1.6- Transistor de efecto de campo (FET)

1.6- Transistor de efecto de campo (FET)

Los transistores de efecto de campo o FET (Field Effect Transistor) son particularmente interesantes en circuitos integrados y pueden ser de dostipos: transistor de efecto de campo de unión o JFET y transistor de efecto de campo metal-óxido semiconductor (MOSFET).

Son dispositivos controlados por tensión con una alta impedanciade entrada (1012 ohmios).

Ambos dispositivos se utilizan en circuitos digitales y analógicos como amplificador o como conmutador. Sus caracterísitcas eléctricas son similares aunque sutecnología y estructura física son totalmente diferentes.
Ventajas del FET

1) Son dispositivos controlados por tensión con una impedancia de entrada muy elevada (107 a 1012 ohmios).
2) LosFET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
3) Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
4) Los FET son más fáciles de fabricar que los BJT pues precisan menos pasos ypermiten integrar más dispositivos en un CI.
5) Los FET se comportan como resistencias controlados por tensión para valores pequeños de tensión drenaje-fuente.
6) La alta impedancia deentrada de los FET les permite retener carga el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos de almacenamiento.
7) Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor yconmutar corrientes grandes.

Desventajas que limitan la utilización de los FET

1) Los FET presentan una respuesta en frecuencia pobre debido a la alta capacidad de entrada.
2) Los FETpresentan una linealidad muy pobre, y en general son menos lineales que los BJT.
3) Los FET se pueden dañar debido a la electricidad estática.
En este apartado se estudiarán brevemente lascaracterísticas de ambos dispositivos orientadas principalmente a sus aplicaciones analógicas.

Enlaces relacionados
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