biografia de inventores de os transistores
Páginas: 4 (840 palabras)
Publicado: 28 de mayo de 2014
BIOGRAFIA DE WILLIAM BRADFORD. SHOCKLEY
(Londres, 1910 - Palo Alto, 1989) Físico norteamericano. Se doctoró en la Universidad de California. En 1936 ingresó en los laboratorios de Murray Hill, dela empresa Bell Telephone Company, dirigió el proyecto sobre la defensa submarina de los EEUU y prestó servicio a su nación, como asesor del servicio del secretario de la Guerra, en 1945.
En1953, al finalizar la guerra, fue nombrado director del departamento de Transistores de la citada empresa.
Colaboró con Bardeen y Brattain en la construcción de aparatos semiconductores que desplazarana los tubos de vacío.
Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su efecto de la trazas de impurezascontenidas en los mismos.
Mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el transmisor de contactopuntual.
Poco después, Shockley construyó el transistor de unión, que usaba una unión entre dos partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio.
Tales semiconductores de estadosólido tienen la virtud de rectificar y amplificar la corriente que circula a través de ellos.
Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización de loscircuitos de radio, televisión, y de los equipos de ordenadores.
Recibió el premio Nobel de Física por sus investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor. El premio locompartió con John Bardeen y Walter Houser Brattain.
BIOGRAFIA DE JOHN BARDEEN
(Madison, EE UU, 1908-Boston, id., 1991) Físico estadounidense. Galardonado en dos ocasiones con el PremioNobel de Física, en 1956 y 1972, el suyo constituye un caso excepcional en el mundo de la ciencia moderna.
Compartió su primer premio con William B. Shockley y Walter H. Brattain, por la invención...
(Londres, 1910 - Palo Alto, 1989) Físico norteamericano. Se doctoró en la Universidad de California. En 1936 ingresó en los laboratorios de Murray Hill, dela empresa Bell Telephone Company, dirigió el proyecto sobre la defensa submarina de los EEUU y prestó servicio a su nación, como asesor del servicio del secretario de la Guerra, en 1945.
En1953, al finalizar la guerra, fue nombrado director del departamento de Transistores de la citada empresa.
Colaboró con Bardeen y Brattain en la construcción de aparatos semiconductores que desplazarana los tubos de vacío.
Con sus trabajos demostraron que los cristales de germanio eran mejores rectificadores que los utilizados hasta la fecha, dependiendo su efecto de la trazas de impurezascontenidas en los mismos.
Mediante el empleo de un rectificador de germanio, con contactos metálicos que incluían una aguja en conexión con el cristal, el equipo inventó el transmisor de contactopuntual.
Poco después, Shockley construyó el transistor de unión, que usaba una unión entre dos partes, tratadas de modo diferente, de un cristal de silicio.
Tales semiconductores de estadosólido tienen la virtud de rectificar y amplificar la corriente que circula a través de ellos.
Gracias a estos aparatos pequeños y muy fiables se abrió camino hacia la miniaturización de loscircuitos de radio, televisión, y de los equipos de ordenadores.
Recibió el premio Nobel de Física por sus investigaciones de los semiconductores y el descubrimiento del efecto transistor. El premio locompartió con John Bardeen y Walter Houser Brattain.
BIOGRAFIA DE JOHN BARDEEN
(Madison, EE UU, 1908-Boston, id., 1991) Físico estadounidense. Galardonado en dos ocasiones con el PremioNobel de Física, en 1956 y 1972, el suyo constituye un caso excepcional en el mundo de la ciencia moderna.
Compartió su primer premio con William B. Shockley y Walter H. Brattain, por la invención...
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