UNIVERSIDAD DE LAS FUERZAS ARMADAS ESPE DEPARTAMENTO DE ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA ELECTRÓNICA I SEGUNDO PARCIAL TAREA Alumna: María Evelina Silva NRC: 2063 Fecha: de julio de 2015 TEMA: TRANSISTORES Capítulo 3: Transistores Bipolares de Unión 3.6. Configuración de emisor común: 1. Ejercicio 21: a) Para las características de la figura 3.14, encuentra la beta de dc para un punto de operación de y de . En la figura se puede hacer una aproximación, y el punto que corresponde a ,...
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Leer documento completoEJERCICIO ANÁLISIS EN DC CON TRANSISTORES BJT Inicialmente se realiza el análisis DC planteando las mallas para su solución. NOTA: El análisis del siguiente circuito se va a realizar en DC, por lo tanto los condensadores y la fuente AC se omitirán del análisis por la siguiente razón: La ecuación del condensador es la siguiente: Donde: Cuando la frecuencia tiende a cero (como es el caso en corriente directa), Xc tiene al infinito, por lo tanto el condensador en DC actúa...
522 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoProblemas Adicionales. Capítulo 6: Amplificadores BJT Problemas Resueltos de Componentes y Circuitos Electrónicos. E. Figueres, M. Pascual, J.A. Martínez e I. Miró. SPUPV-2000.4175 Problema 6.3ver1 En el circuito de la figura 6.3.1, no se conoce el valor de RE1. Calcule RE1 para que la ganancia de tensión resulte –5. Nota: El transistor se encuentra polarizado en zona activa, con h fe = β = 100 y hie = 21,8kΩ . Solución: El circuito en alterna está representado en la figura 6.3.2bis...
1016 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoElectrónica II - Reunión del día 25 de octubre de 2010 Tema: Transistor bipolar en configuración de colector común Saludos estudiantes: Tengo un anuncio antes de iniciar el tema de hoy. El lunes, 8 de noviembre, será nuestro segundo examen. Éste evaluará los siguientes temas: * Análisis DC del transistor bipolar * Análisis y conceptos del amplificador Clase A * Conceptos del amplificador Clase B * Funcionamiento del BJT * Ganancias de voltaje, alpha y beta * Modos de operación ...
1196 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completolos transistores. Conocer y trabajar las clases de transistores así como sus configuraciones y demás. Objetivos específicos Conocer acerca de la construcción de los transistores, así mismo como sus componentes internos. Conocer y ser capaz de distinguir los diferentes símbolos del transistor. Conocer e Interpretar la polarización de un transistor y así mismo conocer como se obtiene las diferentes corrientes a través de las diferentes partes del transistor. MARCO TEORICO TRANSISTOR El...
1703 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT TRANSISTOR BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) • Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. • El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). • Los transistores...
769 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoduplicar el comportamiento de un transistor en la región de interés. Recuérdese que una fuente de corriente controlada por corriente es aquélla donde los parámetros de la fuente de corriente se controlan por medio de una corriente en otra parte de la red. Son conocidos como controladores de corriente Parámetros h Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil...
1086 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoSANTIAGO MARIÑO CABIMAS EDO-ZULIA REALIZADO POR: 1) Transistor BJT (Definición) El transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es también conocido como transistor de unión. Como su nombre lo indica, es un dispositivo de tres terminales, dos uniones y doble polaridad. Está formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN y PNP, tal como muestra la figura 1. A cada capa se le...
1240 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoEl Transistor de Unión Bipolar (BJT) El BJT (Bipolar Juction Transistor) es un dispositivo semiconductor de estado sólido formado por dos uniones PN muy cercanas entre sí en un solo cristal. Así, se puede formar por la unión de un material “p” entre dos “n” (BJT npn) o un material de tipo “n” entre dos “p” (BJT pnp). Esta característica permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Es uno de los principales dispositivos que se utiliza para operaciones de amplificación...
757 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR BJT i. Definición: Un transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales: emisor (E), colector (C) y base (B), dos uniones y doble polaridad. ii. Clasificación: Esta formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN (dos capas de material tipo n y una capa tipo p) y PNP (dos capas de material tipo p y una tipo n). A cada...
1477 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completo4. Transistor Bipolar (BJT) Joaquín Vaquero López Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 1 Transistor Bipolar (BJT): Índice 4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales 4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto transistor. Circuito simple de un transistor. 4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización. Modelos. 4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común 4.5) Aplicaciones. Transistor real...
1576 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR DE UNION BI-POLAR, BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR) Refrigeración – Módulo III, Submódulo I El Transistor BJT El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en...
876 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR JFTE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente...
1208 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completo• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen...
979 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completohttp://www.informania.com.ar/tema6/Paginas/Pagina0.htm BJT Regiones operativas y configuraciones El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor...
841 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR BJT - PUNTOS DE TRABAJO Universidad Distrital Francisco José de Caldas Resumen: Este trabajo contiene cierta información referente al transistor 2N2222, aplicaciones, manejo y el transcurso desde su creación hasta nuestros dias, los cuales a lo largo del tiempo nos ha facilitado ciertos aspectos en nuestra vida cotidiana. Palabras claves: Transistor, polarización, configuración, puntos de trabajo, saturación. INTRODUCCION: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas...
1010 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTRANSISTORES BIPOLARES DE UNIÓN •El primer transistor el 23 de Dic. De 1947 •Desarrollado por Walter H. Brattain y Joseph Barden •Es un dispositivo semiconductor formado por dos capas de material tipo n (ó p) y una capa entre ellas de material tipo p (ó n). •Existen transistores npn ó pnp •Dispositivos de 3 terminales (emisor, base y colector) •La capa del emisor está fuertemente dopada •La del colector ligeramente dopada •Y la de la base muy poco dopada, además más delgada. E p n p B •Tiene...
663 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoMECATRONICA TRANSISTOR BJT Un transistor de unión es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupación da lugar a 2 tipos de transistores según la disposición de las capas. Transistor bipolar, de unión o BJT es lo mismo. Transistor PNP Transistor NPN Simbología Si el transistor tiene la capa N en el medio es un transistor tipo PNP. Si el transistor tiene la capa...
1583 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoMiranda Transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) . Alumno: Maaaaaaaaariguana Introducción Los semiconductores vinieron a revolucionar el modo de automatizar procesos y de pensar nuevas formas de hacer las cosas, uno de sus emblemas más conocidos si es el que más es el transistor. El presente trabajo explica la forma de operar y aplicabilidad de los transistores de unión bipolar o como se conocen por sus siglas en ingles Transistores BJT. Transistores Los transistores son dispositivos...
511 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoTransistores BJT: Analisis DC: 1. Ic=Ie 2. Vth= Rb2*VccRb1+Rb2 3. Rth=Rb1 ∥Rb2 4. IRe= Vth-0.7Re 5. Vce=Vcc-IcRe+Rc Modelos del Transistor en Pequeña Señal: * B C Modelo H.- E 1. Ic=hfe*Ib 2. hfe=hFE= β 3. hie= hfe*VtIc 4. Vt=25m v * C Modelo Π o Giacoleto.- E 1. rΠ=hie 2. Gm= IcVt 3. Vt=25m v * C Modelo T.- B E 1. Ic=α*Ie 2. α= hfehfe+1 3. Re=VtIe 4. Vt=25mv Análisis AC: Configuraciones Básicas: ...
672 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1 Informe: Transistores BJT Asignatura: Electr´ nica Anal´ gica o o Docente: Oscar Marino D´az Betancur ı Monitor: Mario Alejandro Berrio Perdomo - Grupo N◦ 6 Santiago Cardona Aricapa Cod: 211013 Juan Pablo Bedoya Alzate Cod: 211008 Universidad Nacional de Colombia - Sede Manizales 15 de Mayo del 2013 Abstract—En el siguiente informe se expondr´ lo refea rente al an´ lisis del funcionamiento del transistor bipolar a BJT 2N2222 y las caracteristicas de los dispositivos semiconductores...
782 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoINTRODUCCION. En el siguiente trabajo se analiza el transistor bipolar y sus posibles configuraciones, tales como base común, colector común, emisor común y el amplificador diferencial que es un circuito con dos transistores BJT que comparten la misma conexión de emisor. Es importante tener una comprensión de lo que es el transistor, ya que gracias a aquello se puede entender la evolución de la electrónica digital en general. El transistor viene a reemplazar al denominado tubo de vacío teniendo...
815 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completosección de las curvas de operación del transistor se encuentran las zonas de saturación y de corte. Cuando el transistor se encuentra en corte no circula corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos de cálculo, decimos que el transistor se encuentra en corte cuando se cumple la condición: IE= 0 ó IE< 0 (Esta última condición indica que la corriente por el emisor lleva sentido contrario al que llevaría en funcionamiento normal).Para polarizar el transistor en corte basta con no polarizar en...
565 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoLaboratorio 2: Transistores BJT y amplificadores transistorizados Alexis Angulo Letelier, José Daza Sepúlveda, Henry Varas Universidad de Talca, Facultad de Ingeniería, Ingeniería en Mecatrónica aangulo@alumnos.utalca.cl, jdazas@alumnos.utalca.cl, hvaras@alumnos.utalca.cl Resumen-Al trabajar con transistores BJT se pueden utilizar varias configuraciones para obtener amplificadores transistorizados. Además está la posibilidad de diseñar cada uno de los componentes de estas configuraciones, con...
1616 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoAMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS DOCENTE: Ing. Sergio Rodríguez B. INTEGRANTES: Sebastian Almaraz Maureen Arámbulo Alvaro Calatayud FECHA: 2 DE Marzo del 2012 AMPLIFICADORES CON TRANSISTORES BJT EN FRENCUENCIAS MEDIAS 1. OBJETIVOS.- • Diseñar, analizar y caracterizar circuitos amplificadores en frecuencias medias en las distintas configuraciones utilizando transistores bjt. ...
1238 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completo2012 El transistor BJT como interruptor OBJETIVO Utilizar el transistor BJT como interruptor para activar cargas resistivas e inductivas. Objetivos específicos: * Armar un circuito para activar o desactivar la tensión en una resistencia mediante un transistor BJT que opera en la región de corte o saturación. * Armar un circuito para activar la bobina de un relevador electromecánico y encender un foco incandescente o un motor de baja potencia mediante un transistor BJT. Introducción: ...
1247 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTransistores BJT y FET Transistor de unión bipolar (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son...
1252 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoTransistor de unión bipolar El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP. La zona N con elementos donantes...
671 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo1. El transistor de potencia BJT El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar En el transistor bipolar hay que inyectar una corriente de base para regular la corriente de colector, esta es una característica común, sin embargo, el hecho de que la potencia que consume el terminal de control...
516 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoPractica 1 Electrónica II: Transistores BJT Nestor Fabian Delgado 20081005002, Juan Pablo Sánchez 20081005, Wilson Ricardo López 20081005051 Universidad Distrital Francisco José de Caldas, Ingeniería Electrónica Bogotá D. C., Colombia nfabian.1231@gmail.com juanpablos88@hotmail.com wilri_lo@hotmail.com Abstract – En este informe se presenta el desarrollo, diseño e implementación de dos problemas, cada uno referente a las aplicaciones del transistor BJT, amplificación de señal, y conmutación...
1068 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoPráctica 6 Polarización del transistor bipolar (BJT) Índice General 6.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.2. Introducción teórica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6.3. Realización práctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51 51 52 6.1. Objetivos El objetivo de la práctica es que el alumno monte y analize el circuito de polarización de un transistor bipolar y analizar los distintos puntos de trabajo en los que...
613 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoComo se definen las ganancias de corriente en el transistor. Ganancia de corriente β dc β dc se define como la ganancia de corriente de un transistor. Es la relación entre la corriente de colector y la corriente de base. La ganancia de corriente es una gran ventaja de un transistor y ha llevado a todo tipo de aplicaciones. Para transistores de baja potencia (menores a 1W, la ganancia de corriente es típicamente de 100 a 300. Los transistores de alta potencia (por encima de 1W) normalmente tienen...
1019 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoFuncionamiento del transistor BJT En una configuración normal, la unión emisor-base se polariza en directa y la unión base-colector en inversa. Debido a la agitación térmica los portadores de carga del emisor pueden atravesar la barrera de potencial emisor-base y llegar a la base. A su vez, prácticamente todos los portadores que llegaron son impulsados por el campo eléctrico que existe entre la base y el colector. Un transistor NPN puede ser considerado como dos diodos con la región del ánodo...
1021 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoTRANSISTOR DE UNION BIPOLAR (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PNmuy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número...
1304 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoTEMA APLICACIÓN DEL TRANSISTOR BJT CARRERA T.S.U MECATRONICA CUATRIMESTRE: 2DO GRUPO: C SAN ANTONIO CARDENAS, CARMEN CAMP; A 1 DE MARZO DEL 2012 Contenido INTRODUCCION 3 OBJETIVO 4 MARCO TEORICO 5 TRANSISTOR BIPOLAR 5 RESISTENCIAS 7 LEDS 8 FUENTE 9 VOLTIMETRO 10 MATERIAL Y EQUIPO 11 PROCEDIMIENTO DE LA PRÁCTICA DE LA APLICACIÓN DEL TRANSISTOR BJT. 11 TABLA DE CONTENIDO 12 CONCLUSION 13 INTRODUCCION El transistor es un dispositivo...
1629 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completoUNIVERSIDAD TECNICA DE MACHALA TAREA Nº 1 TRANSISTOR BIPOLAR (BJT) El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. El transistor bipolar es un amplificador de corriente, esto quiere decir que si le introducimos una cantidad de corriente por una de sus patillas (base), el entregará por otra (emisor), una cantidad mayor a ésta, en un factor que se llama amplificación. CONSTITUCIÓN: Un transistor de unión bipolar está formado por dos Uniones...
712 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoFACULTAD DE CIENCIAS EXACTAS, FISICAS Y NATURALES Cátedra: Electrónica Analógica I. Trabajo Práctico de laboratorio: “Transistores BJT”. Integrantes: Barquinero, Guillermo Adrián Centurión, Jonathan José Rodríguez Isleño, Gonzalo. Año 2013 Objetivo El objetivo de este trabajo es polarizar en directa un transistor bipolar, comprobar su funcionamiento utilizando para ello una señal de prueba y contrastar los resultados teóricos con los obtenidos de...
865 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoCONFIGURACION DE TRANSISTORES DE BJT A. Tortello1–92010659126, A. Barrios2 – 1047389171, K. Figueroa3 -1047370391 1Ingeniería Electrónica, DIEEST, Universidad de Pamplona, Km 1 Vía a Bucaramanga Pamplona (N de S), Colombia, Tel: +7 5685303 ext. 140 2Ingeniería Eléctrica, DIEEST, Universidad de Pamplona, Km 1 Vía a Bucaramanga Pamplona (N de S), Colombia, Tel: +7 5685303 ext. 140 3Ingeniería de Telecomunicaciones, DIEEST, Universidad de Pamplona, Km 1 Vía a Bucaramanga...
1118 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoEjercicios relativos al transistor bipolar Problemas de transistores BJT en estática 1.- Estudiar los diferentes modos de operaci´on del BJT de la figura en función de vI (VBE ~ 0.7 V). IC IB VC VB IE 2.- Calcular el punto de trabajo (Q) del transistor de la figura. DATOS: α = 0.998; |IC0| = 1μA; RE = 10 kΩ; RL = 1 kΩ. 3.- Determinar el punto de polarización (Q) del transistor de la figura. DATOS: VBE = 0.7 V; |IC0| = 20 nA; β =100. Transistor bipolar - Problemas 4.- Analizar el circuito...
1496 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completo1 Circuitos l´ gicos con transistores BJT o Electr´ nica Anal´ gica. o o Profesor: Juan Sebastian Casta˜ o - Santiago Molina. n Monitora: Juana Valeria Hurtado Rinc´ n o Universidad Nacional De Colombia Sede Manizales. Resumen—En esta pr´ ctica, se implementaran circuia tos l´ gicos basados en componentes discretos utilizando o resistencias y transistores BJT, para comprobar el funcionamiento de las principales compuertas l´ gicas. o I. E QUIPO A U TILIZAR . Figura 1. Tabla de verdad...
945 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoConfiguraciones Transistores Bipolares (BJT) Todos los transistores BJT, NPN y PNP pueden polarizarse demanera que quede una terminal común en su circuito depolarización; es decir, un elemento que forma parte tanto de lazo de entrada como del lazo de salida. Este puede ser cualquiera de lastres terminales del dispositivo (Emisor, Base, Colector). Asíentonces, se tienen tres configuraciones: Configuración de Base Común: La base es común a la entrada (emisor-base) y a la salida (colector-base)...
1021 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoANÁLISIS EN AC DE TRANSISTORES BJT Universidad de Cuenca Facultad de Ingeniería Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Milton Muñoz miltonho@hotmail.com 1. Objetivo General: Diseñar, Calcular, Simular e Implementar un amplificador empleando el análisis en DC (polarización), y AC (Análisis a pequeña señal). transistorizado, 2. Objetivos Específicos: Realizar un análisis en dc y ac para el diseño de un amplificador transistorizado. Definir el punto de polarización óptimo para...
698 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoPRACTICA DE LABORATORIO No. 7 POLARIZACIÓN DEL TRANSISTOR BJT RESUMEN: La práctica consta de dos circuitos, lo cual debemos medir la IB, IC, Vce, después de haber hecho esto lo comparamos con los resultados calculados, dicho esto también procedemos hallar el Beta de nuestro transistor y verificamos de que si es cierto lo hallado. Luego cambiamos el transistor por uno que tenga un Beta diferente al que estábamos utilizando, hacemos los mismos cálculos y definimos con total seguridad los...
1152 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completodivisor de tensión con derivación a BJT. (Imagen 1). Para ello se usara un transistor NPN 2N2222, que según su tabla de características se tiene que en la región activa tiene un hfe o valor β = 50, si el voltaje colector – emisor es de 10V, y la corriente de colector es de 1 mA. (Imagen 2). Imagen 2 Frecuencia de operación: FL = 1000 Hz = 1KHz FH = 10000 Hz = 10KHz Voltaje de la fuente: Vcc = 20 V Factor hfe del transistor: β = 50 El circuito en DC...
988 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoidentifique las zonas de funcionamiento del transistor bipolar. * Para el gráfico N°1 Ya que el voltaje de VCE es aproximadamente 9V, para una corriente de base de 9.4µA (según tabla 2), el transistor no se encuentra en la zona de corte, ya que para eso el voltaje VCE debería de ser aproximadamente menos 5% de Vcc, que en este caso es 10V, y no se encuentra en saturación ya que para esto el VCE debe de ser menor o igual a 0.2V ( ya que se trata de un transistor de baja potencia), ya que según la tendencia...
638 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) Introducción En 1949, Walter Houser Brattain, John Bardeen y William Bradford Shockley, científicos de la “Bell Telephone Laboratories”, iniciaron una revolución en la electrónica con la invención del transistor. El transistor es un dispositivo electrónico de estado sólido de gran uso tanto en la electrónica analógica (amplificador) como en la digital (conmutador). Existen diversos tipos de transistores, entre ellos: BJT= Transistor de unión o bipolar JFET=...
738 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoAmplificación de pequeña señal con transistores BJT Circuito y recta de carga Para que una señal sea amplificada tiene que ser una señal de corriente alterna. No tiene sentido amplificar una señal de corriente continua, porque ésta no lleva ninguna información. En un amplificador de transistores están involucrados los dos tipos de corrientes (alterna y continua). La señal alterna es la señal a amplificar y la continua sirve para establecer el punto de operación del amplificador. Este punto de...
1431 Palabras | 6 Páginas
Leer documento completoDEL TRANSISTOR BIPOLAR OBJETIVO: Caracterizar el comportamiento del transistor bipolar en diferentes situaciones, haciendo uso de gráficas, análisis de los circuitos y de la interpretación de las mediciones. TAREA PREVIA PARA TENER DERECHO A REALIZAR LA PRÁCTICA Investigar las características de funcionamiento y limitaciones de los transistores bipolares de silicio y germanio. Realizar la simulación de los circuitos para obtener las curvas características eléctricas de los transistores bipolares...
1243 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoEjercicios resueltos Procedimiento: Ejercicio n°1: 1. Sabiendo que f(x)= x3 + 4 x2 - 9x - 15 2. Se aplica el teorema de los signos de descartes: * Para raíces positivas : Se utiliza la misma función inicial f(x)= x3 + 4 x2 – 9x – 15 Hay un solo cambio de signos, por ende solo existe una raíz positiva. * Para raíces negativas: Aquí se cambia la función de (x) por una negativa(-x) , quedando : f(-x)= (–x)3 + 4(–x)2 – 9(–x) –15...
523 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoAdministración Financiera PIAE 125–Universidad Andrés Bello EJERCICIOS RESUELTOS Y PROPUESTOS CLASE 2 1- Calcular el monto acumulado al final de una año si a comienzos del primer y tercer mes se depositan US$ 3,000 y US$ 5,000 al 1% mensual simple M 1 = 3,000(1 + 0.01 *12) = 3,360 M = 5,000(1 + 0.01 *10) = 5,500 MontoAcumulado = M 1 + M 2 = 8,860 Respuesta: El capital C1 está depositado por 12 meses y el Capital C2 está sólo 10 meses (gana desde el comienzo tercer mes) 2- Calcular...
535 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEjercicios resueltos. 1.- Comprobar que se cumplen las condiciones del teorema del punto fijo para las siguientes funciones, encontrando un intervalo que cumpla las condiciones. a) g(x) = + Esta función está definida en el intervalo [-2, + ¥ [. g'(x) = Þ |g'(x)| < 1 Û 1 < 2 Û > Û Û x+2 > Û x > - luego |g'(x)| < 1 "x Î ] - , + ¥ [. Además g(-) = Î ] - , + ¥ [ Como la función + es creciente g(x) Î ] - , + ¥ [ "x Î ] - , + ¥ [. Podemos pues elegir intervalos I Ì ] - , + ¥ [. Fijando por ejemplo...
568 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEJERCICIOS RESUELTOS 3º ESO (Soluciones al final) TEMA 1 1. LA COMUNICACIÓN. Observa la viñeta y completa cuáles son los elementos de la comunicación: emisor → receptor → mensaje → canal → código → situación → 2. TIPOS DE TEXTOS a) Según la intención comunicativa. Di si los siguientes textos son informativos, persuasivos, prescriptivos o literarios: Batir las claras a punto de nieve. Tristes armas si no son las palabras. Busque, compare, y si encuentra algo mejor, cómprelo...
584 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoUNIVERSIDAD DE ANTIOQUIA FACULTAD DE INGENIERÍA DEPARTAMENTO DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA LABORATORIO DE ELECTRONICA II Alumnos: Sergio Andrés Rodríguez Trujillo Oscar Molina Mejía 1017169786 71781375 EL TRANSISTOR EN APLICACIONES NO LINEALES APLICACIÓN: Generación de dientes de sierra lineales aplicables como bases de tiempo o en sistemas de control bajo la técnica PWM (Amplificadores clase”D” Chopers) etc. OBJETIVO: Diseño, análisis e implementación de una fuente de corriente constante...
621 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoeste apartado realizaremos un balance de energía en forma de calor cedido y absorbido en el sistema. [pic] 3º.-RESOLUCIÓN DEL PROBLEMA: igualando ambas mitades de la ecuación, podremos despejar la temperatura final del sistema y con ello hemos resuelto el problema planteado. [pic] [pic] problema 1409 : una muestra de 90 g de agua(s) a 0ºc, se añade a 0.500 kg de agua(l) a una temperatura de 60ºc. suponiendo que no hay transferencia de calor al ambiente, ¿cuál es la temperatura del agua(l)...
924 Palabras | 4 Páginas
Leer documento completoEJERCICIOS 1. Definiciones clásica y estadística de la probabilidad PROBLEMA 1 Se han tirado dos dados. Hallar la probabilidad de que la suma de puntos en las caras aparecidas sea par; además, por lo menos en la cara de uno de los dados aparezca en seis. Solución: En la cara aparecida de «primer» dado puede darse un punto, dos puntos,…, seis puntos. Al tirar el «segundo» dado son posibles 6 resultados elementales análogos. Cada uno de los resultados de la tirada del «primer» dado...
727 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoEjercicio 4.12 El Sr. Juan López trabaja en una empresa donde recibirá este mes de abril, a fines de mes, un sueldo de $350,000. Su jefe ha prometido subirle el sueldo todos los meses a una tasa de 7% mensual. Por otra parte, el Sr. López hace todos sus gastos de consumo el último día del mes, al minuto después de haber recibido su sueldo. El resto lo deposita en una cuenta de ahorro al 3% mensual. Finalmente, el Sr. López gastará este mes en consumo $ 280,000. Como su sueldo irá creciendo,...
1734 Palabras | 7 Páginas
Leer documento completo EJERCICIOS CAPITULO11 ADMINISTRACION DE OPERACIONES PRODUCCIÓN Y CADENA DE SUMINISTROS 1.- Se plantea instalar una pequeña planta de manufactura que va a suministrar piezas a tres instalaciones de manufactura muy grandes. Las ubicaciones de las plantas actuales con sus coordenadas y requerimientos de volumen aparecen en la tabla siguiente: Ubicación de la planta Coordenadas (x,y) Volumen (piezas por año) Peoria 300 320 4000 Decatur ...
1136 Palabras | 5 Páginas
Leer documento completoNoguera e-mail: martinalejo93@hotmail.com Sebastian Enrique Torres e-mail: setc29@hotmail.com RESUMEN: A continuación se presentará un circuito con un transistor polarizado, al que se le ha de hacer los respectivos cálculos en cuanto a sus parámetros y luego comparar con los valores obtenidos en la práctica. 1. INTRODUCCION. Un transistor (la contracción de transfer resistor, transferencia de resistencia) es un dispositivo semiconductor con tres terminales utilizado como amplificador e interruptor en...
728 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completo¿CÓMO SABER QUE UN TRANSISTOR BJT FUNCIONA CORRECTAMENTE? HECTOR LUIS CASTRO GRANADOS CÓDIGO: 2102560 UNIVERSIDAD SANTO TOMÁS SECCIONAL TUNJA 2011 ¿CÓMO SABER QUE UN TRANSISTOR BJT FUNCIONA CORRECTAMENTE? En primer lugar, se debe determinar el tipo de transistor a probar; ya sea NPN o PNP. Para comprender mejor el proceso, se explicará mediante un ejemplo, en el cual se utilizará un transistor PNP de referencia 2N3906, el cual se observa en la siguiente figura: 2N3906 P-N-P BASE...
576 Palabras | 3 Páginas
Leer documento completoInforme de la Práctica#1: Análisis de Corte y Saturación en Transistores Bipolares BJT Laboratorio Electrónica Análoga II, Escuela de Mecatrónica, Facultad de Minas Universidad Nacional de Colombia – Sede Medellín Resumen – En el presente informe analizaremos la operación de los transistores bipolares BJT como interruptores o switches, es decir que bajo ciertas condiciones, el transistor puede ser hacer que se inhiba o suspenda el paso de corriente hacia otras partes de un circuito. El voltaje...
1709 Palabras | 7 Páginas
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