EPII

PROFESORA: M.Sc. Ing. Madelín Lima Alvarez

ASIGNATURA: Electrónica de Potencia II.

Actividad Docente # 1.

Conferencia # 1.

Tema I. FUNDAMENTOS DE LA ELECTRONICA DE POTENCIA II.
Título: El Transistor de Potencia
Objetivos de la clase:
1. Introducir a la asignatura
2. Caracterizar el comportamiento del transistor en régimen de conmutación.
Sumario:
1.1.
1.2.
1.3.
1.4.
1.5.

Introducción a laasignatura
Características principales de los transistores bipolares.
El transistor de potencia.
El transistor en régimen de conmutación.
Efecto producido por carga inductiva. Protecciones.

DESARROLLO:
1.1.

Introducción a la asignatura.

Esta asignatura es continuación de la Electrónica de Potencia I donde se estudiaron los convertidores AC-CD
y CA-CA. En este semestre se estudiarán losconvertidores CD-CD y CD-CA y para ello necesitamos
recordar el funcionamiento en régimen de conmutación de algunos dispositivos ya estudiados.
Objetivos de la asignatura:
1.
2.
3.

Seleccionar y utilizar los principales componentes empleados en los Convertidores de apagado forzado.
Calcular esquemas de Convertidores CD/CD.
Calcular esquemas de Inversores.

La asignatura se divide en 3 Temas:
Tema I:Fundamentos básicos de la EP II.
Tema II: Convertidores CD-CD.
Tema III: Convertidores CA-CA.
Disposición de tiempo de la asignatura por tipo de actividad
TIPO ACTIVIDAD
TOT DE HORAS

CONFERENCIAS

CLASE PRÁCT.

16

12

LABORAT EVALUACIÓN

6

6

SEMINARIOS

8

TOTAL

48

La asignatura no tiene examen final por lo que la evaluación dependerá de las evaluaciones frecuentes en
clases, los Trabajos deControl Parcial, los seminarios y los laboratorios. Para alcanzar el aprobado deberá
aprobar el 66% de los TCP (2), el 66% de los laboratorios y el 66% de los seminarios.
La bibliografía a utilizar es la siguiente
Como textos básicos deben recibir en el módulo:

1

PROFESORA: M.Sc. Ing. Madelín Lima Alvarez

ASIGNATURA: Electrónica de Potencia II.

1. Electrónica de Potencia. Circuitos, Dispositivos yAplicaciones. Muhammad H. Rashid. 2da Edic.
2. Power Electronic. Converter, applications, and design. N. Mohan. New York, Jhon Wiley and Song,
1995.
También pueden consultar las conferencias del profesor y notas de clase, así como los libros y materiales
complementarios del FTP.
1.2.

Características principales de los Transistores Bipolar.
Los antecesores del transistor fueron las válvulas devacío. El primer transistor fue
presentando el 23 de diciembre de 1947 por un equipo de físicos de los laboratorios
Bell Telephone (William Shockley , John Bardeen and Walter Brattain)1
Un BJT consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la región del emisor, la
región de la base y la región del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P,
tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P,y tipo N en un transistor NPN. Cada
región del semiconductor está conectada a un terminal, denominado emisor (E), base
(B) o colector (C), según corresponda.

Figura 1.1. Transistor NPN

Transistor PNP.

BJT puede trabajar en 3 regiones. La figura 1.2 muestra la característica v-i donde se representan a las
mismas.

Figura 1.2. Característica v-i del BJT
Región activa:
IE = (β + 1)·IB;

IC= β·IB2

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PROFESORA: M.Sc. Ing. Madelín Lima Alvarez

Cuando un transistor no está ni en su región de saturación ni en la región de corte entonces está en una región
intermedia, la región activa. En esta región la corriente de colector (IC) depende principalmente de la
corriente de base (IB), de β (ganancia de corriente) y de las resistencias que se encuentrenconectadas en el
colector y emisor. Esta región es la más importante si lo que se desea es utilizar el transistor como un
amplificador de señal.
En los transistores de potencia no vamos a trabajar en esta zona, ya que las pérdidas que tendríamos serían
grandes, así como el calentamiento que sufrirá el transistor, debido a que en esta zona trabajaríamos tanto
como corrientes elevadas como con...