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Publicado: 17 de marzo de 2011
Historia y evolución de la memoria ROM
El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología semiconductora. Las puertas lógicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una dirección de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño (una tabla de consultas). Con la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. Lamáscara ROM consistía en una cuadrícula de líneas formadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podían representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación deductible.
En las máscaras ROM los datos están codificados en el mismo circuito, así que sólo se pueden programar durante lafabricación. Esto acarrea serias desventajas:
1. Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus necesidades.
2. El producto entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo.
3. Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir más de una.
4. Si un producto tieneun error en la máscara, la única manera de arreglarlo es cambiando físicamente la ROM.
Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de sólo lectura programable (PROM). Inventada en 1956 permitía a los usuarios modificarla sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Eliminó los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuariopodía pedir gran cantidad de PROMs vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Más tarde en 1983 se inventó la EEPROM, resolviendo elconflicto número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un cable serial). En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño.Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM aunque el costo por chip incrementaba. Por eso las máscaras ROM fueron la solución económica durante bastantes años. Aún así, hay que tener en cuenta que las nuevas tecnologías con más capacidad de modificación estuvieron diseñadas para eliminar del mercado a las ROM y reemplazarla.
El producto más reciente es la memoriaNAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseñadores rompieron explícitamente con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los choques físicos y una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB ytarjetas de memoria MicroSD).
Velocidad de la Rom
Velocidad de lectura
Aunque la velocidad relativa de RAM vs ROM ha variado con el tiempo, desde el año 2007 La memoria RAM es más rápida para la lectura que la mayoría de las memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM cuando se utiliza.
Velocidad de escritura
Para esos tipos de ROM que puedanser modificados eléctricamente, la velocidad es mucho más lenta que la velocidad de lectura, y puede requerir excepcionalmente alto voltaje,
Clasificación de las memorias ROM
ROM (programables por máscara)
PROM (programables por el usuario)
PROM de fusibles
OTPROM (PROM programables una vez, no admiten borrado)
EPROM (PROM borrables)
UVPROM (PROM borrables por rayos ultravioleta)...
El tipo más simple de ROM en estado sólido es de la misma antigüedad que la propia tecnología semiconductora. Las puertas lógicas combinacionales pueden usarse en conjunto para indexar una dirección de memoria de n bits en valores de m bits de tamaño (una tabla de consultas). Con la invención de los circuitos integrados se desarrolló la máscara ROM. Lamáscara ROM consistía en una cuadrícula de líneas formadas por una palabra y líneas formadas por un bit seleccionadas respectivamente a partir de cambios en el transistor. De esta manera podían representar una tabla de consultas arbitraria y un lapso de propagación deductible.
En las máscaras ROM los datos están codificados en el mismo circuito, así que sólo se pueden programar durante lafabricación. Esto acarrea serias desventajas:
1. Sólo es económico comprarlas en grandes cantidades, ya que el usuario contrata fundiciones para producirlas según sus necesidades.
2. El producto entre completar el diseño de la máscara y recibir el resultado final es muy largo.
3. Son inútiles para I+D por el hecho de que durante el desarrollo se ha de producir más de una.
4. Si un producto tieneun error en la máscara, la única manera de arreglarlo es cambiando físicamente la ROM.
Los desarrollos posteriores tomaron en cuenta estas deficiencias, así pues se creó la memoria de sólo lectura programable (PROM). Inventada en 1956 permitía a los usuarios modificarla sólo una vez con la aplicación de pulsos de alto voltaje. Eliminó los problemas 1 y 2 antes mencionados, ya que el usuariopodía pedir gran cantidad de PROMs vacías y programarlas con el contenido necesario elegido por los diseñadores. En 1971 se desarrolló la memoria de sólo lectura programable y borrable (EPROM) que permitía reiniciar su contenido exponiendo el dispositivo a fuertes rayos ultravioleta. De esta manera erradicaba el punto 3 de la anterior lista. Más tarde en 1983 se inventó la EEPROM, resolviendo elconflicto número 4 de la lista ya que se podía reprogramar el contenido mientras proveyese un mecanismo para recibir contenido externo (por ejemplo, a través de un cable serial). En medio de la década de 1980 Toshiba inventó la memoria flash, una forma de EEPROM que permitía eliminar y reprogramar contenido en una misma operación mediante pulsos eléctricos miles de veces sin sufrir ningún daño.Todas estas tecnologías mejoraron la versatilidad y flexibilidad de la ROM aunque el costo por chip incrementaba. Por eso las máscaras ROM fueron la solución económica durante bastantes años. Aún así, hay que tener en cuenta que las nuevas tecnologías con más capacidad de modificación estuvieron diseñadas para eliminar del mercado a las ROM y reemplazarla.
El producto más reciente es la memoriaNAND, otra vez desarrollada por Toshiba. Los diseñadores rompieron explícitamente con el pasado diciendo que enfocaba "ser un reemplazo de los discos duros y no de la antigua ROM. En 2007, NAND ha avanzado bastante en su meta, ofreciendo un rendimiento comparable al de los discos duros, una mejor tolerancia a los choques físicos y una miniaturización extrema (como por ejemplo memorias USB ytarjetas de memoria MicroSD).
Velocidad de la Rom
Velocidad de lectura
Aunque la velocidad relativa de RAM vs ROM ha variado con el tiempo, desde el año 2007 La memoria RAM es más rápida para la lectura que la mayoría de las memorias ROM, por lo tanto el contenido ROM se suele traspasar normalmente a la memoria RAM cuando se utiliza.
Velocidad de escritura
Para esos tipos de ROM que puedanser modificados eléctricamente, la velocidad es mucho más lenta que la velocidad de lectura, y puede requerir excepcionalmente alto voltaje,
Clasificación de las memorias ROM
ROM (programables por máscara)
PROM (programables por el usuario)
PROM de fusibles
OTPROM (PROM programables una vez, no admiten borrado)
EPROM (PROM borrables)
UVPROM (PROM borrables por rayos ultravioleta)...
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