Diodo Gunn

REPÚBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD RAFAEL BELLOSO CHACÍN
FACULTAD DE INGIENERIA
ESCUELA DE ELECTRONICA
CATEDRA: MICROONDAS
SECCION: H911

INTEGRADO POR:
Guillermo Cedeño
Freddy Ramirez
Deidiana Inciarte

Maracaibo, Abril de 2014

Fue descubierto por Gunn en 1963. El dispositivo
recibe su nombre del científico británico, nacido
en Egipto, John Battiscombe Gunn quienprodujo
el primero de estos diodos basado en los cálculos
teóricos del profesor y científico británico Cyril
Hilsum.
Este diodo tiene características muy diferentes a otros diodos, ya que no es
rectificador. Se trata de un generador de microondas, formado por un
semiconductor de dos terminales que utiliza el llamado efecto Gunn.
Cuando se aplica entre ánodo y cátodo una tensión continua de 7V, de
modo que el ánodo sea positivo con respecto al cátodo, la corriente que
circula por el diodo es continua pero con unos impulsos superpuestos de
hiperfrecuencia que pueden ser utilizados para inducir oscilaciones en una
cavidad resonante. De hecho, la emisión de microondas se produce
cuando las zonas de campo eléctrico elevado se desplazan del ánodo al
cátodo y del cátodo al ánodo en unconstante viaje rapidísimo entre
ambas zonas, lo que determina la frecuencia en los impulsos.



Es una forma de diodo usado en la electrónica de
alta frecuencia. A diferencia de los diodos
ordinarios construidos con regiones de dopaje P o
N, solamente tiene regiones del tipo N, razón por lo
que impropiamente se le conoce como diodo.
Existen en este dispositivo tres regiones; dos deellas tienen regiones tipo N fuertemente dopadas
y una delgada región intermedia de material
ligeramente dopado. Cuando se aplica un voltaje
determinado a través de sus terminales, en la zona
intermedia el gradiente eléctrico es mayor que en
los extremos. Finalmente esta zona empieza a
conducir esto significa que este diodo presenta
una zona de resistencia negativa.

 La frecuencia dela oscilación obtenida a partir
de este efecto, es determinada parcialmente por
las propiedades de la capa o zona intermedia del
diodo, pero también puede ser ajustada
exteriormente. Los diodos Gunn son usados para
construir osciladores en el rango de frecuencias
comprendido entre los 10 Gigahertz y frecuencias
aún más altas (hasta Terahertz). Este diodo se usa
en combinación con circuitosresonantes
construidos con guías de ondas, cavidades
coaxiales y resonadores YIG (monocristal de
granate Itrio y hierro, Yttrium Iron Garnet por sus
siglas en inglés) y la sintonización es realizada
mediante ajustes mecánicos, excepto en el caso
de los resonadores YIG en los cuales los ajustes
son eléctricos.
 Los diodos Gunn suelen fabricarse de arseniuro
de galio para osciladores dehasta 200 GHz,
mientras que los de Nitruro de Galio pueden
alcanzar los 3 Terahertz.





Este efecto es un instrumento eficaz para
la generación de oscilaciones en el
rango de las microondas en los
materiales semiconductores. Gunn
observó esta característica en el
Arseniuro de Galio (GaAs) y el Fosfuro de
Indio (InP).
El efecto Gunn es una propiedad del
cuerpo de lossemiconductores y no
depende de la unión misma, ni de los
contactos, tampoco depende de los
valores de tensión y corriente y no es
afectado por campos magnéticos.



Cuando se aplica una pequeña tensión continua a
través de una placa delgada de Arseniuro de Galio
(GaAs), ésta presenta características de resistencia
negativa. Todo esto ocurre bajo la condición de que la
tensión aplicada a laplaca sea mayor a los 3,3
voltios/cm. Si dicha placa es conectada a una cavidad
resonante, se producirán oscilaciones y todo el
conjunto se puede utilizar como oscilador.



Este efecto sólo se da en materiales tipo N (material
con exceso de electrones) y las oscilaciones se dan sólo
cuando existe un campo eléctrico. Estas oscilaciones
corresponden aproximadamente al tiempo que los...