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4.4 transistores
Estructura del transistor 4.4.1

4.4.2 Tipos de transistor
Transistor de contacto puntual
Transistor de unión bipolar
Transistor de efecto de campo
4.4.3 operación yfuncionamiento del transistor
Transistor de contacto puntual
Llamado también «transistor de punta de contacto», fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeeny Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas queconstituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de transfer resistor. Se basa en efectos de superficie, pococonocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión
Transistor bipolarEl transistor de unión bipolar (o BJT, por sus siglas del inglés Bipolar Junction Transistor) se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienencualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos delas cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.
Transistor de campo
El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en lapráctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de laforma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro...