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CIRCUITOS DE DISPARO
Circuitos de disparo sin aislamiento
El circuito de disparo es una parte integral de un convertidor de potencia, y consiste en dispositivos
semiconductores de potencia. Las salidas de un convertidor que depende de la forma de onda en
que el circuito de disparo se excita a los dispositivos de conmutación es una función directa de la
conmutación por consiguiente, lascaracterísticas del circuito de disparo son elementos clave para
obtener la salida deseada y los requisitos de control de cualquier convertidor de potencia. El diseño
de un circuito excitador requiere conocer las características de compuerta y las necesidades de
dispositivos como tiristores apagados por compuerta (GTO), transistores bipolares de unión (BJT),
transistores de efecto de campometal-oxido semiconductor (MOSFET) y transistores bipolares de
compuerta aislada (IGBT).
EXCITADOR DE COMPUERTA PARA MOSFET
Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje y tienen una impedancia de entrada muy alta.
La compuerta consume una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los nanoamperes. El
tiempo de encendido de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de entrada ode compuerta. El tiempo de encendido se puede reducir conectando un circuito RC como se ve en
la figura, para cargar con mayor rapidez la capacitancia de compuerta.

Cuando se conecta un voltaje a la compuerta, la corriente inicial de carga de la capacitancia es
IG = V G / R S
y el valor de estado permanente de voltaje de compuerta es

VGS = RGVG / (RS + R1 + RG)
donde RS es laresistencia interna de la fuente que excita la compuerta.
EXCITADOR DE BASE PARA BJT
La velocidad de conmutación se puede aumentar reduciendo el tiempo de activación, encendido, y
el tiempo de desactivación, apagado. Se puede reducir el tiempo de encendido permitiendo un pico
de la corriente de base durante la activación, dando como resultado una B forzada baja al principio.
Después de la activaciónpuede aumentar la B forzada baja hasta un valor suficientemente alto
como para mantener el transistor en la región de casi saturación. El tiempo de desactivación se
puede reducir invirtiendo la corriente de base y permitiendo un pico de la corriente de base durante
la activación. Al aumentar el valor del voltaje de pico de la corriente inversa IB2 disminuye el tiempo
de almacenamiento. En lasiguiente figura se muestra una forma de onda típica de la corriente de
base.

Aparte de una forma fija de corriente de base, como se muestra en la figura anterior, la B forzada
Bf se puede controlar en forma continua para que coincida con las variaciones de corriente del
colector. Las técnicas de uso común para optimizar la activación de la base de un transistor son:

1)
2)
3)
4)Control
Control
Control
Control

de encendido
de apagado
proporcional en base
por antisaturación

Control de encendido
La corrección de la corriente de base se puede proporcionar con el circuito de la figura. Cuando se
conecta el voltaje de entrada, la corriente de base se limita con el resistor R1 y el valor inicial de
esa corriente es:
IB= (VI - VBE)/R1
Y el valor final de la corrientede base es:
IBS= (VI - VBE)/R1 + R2

Control de apagado
Si el voltaje de entrada de la figura se cambia a –V2 durante el apagado, el VC se suma a V2 como
el voltaje inverso a través del transistor. Por lo tanto, habrá un pico de la corriente de base durante
el apagado.
Control proporcional en base.
Si la corriente del colector cambia debido a un cambio en la demanda de carga, la corrientede
encendido de la base cambia en proporción a la corriente del colector.

Control de saturación
Si el transistor se excita muy rápido, el tiempo de almacenamiento que es proporcional a la
corriente de base, aumenta, y se reduce la velocidad de conmutación. Se puede reducir el tiempo
de almacenamiento operando el transistor con una saturación gradual, en lugar de muy rápida.

Esto se...