Transitores Bjt Multisim ensayos y trabajos de investigación

Cuadro Comparativo de las Características de los Transistores BJT y los FET BJT | LOS FET | | JFET | MOSFET | EL transistor BJT está constituido por tres regiones semiconductoras -emisor, base y colector | Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se llaman drenado, fuente y puerta | Es un elemento tri-terminal cuyos terminales se...

525  Palabras | 3  Páginas

Introducción La cantidad de corriente que el transistor deja fluir de colector a emisor o de emisor a colector está dada por la corriente en la base esta grafica muestra los distintos tipos de operación del transistor bipolar dependiendo de la corriente que se le aplique en la base Punto de saturación: Corresponde a la mayor intensidad de base posible. La intensidad de colector es máxima. Punto de trabajo o zona activa: Corresponde a la intensidad de base determinada por la malla de base...

1013  Palabras | 5  Páginas

1.- Objetivos  Explicar como se aplican los transistores BJT en una silla de ruedas eléctrica con sensores de proximidad utilizando como principio ondas ultrasónicas.  Desarrollar la circuitería interna de la silla de ruedas eléctrica propuesta para el reporte.  Analizar las bases de su funcionamiento. 2.- Introducción El ultrasonido de diagnóstico o de lata frecuencia se efectúa cuando un pulso de sonido es liberado a través de un medio y la detección de un “eco” de este sonido, regresa...

500  Palabras | 2  Páginas

pedía. Plasmé mi investigación según los criterios. Redacté mis conclusiones. Resultados: Multisim es un programa de diseño y análisis de circuitos electrónicos que se usa esencialmente para capturar y simular interactivamente; al de situar componentes en una tarjeta de circuitos para realizar pruebas. Forma parte de un grupo de programas de diseño de circuitos, junto con NI Ultiboard. Multisim fue introducido originalmente por una empresa llamada Electronics Workbench, que actualmente es una...

588  Palabras | 3  Páginas

NI Multisim captura esquemática y diseño de circuitos: Glosario Información general El entorno de NI Multisim vuelve la captura esquemática fácil con varias funciones intuitivas.  En este artículo se introducirá una variedad de elementos de la interfaz de diseño Multisim y proporciona información adicional acerca de cómo estas características puede mejorar el desarrollo de su circuito.  Utilice este glosario para entender más sobre las características de Multisim. Tabla de contenidos 1...

1415  Palabras | 6  Páginas

MULTISIM Jose Argel, Michael Peña, Sergio Sarmiento Profesor Luisa Melas Grupo AD – 20-03-2014 Universidad de la Costa, Barranquilla Resumen Este informe tiene como fin determinar el funcionamiento de un simulador de circuitos muy conocido llamado Multisim; este simulador tiene ciertas características que lo hacen una herramienta muy útil para ingenieros y técnicos, Se especificará acerca de su uso y aplicaciones, su funcionamiento y algunos conceptos básicos. Palabras claves ...

707  Palabras | 3  Páginas

colocándolos en su respectivo orden con ayuda del mouse. 4. Verificar las conexiones y demás con respecto a los elementos del circuito a montar. 5. Dar inicio al movimiento del circuito y observar los cambios que se pueden producir en él. Manual de Multisim 8 Trial Iconos Si presionan el icono de la barra de tareas se les abrirá el siguiente cuadro: En el podrán encontrar gran variedad de fuentes y algunas conexiones a tierra, como por ejemplo: Si presionan el icono se le abrirá el siguiente...

1035  Palabras | 5  Páginas

El objetivo de esta práctica es observar las características corriente tensión de un transistor bipolar, comprobar su punto de operación estacionario y mostrar su aplicación en la realización de circuitos amplificadores. Un transistor bipolar (BJT) está formado por tres regiones de semiconductor dopadas alternativamente, en cada una de las cuales se establece un contacto metálico. Existen dos tipos: Transistor p‐n‐p Transistor n‐p‐n ...

642  Palabras | 3  Páginas

combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las características de conducción son como las del BJT. En la figura II se observa la estructura interna de un IGBT, el mismo cuenta con tres pines Puerta (G), Emisor (E) y Colector (C). Opto Transistores También se denominan opto aisladores o dispositivos de acoplamiento óptico. Basan su funcionamiento...

870  Palabras | 4  Páginas

tendremos una corriente proporcional a la corriente de base: IC = β IB, es decir, ganancia de corriente cuando β>1. Para transistores normales de señal, β varía entre 100 y 300. Transistor de unión bipolar (BJT) El transistor de unión bipolar (del inglés Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se...

1569  Palabras | 7  Páginas

JUAN CARLOS 3.- ESCOBEDO PADILLA VÍCTOR PROFESOR: JOSÉ ANTONIO MENDOZA HERNÁNDEZ CARRERA: ING. ELECTRÓNICA GRADO: 5° SEMESTRE GRUPO: 3501 CONFIGURACIONES DEL BJT PARA LA AMPLIFICACIÓN DE UNA SEÑAL OBJETIVO: Conocer y simular las diferentes configuraciones del transistor BJT, para la amplificación de una señal e implementar un circuito donde se compruebe el fenómeno de amplificación. FUNDAMENTOS TEÓRICOS: Los transistores son elementos muy versátiles. Podemos...

518  Palabras | 3  Páginas

(un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido. Transistor de unión bipolar Eltransistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o arseniurio de galio que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el...

880  Palabras | 4  Páginas

EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR (BJT) Transistor de Unión Bipolar (BJT)  Transistor    Bipolar   Transfer y resistor La corriente que circula entre dos terminales está controlada por una señal aplicada al tercer terminal La corriente es transportada por portadores de ambas polaridades (electrones y huecos) BJT   Disposiivo de 3 terminales: emisor, base y colector Dos tipos: PNP y NPN.  La flecha del Emisor siempre se indica de P a N.  PNP...

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¿Qué es un BJT?  Es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja...

619  Palabras | 3  Páginas

LAB#2 POLARIZACIÓN BJT Nikolay Niño Suarez cod: 201122501600 Oscar Rodríguez cod; 201021014600 Camilo Jimenez cod; 2010200066 ABSTRACT An element as simple as the transistor, which offers various properties which allow obtaining different applications depending on the mode as it is polarized, this polarization obtain inverter circuits, amplifier, oscillator, etc.. In the lab will conduct the polarization of a dual-source transistor 2N2222 for a profit to the output current INTRODUCCIÓN ...

682  Palabras | 3  Páginas

The BJT Inverter Neftali Diaz Alvarez and Pedro Juan Mojica Turabo University of Puerto Rico- Electrical Engineering Department IEEE, member, ELEN 433 students Abstract- The experiment about to BJT inverter we learned the behavior when is applied voltage in the base and collector a same time with different voltage, found β a similar form to BJT common- emitter and function like to a switch. We observed that no matter increased voltage at the base, will always be limited by Vcc...

922  Palabras | 4  Páginas

93 | 2.07 | 0.119 | 8 | 6.57 | 4.08 | 2.16 | 0.124 | 12 | 7.08 | 4.40 | 2.35 | 0.135 | 14 | 7.31 | 4.53 | 2.43 | 0.140 | 16 | 7.55 | 4.70 | 2.49 | 0.145 | Estos datos se obtuvieron a traves de simulaciones mediante el uso del software MULTISIM. 2.-Dibujar las rectas de carga a partir de las tablas llenadas, en una sola hoja para poder hacer las comparaciones. 3.-Explicar los puntos Q obtenidos y las variaciones de las recas de carga DC. Obtenemos 4 rectas de carga y puntos Q para...

1276  Palabras | 6  Páginas

INTRODUCCION. En el siguiente trabajo se analiza el transistor bipolar y sus posibles configuraciones, tales como base común, colector común, emisor común y el amplificador diferencial que es un circuito con dos transistores BJT que comparten la misma conexión de emisor. Es importante tener una comprensión de lo que es el transistor, ya que gracias a aquello se puede entender la evolución de la electrónica digital en general. El transistor viene a reemplazar al denominado tubo de vacío teniendo...

815  Palabras | 4  Páginas

INTEGRANTES: Téc. Willy Viettry Arveláez Eduardo Camacho Stephany Medina Carmín Rojas Luis Gerardo Vamos abordar el estudio del transistor de unión bipolar, y el transitor fet. El de Unión Bipolar también conocido por las iniciales de su denominación en ingles BJT (Bipolar Junction Transistor). El término bipolar hace referencia al hecho de que en la conducción de la corriente intervienen los dos tipos de portadores (electrones y huecos). El termino junction (unión)...

544  Palabras | 3  Páginas

INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE HUICHAPAN ANÁLISIS DE CIRCUITOS ELÉCTRICOS UNIDAD I GLOBLAL MIGUEL EFRAÍN PÉREZ HERNÁNDEZ MARIO ALBERTO CHÁVEZ JUÁREZ ING. MECATRÓNICA ING. IGNACIO VENTURA CRUZ. INTERFAZ DE MULTISIM La interfaz de usuario del software MULTISIM. Se puede observar en la figura 1.2, la cual contiene los siguientes elementos básicos: 1. Barra de menús. 2. Barra de herramientas de diseño 3. Barra de herramientas estándar. 4. Barra de herramientas principales. 5...

1579  Palabras | 7  Páginas

Diagramas. Circuito 1 Fritzing Multisim Teórica RT=R1+R2=270+100=370Ω IT=VRT=9v370Ω=24.324mA VR1=IT*R1=24.324mA270Ω=6.567V VR2=IT*R2=24.324mA100Ω=2.432V VT=VR1+VR2=6.567+2.432=8.999V Practico VT=8V VR1=5.81V VR2=2.15V RT=370Ω R1=269Ω R2=100Ω IT=21.3mA Circuito 2 Fritzing Multisim Teórica RT=R1*R2R1+R2=(100)(270)100+270=27000370=72.972Ω VR1=VR2=9v IT=VRT=9v72.972Ω=123.334mA IR1=VR1=9v100Ω=90mA IR2=VR2=9v270Ω=33.333mA IT=IR1+IR2=90mA+33...

613  Palabras | 3  Páginas

 El programa multisim es un programa muy útil en las carreras de ingeniería electrónica, mecatrónica y eléctrica que en base a este simulador podemos hacer las simulaciones de circuitos electrónicos que nos ayudan a comprender mejor el funcionamiento de cada componente y a su vez permite tener un mayor manejo de cada elemento para después llevarlo a la realidad y obtener un mejor resultado. Y teniendo claro que el objetivo principal de esta práctica es tener el manejo de este software y conocer...

813  Palabras | 4  Páginas

ANÁLISIS EN AC DE TRANSISTORES BJT Universidad de Cuenca Facultad de Ingeniería Escuela de Electrónica y Telecomunicaciones Milton Muñoz miltonho@hotmail.com 1. Objetivo General: Diseñar, Calcular, Simular e Implementar un amplificador empleando el análisis en DC (polarización), y AC (Análisis a pequeña señal). transistorizado, 2. Objetivos Específicos:       Realizar un análisis en dc y ac para el diseño de un amplificador transistorizado. Definir el punto de polarización óptimo para...

698  Palabras | 3  Páginas

| Tutorial Sobre Multisim. | Filtro y Modulación de Sonido. | | A continuación se presenta un pequeño Tutorial Sobre el desarrollo y comprobación de un filtro de paso banda espero sea de su agrado y comprensión. | Un pequeño tutorial sobre un filtro pasa bandas interactivo(MULTISIM). Para aquellos de ustedes interesados en diseño de filtro y modulación de sonido, he redactado este tutorial sobre el desarrollo y comprobación de un filtro de paso banda con unos ejemplos visuales y...

513  Palabras | 3  Páginas

Ministerio de Educación Instituto Técnico Don Bosco Uso del transitor NPN Por: César J. Madrid Profesor Javier Frago Nivel: 11° Índice: Introducción……………………………………………………………… P3 Contenido…………………………………………………………………P4-6 Bibliografía……………………………………………………………….P7 Introducción: Este trabajo trata del uso del transitor NPN como interruptor; Un transitor NPN es de unión bipolar, que es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente...

673  Palabras | 3  Páginas

Transitores UJT  El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otros transistores. Es un dispositivo de disparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unión PN Construcción Física Físicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N con conexiones eléctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexión hecha con un conductor de aluminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En...

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completamente saturados (activo) o en corte (desactivado) Los tipos de transistores utilizados en los circuitos electrónicos de potencia incluyen a los transistores de unión bipolar (BJT), y los unipolares que son los MOSFET y dispositivos híbridos como el transistor de unión bipolar de puerta aislada (IGBT) Transistor Bipolar (BJT) Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos diodos PN unidos en Sentido opuesto.(Emisor, Base y Colector). En función de la disposición de las uniones, existen...

977  Palabras | 4  Páginas

EL TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR BJT TRANSISTOR BJT BJT (Bipolar Junction Transistor) • Los transistores de unión bipolares, son dispositivos de estado sólido de tres terminales, núcleo de circuitos de conmutación y procesado de señal. • El transistor se ha convertido en el dispositivo más empleado en electrónica, a la vez que se han ido incrementando sus capacidades de manejar potencias y frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe desgaste por partes móviles). • Los transistores...

769  Palabras | 4  Páginas

controladores de corriente Parámetros h Otro modelo comúnmente usado para analizar los circuitos BJT es el modelo de parámetro h. Este modelo es un circuito equivalente a un transistor de unión bipolar y permite un fácil análisis del comportamiento del circuito, y puede ser usado para desarrollar modelos más exactos. Como se muestra, el término "x" en el modelo representa el terminal del BJT dependiendo de la topología usada. Para el modo emisor-común los varios símbolos de la imagen toman los...

1086  Palabras | 5  Páginas

Transistor BJT como amplificador Juan José padilla Mora Juanpadimo93@gmail.com Daniel José Rodriguez Mora Danieljoserm@gmail.com RESUMEN: En el siguiente informe de laboratorio se analizaran los resultados obtenidos tras realizar el experimento de transistor BJT como amplificador. Entre los objetivos principales de este experimento se tiene el dimensionado del circuito amplificador básico con un BJT. Se aprendió como calcular los valores de las 5 resistencias y los 3 capacitores(acople...

1456  Palabras | 6  Páginas

El Transistor de Unión Bipolar (BJT) El BJT (Bipolar Juction Transistor) es un dispositivo semiconductor de estado sólido formado por dos uniones PN muy cercanas entre sí en un solo cristal. Así, se puede formar por la unión de un material “p” entre dos “n” (BJT npn) o un material de tipo “n” entre dos “p” (BJT pnp). Esta característica permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. Es uno de los principales dispositivos que se utiliza para operaciones de amplificación...

757  Palabras | 4  Páginas

05/09/2011 BJT (Bipolar Junction Transistor) El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consta de dos capas de material tipo n y una capa tipo p o de dos capas de material tipo p y una capa tipo n n. Transistor de unión bipolar (BJT) BJT) Electrónica Analógica Felipe de Jesús Figueroa Del Prado BJT (Bipolar Junction Transistor) BJT (Bipolar Junction Transistor) Transistor de unión bipolar El término bipolar refleja el hecho de que huecos y q electrones participan...

713  Palabras | 3  Páginas

SANTIAGO MARIÑO CABIMAS EDO-ZULIA REALIZADO POR: 1) Transistor BJT (Definición) El transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es también conocido como transistor de unión. Como su nombre lo indica, es un dispositivo de tres terminales, dos uniones y doble polaridad. Está formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN y PNP, tal como muestra la figura 1. A cada capa se le asocia...

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Tema 4. Transistor Bipolar (BJT) Joaquín Vaquero López Electrónica, 2007 Joaquín Vaquero López 1 Transistor Bipolar (BJT): Índice 4.1) Introducción a los elementos de 3 terminales 4.2) Transistor Bipolar BJT (Bipolar Junction Transistor): Estructura. Efecto transistor. Circuito simple de un transistor. 4.3) Zonas de funcionamiento. Curvas características V-I. Polarización. Modelos. 4.4) Configuraciones. Emisor Común, Colector Común y Base común 4.5) Aplicaciones. Transistor...

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CONSTRUCCIÓN DE LA RECTA DE CARGA DE AC Y DC DE UN AMPLIFICADOR EN EC CON TRANSISTOR BJT SERGIO ANDRES PATIÑO 1160847, SHARON DARLING SANCHEZ 1160496, MARIA INES MEJIA 1160373 Universidad Francisco de Paula Santander Abstract--- En esta práctica se analizara el comportamiento del amplificador de emisor común a través de sus rectas de carga en ac y dc, utilizando los diferentes tipos de análisis disponibles con la herramienta de simulación ORCAD SPICE, los diferentes instrumentos...

856  Palabras | 4  Páginas

Problemas Adicionales. Capítulo 6: Amplificadores BJT Problemas Resueltos de Componentes y Circuitos Electrónicos. E. Figueres, M. Pascual, J.A. Martínez e I. Miró. SPUPV-2000.4175 Problema 6.3ver1 En el circuito de la figura 6.3.1, no se conoce el valor de RE1. Calcule RE1 para que la ganancia de tensión resulte –5. Nota: El transistor se encuentra polarizado en zona activa, con h fe = β = 100 y hie = 21,8kΩ . Solución: El circuito en alterna está representado en la figura 6.3.2bis...

1016  Palabras | 5  Páginas

señal armónica), Estas serán desfasadas, produciendo una señal de salida diferente a la de la entrada. La señal que tiene su frecuencia dentro de la banda pasante se desfasa 180°, pero la otra señal tiene un desfase diferente. Analisis De Frecuencia Bjt 1.1 RESPUESTA EN ALTA Y BAJA FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR La respuesta en frecuencia de un amplificador es una representación de su ganancia en función de la frecuencia. Como se muestra en la Figura 1.1, la ganancia de un amplificador en alterna...

650  Palabras | 3  Páginas

TRANSISTOR BJT i. Definición: Un transistor bipolar de unión (BJT, por sus siglas en ingles: Bipolar Junction Transistor) es un dispositivo semiconductor de tres terminales: emisor (E), colector (C) y base (B), dos uniones y doble polaridad. ii. Clasificación: Esta formado por la unión de material tipo P y tipo N a manera de capas, dando así la clasificación del BJT en NPN (dos capas de material tipo n y una capa tipo p) y PNP (dos capas de material tipo p y una tipo n). A cada...

1477  Palabras | 6  Páginas

TRANSISTOR JFTE TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO El FET es un dispositivo controlado por voltaje y no por corriente como lo es el transistor BJT. El control de esta corriente (IDS) se efectúa por medio de la aplicación de un voltaje de polarización inverso, aplicado entre la compuerta y el surtidor (VGS), formando un campo eléctrico el cual limita el paso de la corriente a través de Drenador y Source. Al aumentar el voltaje inverso, aplicado a la compuerta, aumenta el campo eléctrico, y la corriente...

1208  Palabras | 5  Páginas

EL TRANSISTOR BJT (TRANSISTOR DE UNION BI-POLAR, BIPOLAR JUNTION TRANSISTOR) Refrigeración – Módulo III, Submódulo I El Transistor BJT El transistor bipolar fue inventado en Diciembre de 1947 en el Bell Telephone Laboratories por John Bardeen y Walter Brattain bajo la dirección de William Shockley. La versión de unión, inventada por Shockley en 1948, fue durante tres décadas el dispositivo favorito en diseño de circuitos discretos e integrados. Hoy en día, el uso de BJT ha declinado en...

876  Palabras | 4  Páginas

Estos electrones en la base son llamados portadores minoritarios debido a que la base está dopada con material P, los cuales generan "huecos" como portadores mayoritarios en la base. El factor beta. Una forma de medir la eficiencia del BJT es a través de la proporción de electrones capaces de cruzar la base y alcanzar el colector. La ganancia de corriente emisor común está representada por F o por hfe. Esto es aproximadamente la tasa de corriente continua de colector a la corriente continua...

702  Palabras | 3  Páginas

TRANSISTOR BJT - PUNTOS DE TRABAJO Universidad Distrital Francisco José de Caldas Resumen: Este trabajo contiene cierta información referente al transistor 2N2222, aplicaciones, manejo y el transcurso desde su creación hasta nuestros dias, los cuales a lo largo del tiempo nos ha facilitado ciertos aspectos en nuestra vida cotidiana. Palabras claves: Transistor, polarización, configuración, puntos de trabajo, saturación. INTRODUCCION: El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas...

1010  Palabras | 5  Páginas

http://www.tech-faq.com/wp-content/uploads/images/integrated-circuit-layout.jpg IEEE 125 Aniversary: http://www.flickr.com/photos/ieee125/with/2809342254/ 1 TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN 1. Introducción 2. Circuitos en conmutación con BJT. 3. Circuitos en conmutación con MOSFET. 1. Etapa inversora MOSFET 2. Etapa CMOS 3. Etapa inversora MOS de carga integrada María Jesús Martín Martínez : mjmm@usal.es 2 TEMA 5. CIRCUITOS EN CONMUTACIÓN  Hasta ahora, los circuitos...

1203  Palabras | 5  Páginas

Si la corriente de base es muy alta, el transistor puede estropearse, por eso, la base del transistor debe protegerse siempre con una resistencia de una valor alto. Véase anexo III. Tipos de transistores bipolares Existen 2 tipos de transistores BJT. Las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor, si se tiene duda sobre lo que significa dopaje y materiales de dopaje tipo “P” y “N”, revise el glosario. NPN La mayoría de...

780  Palabras | 4  Páginas

integrados de uso común en la industria, en donde el entender el comportamiento de estos elementos es indispensable para su funcionamiento y comportamiento bajo diferentes condiciones de operación. Marco Teórico El transistor de juntura bipolar (BJT), elemento activo, tiene tres zonas de dopado: emisor, base y colector, dependiendo del tipo de dopado se clasifican en transistores npn o pnp. Se puede decir que estos elementos están formados por dos uniones pn, una entre emisor y base y la otra entre...

1590  Palabras | 7  Páginas

• El transistor de unión bipolar (del inglés bipolar junction transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrónico de estado sólido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite controlar el paso de la corriente a través de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de aplicaciones; pero tienen...

979  Palabras | 4  Páginas

http://www.informania.com.ar/tema6/Paginas/Pagina0.htm BJT Regiones operativas y configuraciones El transistor bipolar es el más común de los transistores, y como los diodos, puede ser de germanio o silicio. Existen dos tipos transistores: el NPN y el PNP, y la dirección del flujo de la corriente en cada caso, lo indica la flecha que se ve en el gráfico de cada tipo de transistor. El transistor es un dispositivo de 3 patillas con los siguientes nombres: base (B), colector (C) y emisor...

841  Palabras | 4  Páginas

Electrónica Plan de Estudios de Ingeniería Electromecánica Laboratorio de Electrónica I Práctica Nº 4: “Configuraciones Básicas de Amplificación con Transistores BJT” OBJETIVOS 1. Evaluar e interpretar características fundamentales de transistores BJT. 2. Obtener la ganancia del circuito a partir del modelo en pequeña señal del transistor BJT. 3. Observar como varían los parámetros del modelo en pequeña señal en función del punto de polarización. 4. Verificar como el punto Q establece el manejo...

1351  Palabras | 6  Páginas

Podemos clasificar los transistores en 2 grandes grupos: BJT y FET. - BJT (de unión dipolar) Están formados por dos uniones pn y constan de 3 terminales (colector, base y emisor), que se corresponden con las tres zonas de material semiconductor. Por el emisor entra un flujo de portadores que a través de la base llega al colector (los sentidos de la corriente están indicados en la figura). Los transistores bipolares se suelen usar en configuraciones de emisor común, para poder controlar la...

677  Palabras | 3  Páginas

E p n p B •Tiene dos uniones: Emisor-Base y Colector-Base •Tiene 3 modos de operación: Corte, Saturación y Activo. Modo Unión E-B Unión C-B Corte Inverso Inverso Activo Directo Inverso Saturación Directo Directo C Transistores BJT en modo activo E n p B n C IC=IS(eVBE/VT) IB=IC/ IE=IC+IB=IC/ •En este modo la corriente de colector es determinada por la ecuación anterior. •La corriente de base es una fracción de la corriente de colector •El valor de  es típico de 100 a...

663  Palabras | 3  Páginas

DESARROLLO……………………………………………… 7 DATOS EXPERIMENTALES Y DATOS CALCULADOS …………………………………. 9 ANÁLISIS DE RESULTADOS …………………………….. 12 BLICLIOGRAFIA……………………………………………..15 i RESUMEN En esta práctica se mira básicamente Análisis de circuitos utilizando multisim ya que es una herramienta esencial para hacer modelos complejos y sencillos. Teoría que es básicamente elementar para poder comprender y analizar con más detalle los circuitos y saber como poder calcular las corrientes dependientes de voltaje o de...

1572  Palabras | 7  Páginas

RESPUESTA FRECUENCIAL Modelo BJT de alta frecuencia Cπ=Cje+Cde V 1- BE V0e C I Cde = C τF VT Cje = Cje0 m B rb ib + vbe rπ - Capacidad de unión entre base y emisor Cµ Cπ r0 ic gmvbe Capacidad de difusión de base ie E Cjc = Cjc0 Cµ=Cjc m V 1- CB V0c Capacidad de unión entre base y colector tecnun RESPUESTA FRECUENCIAL Modelo MOS de alta frecuencia G ig + vgs - Cgd Cgs is gmvgs r0 gmbvbs id D Cbg Csb B S Cdb tecnun RESPUESTA...

554  Palabras | 3  Páginas

INGENIERIA ESCUELA DE ELECTRONICA CÁTEDRA: LABORATORIO ELECTRONICA 2 SECCIÓN: H-713 AMPLIFICADOR CON BJT EN EMISOR COMÚN PRESENTA DO POR: Br. DAVILA, ZULMA. Br. ESCALONA, EDDY Maracaibo, Septiembre de 2013 Introducción En esta práctica profundizamos en el conocimiento de la amplificación en general y del amplificador de una etapa formado por un BJT en emisor común, en particular mediremos el punto de operación, las impedancias de entrada y salida, los márgenes...

1080  Palabras | 5  Páginas

Circuitos Amplificador BJT Juan Nicolas Ibañez Rodriguez, Cristian Jerez, Stevan Vargas Electronica 2 ,Universidad Cooperativa de Colombia. Bogota, Colombia Nicolas.ibañez@campusucc.edu.co RESUMEN: Este informe quiere proyectar la experiencia adquirida por nosotros en el análisis de circuitos amplificadores en baja señal, teniendo como referencia tres puntos diferentes tales como los datos matemáticos calculados por nosotros, la simulación en ORCAD y la practica en el laboratorio, buscando conclusiones...

1130  Palabras | 5  Páginas

UNIVEPRÁCTICA 4RSIDAD POLITÉCNICA SALASIANA TEMA: EL BJT COMO INTERRUPTOR (EN CONMUTACIÓN) NOMBRE: BYRON PARRA FECHA: 25/10/2011 ANEXO SIMULACIÓN TRANSISTORES EN CIRCUITOS DE CONMUTACIÓN Muchas veces se presenta la difícil situación de manejar corrientes o tensiones más grandes que las que entrega un circuito digital, y entonces nos disponemos al uso de transistores, el tema es hacer que estos trabajen en modo corte y saturación sin estados intermedios, es decir que cambien su estado...

590  Palabras | 3  Páginas

DE INGENIERIA MECANICA CENTRO DE DESARROLLO E INVESTIGACION DE MECATRONICA TRANSISTOR BJT Un transistor de unión es un componente semiconductor que puede estar constituido por cristales de Germanio o de Silicio. Tienen 3 capas de dopados, 2 uniones (J1 J2) y tres terminales cuya agrupación da lugar a 2 tipos de transistores según la disposición de las capas. Transistor bipolar, de unión o BJT es lo mismo. Transistor PNP Transistor NPN Simbología Si el transistor tiene la capa...

1583  Palabras | 7  Páginas

del BJT * Ganancias de voltaje, alpha y beta * Modos de operación * Punto de operación * Modos de conexión del transistor * Laboratorios: * Transistor PNP * BJT Amplificador Clase A * BJT Amplificador Colector Común * Trabajo especial: Transistores BJT, FET y MOSFET En resumen el capítulo 17 del libro de texto. Iniciamos con el tema de hoy. Un transistor en configuración de colector común se ve como el siguiente circuito. Parece un BJT conectado...

1196  Palabras | 5  Páginas

dispositivos semiconductores de potencia Transistores BJT M.C. Geovanny Giorgana Unimayab 19 de febrero de 2013 Transistores bipolares Un transistor bipolar tiene tres terminales, colector, emisor y base. En un transistor bipolar encontramos dos uniones: la uni´n o colector-base (CBJ) y la uni´n base-emisor (BEJ). o (a) Transistor NPN (b) Transistor PNP Figura 1: Transistores bipolares. Modos de operaci´n de un BJT o Modo Corte Activa Saturaci´n o Uni´n o emisor-base ...

979  Palabras | 4  Páginas

Augusto Miranda Transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) . Alumno: Maaaaaaaaariguana Introducción Los semiconductores vinieron a revolucionar el modo de automatizar procesos y de pensar nuevas formas de hacer las cosas, uno de sus emblemas más conocidos si es el que más es el transistor. El presente trabajo explica la forma de operar y aplicabilidad de los transistores de unión bipolar o como se conocen por sus siglas en ingles Transistores BJT. Transistores Los transistores...

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Transistores BJT: Analisis DC: 1. Ic=Ie 2. Vth= Rb2*VccRb1+Rb2 3. Rth=Rb1 ∥Rb2 4. IRe= Vth-0.7Re 5. Vce=Vcc-IcRe+Rc Modelos del Transistor en Pequeña Señal: * B C Modelo H.- E 1. Ic=hfe*Ib 2. hfe=hFE= β 3. hie= hfe*VtIc 4. Vt=25m v * C Modelo Π o Giacoleto.- E 1. rΠ=hie 2. Gm= IcVt 3. Vt=25m v * C Modelo T.- B E 1. Ic=α*Ie 2. α= hfehfe+1 3. Re=VtIe 4. Vt=25mv Análisis AC: Configuraciones Básicas: ...

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