T Cnica De Crecimiento

Técnica de crecimiento: MBE

. Introducción
Epitaxia por haces moleculares (MBE, del inglés Molecular Beam Epitaxy), es uno denlos varios métodos de depósito de cristales únicos. Fue inventado enlos años 60’s en los Laboratorios Telefónicos Bell por J. R. Arthur y Alfred Y. Cho [3]. El nombre de Epitaxia por haces moleculares (MBE) fue usado primeramente en 1970. Desde aquellas fechas, haevolucionado en una técnica popular para el crecimiento de compuestos semiconductores III-V, así como también para otros materiales. Debido al alto grado de control posible con MBE, se le considera unavaliosa herramienta en el desarrollo de dispositivos opto electrónicos y electrónicos sofisticados. Esta técnica se distingue por la generación de ultra alto vacío, su gran control de precision en elflujo del haz y de las condiciones de depósito. MBE puede producir películas de alta calidad con interfaces muy abruptas y con un buen control del grosor, dopante y composición. Es un proceso decrecimiento epitaxial que involucra la reacción de uno o más haces térmicos de átomos o moléculas con una superficie cristalina bajo condiciones de ultra alto vacío. El conocimiento de la física desuperficies y la observación
de la variación en la estructura superficial resultante de las relaciones entre la razón de átomos de llegada (flujo del haz) y la temperatura del sustrato permite una considerableinterpretación de cómo preparar películas delgadas de alta calidad con el deposito de capas atómicas sobre capas atómicas. La calidad de las películas epitaxiales por MBE, especialmente en latecnología de GaAs, se ha vuelto el estado del arte standard.
Epitaxia por haces moleculares no es solamente una tecnología de películas delgadas
para compuestos semiconductores sino también puede ser usadapara el crecimiento de semiconductores elementales. Recientemente, Si-MBE ha encontrado aplicaciones en áreas
5 donde el grosor de las capas, perfil dopante, o heteroestructuras son difíciles de...