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MEMORIA EPROM
EPROM son las siglas de Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable borrable). Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formada por celdas de FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1 (por eso, una EPROM sin grabar selee como FF en todas sus celdas). Se programan mediante un dispositivo electrónico que proporciona voltajes superiores a los normalmente utilizados en los circuitos electrónicos. Las celdas que reciben carga se leen entonces como un 0.
Una EPROM programada retiene sus datos durante diez o veinte años, y se puede leer un número ilimitado de veces. Para evitar el borrado accidental por la luz delsol, la ventana de borrado debe permanecer cubierta.
Las EPROM pueden venir en diferentes tamaños y capacidades. Así, para la familia 2700 se pueden encontrar:
Tipo de EPROM | Tamaño — bits | Tamaño — Bytes | Longitud (hex) | Última dirección (hex) |
1702, 1702A | 2 Kbits | 256 | 100 | 000FF |
2704 | 4 Kbits | 512 | 200 | 001FF |
2708 | 8 Kbits | 1 KBytes | 400 | 003FF |
2716, 27C16 | 16Kbits | 2 KBytes | 800 | 007FF |
***2732, 27C32*** | 32 Kbits | 4 KBytes | 1000 | 00FFF |
2764, 27C64 | 64 Kbits | 8 KBytes | 2000 | 01FFF |
27128, 27C128 | 128 Kbits | 16 KBytes | 4000 | 03FFF |
27256, 27C256 | 256 Kbits | 32 KBytes | 8000 | 07FFF |
27512, 27C512 | 512 Kbits | 64 KBytes | 10000 | 0FFFF |
27C010, 27C100 | 1 Mbits | 128 KBytes | 20000 | 1FFFF |
27C020 | 2 Mbits | 256KBytes | 40000 | 3FFFF |
27C040 | 4 Mbits | 512 KBytes | 80000 | 7FFFF |
27C080 | 8 Mbits | 1 MBytes | 100000 | FFFFF |

Funcionamiento de una EPROM
Recordemos que son memorias de acceso aleatorio, generalmente leídas y eventualmente borradas y reescritas.
Una vez grabada una EPROM con la información pertinente, por medio de un dispositivo especial, la misma es instalada en el sistemacorrespondiente donde efectivamente será utilizada como dispositivo de lectura solamente. Eventualmente, ante la necesidad de realizar alguna modificación en la información contenida o bien para ser utilizada en otra aplicación, la EPROM es retirada del sistema, borrada mediante la exposición a luz ultravioleta con una longitud de onda de 2537 Angstroms (unidad de longitud por la cual 1 A = 10-10 m),programada con los nuevos datos, y vuelta a instalar para volver a comportarse como una memoria de lectura solamente. Por esa exposición para su borrado es que es encapsulada con una ventana transparente de cuarzo sobre la pastilla o "die" de la EPROM.
Es atinente aclarar que una EPROM no puede ser borrada parcial o selectivamente; de ahí que por más pequeña que fuese la eventual modificación arealizar en su contenido, inevitablemente se deberá borrar y reprogramar en su totalidad.
Las EPROMs almacenan bits de datos en celdas formadas a partir de transistores FAMOS (Floating Gate Avalanche-Injection Metal-Oxide Semiconductor) de cargas almacenadas.
La cantidad de carga eléctrica almacenada sobre la compuerta flotante determina que el bit de la celda contenga un 1 o un 0; las celdascargadas son leídas como un 0, mientras que las que no lo están son leídas como un 1. Tal como las EPROMs salen de la fábrica, todas las celdas se encuentran descargadas, por lo cual el bit asociado es un 1; de ahí que una EPROM virgen presente el valor hexadecimal FF en todas sus direcciones.
Cuando un dado bit de una celda debe ser cambiado o programado de un 1 a un 0, se hace pasar una corrientea través del canal de transistor desde la fuente hacia la compuerta (obviamente, los electrones siguen el camino inverso). Al mismo tiempo se aplica una relativamente alta tensión sobre la compuerta superior o de control del transistor, creándose de esta manera un campo eléctrico fuerte dentro de las capas del material semiconductor.
Ante la presencia de este campo eléctrico fuerte, algunos de...