puede actuar como una resistencia o como una fuente de corriente. El uso principal es en la zona
óhmica.
La figura 14-4b muestra la curva característica de transferencia típica. No hay corriente de drenador
hasta que VGS es mayor que VGS(th). Apartir de entonces, la corriente de drenador se incrementa
rápidamente hasta que alcanza la corriente de saturación ID(sat). Más allá de este punto el dispositivo
está polarizado en la región óhmica. Por tanto, ID no puede crecer aunque VGS crezca. Para asegurar la
saturación fuerte se usa una tensión de puerta VGS(on) bastante por encima de VGS(th), como se muestra
en la figura 14-4b.

Símboloeléctrico
Cuando VGS=0, el MOSFET de enriquecimiento está en corte al no
haber canal de conducción entre la fuente y el drenador. El símbolo
eléctrico de la figura 14-5a tiene una línea de canal a trazos para indicar
esta condición de corte. Una tensión de puerta mayor que la tensión
umbral crea una capa de inversión de canal tipo n que conecta la fuente
con el drenador. La flecha apuntahacia esta capa de inversión, la cual
actúa como un canal tipo n cuando el dispositivo está conduciendo.
También hay un MOSFET de enriquecimiento de canal p. El símbolo
eléctrico es similar, excepto que la flecha apunta hacia fuera, como se
muestra en la figura 14-5b.

MÁXIMA TENSIÓN PUERTA-FUENTE
La delgada capa de dióxido de silicio en el MOSFET funciona como aislante, el cual impide la...