Bjt En Baja frecuEncia
Páginas: 4 (979 palabras)
Publicado: 12 de abril de 2012
1. Detalle las condiciones para los que un BJT y/o FET puede operar en baja frecuencia.
El análisis del transistor como amplificador se hace bajo condiciones donde se encuentra linealidad entrelas características de la señal de entrada y la de salida. Estas son la de tener pequeña amplitud y baja frecuencia; es decir cuando la entrada es menor de los 25mV y utilizando frecuencias en labanda de audio-frecuencia que es de 100Hz a 10Khz, pudiendo abarcar alta fidelidad hasta 30 Khz y ultra sonido hasta los 100 Khz
Pasada esta frecuencia, entra a consideración las capacidades internas deldispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que con el efecto MILLER forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por los efectos sobre sintonización de señales, que enesos casos son moduladas.
Para estos análisis se utilizan los parámetros híbridos de los cuadripolos, para representar un equivalente del transistor y formar una malla aislada de una malla de salida,utilizando el concepto de fuentes dependientes.
La ganancia del amplificador permanece casi cte. Sobre la banda de frecuencia media. Decrece a altas frecuencias donde los condensadores del modulo deltransistor ya no tienen reactancias muy altas. Para amplificadores de c.a. la ganancia decrece también a bajas frecuencias porque los condensadores de acoplamiento y derivación ya no tienenreactancias muy bajas.
El diseñador del amplificador suele estar particularmente interesado en la parte de banda de baja frecuencia que esta cerca del centro de la banda. Esto es porque el diseñador necesitaestimar y modificar si es necesario el valor de la frecuencia inferior ωL de 3db.
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, describa la ecuación dIc2 /dT tal que Ic2 = f ( ICBO ,VBE ) y considerando que los BJT son de silicio.
De la figura se observa:
Sabemos las ecuaciones de corrientes en el transistor:
De (2) y (3) obtenemos:
De (2) y (5) en la ecuación (1),...
El análisis del transistor como amplificador se hace bajo condiciones donde se encuentra linealidad entrelas características de la señal de entrada y la de salida. Estas son la de tener pequeña amplitud y baja frecuencia; es decir cuando la entrada es menor de los 25mV y utilizando frecuencias en labanda de audio-frecuencia que es de 100Hz a 10Khz, pudiendo abarcar alta fidelidad hasta 30 Khz y ultra sonido hasta los 100 Khz
Pasada esta frecuencia, entra a consideración las capacidades internas deldispositivo como la capacidad de la juntura BE y BC, que con el efecto MILLER forman una dependencia con las altas frecuencias muy limitantes por los efectos sobre sintonización de señales, que enesos casos son moduladas.
Para estos análisis se utilizan los parámetros híbridos de los cuadripolos, para representar un equivalente del transistor y formar una malla aislada de una malla de salida,utilizando el concepto de fuentes dependientes.
La ganancia del amplificador permanece casi cte. Sobre la banda de frecuencia media. Decrece a altas frecuencias donde los condensadores del modulo deltransistor ya no tienen reactancias muy altas. Para amplificadores de c.a. la ganancia decrece también a bajas frecuencias porque los condensadores de acoplamiento y derivación ya no tienenreactancias muy bajas.
El diseñador del amplificador suele estar particularmente interesado en la parte de banda de baja frecuencia que esta cerca del centro de la banda. Esto es porque el diseñador necesitaestimar y modificar si es necesario el valor de la frecuencia inferior ωL de 3db.
2. Para la primera etapa Q1-Q2 del circuito en estudio, describa la ecuación dIc2 /dT tal que Ic2 = f ( ICBO ,VBE ) y considerando que los BJT son de silicio.
De la figura se observa:
Sabemos las ecuaciones de corrientes en el transistor:
De (2) y (3) obtenemos:
De (2) y (5) en la ecuación (1),...
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