Cuestionario Fisica Iv Unidad Ii

MATERIA: FISICA IV CUESTIONARIO UNIDAD 2 “DIODOS PN”
Conteste correctamente cada una de las preguntas.

1.-Explique concretamente la formación de la barrera de potencial deun diodo PN.
2.- Dibuje el circuito equivalente de un diodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
3.- Enumere los pasos que se aplican para determinar el voltaje del diodo,aplicando la curva característica e indica gráficamente cada paso.
4.- Describa con sus propias palabras que es la resistencia estática o a cd interna de un diodo PN.
5.- Exponga 2 razones del porqué los diodos de silicio son más empleados en electrónica que los de germanio.
6.- Exprese que significa para usted la curva característica de V – I de un diodo.
7.- Cuanto vale el valor de lacorriente de saturación inversa de un diodo de silicio a temperatura de 86°c, si la Is = 40pAmp. y se duplica cada 7°c arriba de la temperatura ambiente.
8.- Dibuje el circuito equivalente de undiodo e indique el nombre de todos los parámetros que la componen.
9.- Cuanto vale el voltaje de la barrera de un diodo que posee las características siguientes:Nd = 1 x 108 at/Cm³, Na = 1 x 106 at/Cm³ y Nv = 4.4 x 1022 at/Cm³
10.- Calcular la corriente, la tensión y la potencia en la carga, asícomo la potencia del diodo y la potencia total para el circuito de la figura. Hacerlo utilizando los tres tipos de aproximaciones que existen.
Si el diodo se sustituye por una fuente de voltajeigual a 0.7v y
una resistencia interna de 0.23Ω

11-12,.- Aplicando la ecuación del diodo, determinar el valor del voltaje a través del diodo del circuito indicado.RL = 2KΩ

Silicio...