Z80_MEM
Páginas: 17 (4203 palabras)
Publicado: 22 de octubre de 2015
MEMORIAS
Clasificación:
Memoria Principal. Esta consituida por semiconductores, transistores y núcleos magnéticos.
Memoria Secundaria. Esta constituida por tarjetas y cintas perforadas, cintas y discos magnéticos, casette y diskette.
Por otra parte, también podemos clasificarlas por:
Volátiles. Se caracterizan por que al interrumpir su fuente de alimentación pierden la informaciónalmacenada en ellas.
No Volátiles. Se caracterizan porque conservan la información almacenada en ellas aún después de interrumpir la fuente de alimentación.
Otra clasificación que se puede encontrar es:
Memorias RAM (Random Access Memory). Son aquellas que se les puede cambiar el contenido de sus localidades con una señal de escritura (WR) y se puede leer el contenido de cualquier localidad con unaseñal de lectura (RD); son volátiles.
Memorias ROM (Read Only Memory). Son aquellas en las que únicamente se puede leer el contenido de sus localidades (con la señal RD) y los datos se pueden escribir en su fabricación o con algún proceso especial llamado programación de la ROM, son no volátiles.
O bien:
Memorias Estáticas. Construidas por lo general con una estructura de Flip-Flop's queconservan la información almacenada en ellas durante el tiempo que la energía este presente.
Memorias Dinámicas. Construidas en base a una estructura capacitiva, su contenido se debe de refrescar cada cierto período de tiempo (típico cada 2 ms) con una lectura o escritura a la localidad a refrescar. Son más baratas y rápidas que las memorias estáticas.
Tamaño de una memoria.
El tamaño de unamemoria consiste básicamente de dos conceptos:
1) Palabra de la memoria.
Que es la agrupación interna que realizan de varios bits las memorias para poder manejarlos como una sola unidad. Por lo que a una palabra de 8 bits se le llama 'byte' y a una palabra de 4 bits se le llama 'nibble'.
2) Número máximo de palabras o localidades que contiene la memoria.
Depende del número de líneas dedirección que tiene la memoria, donde:
# de localidades de memoria = 2n
==> de la localidad de memoria 0 a la localidad 2n-1.
donde n es el número de líneas de dirección de la memoria.
Ejemplo: Una memoria que tiene 11 líneas en su bus de direcciones y un tamaño de palabra de 8 bits se dice que su tamaño es de:
211 x 8 o 2048 bytes
o más comúnmente de 2Kbytes
Para el caso de la CPU Z80 tiene 16 líneas en su bus de direcciones, por lo que puede direccionar hasta 216 bytes, es decir, 65 536 bytes o 64 Kbytes, de las localidades cuya dirección es de la 0000H a la FFFFH.
Buses de datos, dirección y de control.
Las memorias por lo general tienen 1 o 2 pines de entrada por medio de los cuales se les indica que es a ella a la que en ese momento seestá haciendo referencia, llamados típicamente CS (Chip Select), CE (Chip Enable) o en ocasiones adoptan otros nombres pero básicamente la función es la misma.
Ejemplos: Memorias EPROM (Erasable Programable ROM) 2716 de Intel 2 K x 8 y RAM 6116 (Motorola) 2 K x 8:
Memoria RAM 6116 (Motorola) de 2 K x 8.
E= Enable.
G= Output Enable.
W= Write Enable.
Otras líneas con las que cuenta unamemoria son generalmente las de lectura y/o escritura (RD, WR).
Estas líneas son llamadas líneas de control de la memoria, por lo que el número de éstas líneas no es fijo, y como en particular en éstas notas nos enfocaremos a estudiar la CPU Z80, las correspondientes líneas de la CPU que se utilizarán para interactuar con una memoria son por el momento:
MREQ (Memory Request). Salida de 3er.estado, activo bajo que indica cuando en el bus de direcciones de la CPU tiene una dirección válida de una localidad de memoria para realizar una operación de lectura (se activa RD) o escritura (se activa WR) a la misma.
RD (Read). Señal de salida, activo bajo que indica cuando la CPU Z80 está realizando una operación de lectura de una localidad de memoria (se activa conjuntamente MREQ) o una...
Clasificación:
Memoria Principal. Esta consituida por semiconductores, transistores y núcleos magnéticos.
Memoria Secundaria. Esta constituida por tarjetas y cintas perforadas, cintas y discos magnéticos, casette y diskette.
Por otra parte, también podemos clasificarlas por:
Volátiles. Se caracterizan por que al interrumpir su fuente de alimentación pierden la informaciónalmacenada en ellas.
No Volátiles. Se caracterizan porque conservan la información almacenada en ellas aún después de interrumpir la fuente de alimentación.
Otra clasificación que se puede encontrar es:
Memorias RAM (Random Access Memory). Son aquellas que se les puede cambiar el contenido de sus localidades con una señal de escritura (WR) y se puede leer el contenido de cualquier localidad con unaseñal de lectura (RD); son volátiles.
Memorias ROM (Read Only Memory). Son aquellas en las que únicamente se puede leer el contenido de sus localidades (con la señal RD) y los datos se pueden escribir en su fabricación o con algún proceso especial llamado programación de la ROM, son no volátiles.
O bien:
Memorias Estáticas. Construidas por lo general con una estructura de Flip-Flop's queconservan la información almacenada en ellas durante el tiempo que la energía este presente.
Memorias Dinámicas. Construidas en base a una estructura capacitiva, su contenido se debe de refrescar cada cierto período de tiempo (típico cada 2 ms) con una lectura o escritura a la localidad a refrescar. Son más baratas y rápidas que las memorias estáticas.
Tamaño de una memoria.
El tamaño de unamemoria consiste básicamente de dos conceptos:
1) Palabra de la memoria.
Que es la agrupación interna que realizan de varios bits las memorias para poder manejarlos como una sola unidad. Por lo que a una palabra de 8 bits se le llama 'byte' y a una palabra de 4 bits se le llama 'nibble'.
2) Número máximo de palabras o localidades que contiene la memoria.
Depende del número de líneas dedirección que tiene la memoria, donde:
# de localidades de memoria = 2n
==> de la localidad de memoria 0 a la localidad 2n-1.
donde n es el número de líneas de dirección de la memoria.
Ejemplo: Una memoria que tiene 11 líneas en su bus de direcciones y un tamaño de palabra de 8 bits se dice que su tamaño es de:
211 x 8 o 2048 bytes
o más comúnmente de 2Kbytes
Para el caso de la CPU Z80 tiene 16 líneas en su bus de direcciones, por lo que puede direccionar hasta 216 bytes, es decir, 65 536 bytes o 64 Kbytes, de las localidades cuya dirección es de la 0000H a la FFFFH.
Buses de datos, dirección y de control.
Las memorias por lo general tienen 1 o 2 pines de entrada por medio de los cuales se les indica que es a ella a la que en ese momento seestá haciendo referencia, llamados típicamente CS (Chip Select), CE (Chip Enable) o en ocasiones adoptan otros nombres pero básicamente la función es la misma.
Ejemplos: Memorias EPROM (Erasable Programable ROM) 2716 de Intel 2 K x 8 y RAM 6116 (Motorola) 2 K x 8:
Memoria RAM 6116 (Motorola) de 2 K x 8.
E= Enable.
G= Output Enable.
W= Write Enable.
Otras líneas con las que cuenta unamemoria son generalmente las de lectura y/o escritura (RD, WR).
Estas líneas son llamadas líneas de control de la memoria, por lo que el número de éstas líneas no es fijo, y como en particular en éstas notas nos enfocaremos a estudiar la CPU Z80, las correspondientes líneas de la CPU que se utilizarán para interactuar con una memoria son por el momento:
MREQ (Memory Request). Salida de 3er.estado, activo bajo que indica cuando en el bus de direcciones de la CPU tiene una dirección válida de una localidad de memoria para realizar una operación de lectura (se activa RD) o escritura (se activa WR) a la misma.
RD (Read). Señal de salida, activo bajo que indica cuando la CPU Z80 está realizando una operación de lectura de una localidad de memoria (se activa conjuntamente MREQ) o una...
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