Fisica de Semiconductores

Páginas: 8 (1857 palabras) Publicado: 8 de julio de 2013
MATERIA: FISICA DE SEMICONDUCTORES CUESTIONARIO UNIDAD 1
1.- ¿Por qué es importante la distribución de electrones en la última orbita de un átomo?
Porque así se determinan las propiedades y características del material, elemento con el cual se esté realizando una acción.
2.-Defina que es una celda unitaria:
Una celda unitaria es la unidad mínima que permite describir laestructura de un material. Es decir que es un patrón que se repite varias veces en la estructura de un material. Estos patrones se pueden identificar dando las posiciones de los átomos, los llamados "puntos de red".

Las redes de bravais son las variables que puede tener la celda unitaria. Por ejemplo en la celda cúbica las variables serían la BCC o cubica centrada en el cuero, la CS o cúbicasimple y la FCC o cúbica centrada en las caras
3- Exponga cual es la diferencia entre un conductor y un semiconductor
R=En un conductor los portadores de carga son electrones libres, mientras que en un semiconductor intrínseco algunos electrones pueden pasar a la banda de conducción, dejando "huecos" en sus átomos, que, a su vez, pueden desplazarse dentro del material.
Tales huecos puesto quecorresponden a la ausencia de electrones se interpretan como cargas positivas, de modo que la conducción consiste tanto en el movimiento de electrones, como de cargas positivas, es decir, de "huecos".
4- ¿Indique el valor de la banda prohibida del Silicio y Germanio?
R= PARAMETRO GERMANIO SILICIO
BANDA PROHIBIDA EV.0°K O.67 1.01
300°k(26°C) 0.75 1.15

5.- Defina que es un diagrama de bandas de energía y sus partes que lo integran.


6.- proceso que se produce por la ruptura de enlaces covalentes debido a latemperatura.





7.- Que nombre recibe la técnica para cambiar un semiconductor intrínseco en extrínseco y en qué consiste
R= técnica de dopaje al proceso intencional de agregar impurezas en un semiconductor extremadamente puro (también referido como intrínseco) con el fin de cambiar sus propiedades eléctricas. Las impurezas utilizadas dependen del tipo de semiconductores a dopar. A lossemiconductores con dopajes ligeros y moderados se los conoce como extrínsecos.

8.- describa que es una impureza, cuantos tipos existen y para qué sirve
R=Tipo N
Se llama material tipo N al que posee átomos de impurezas que permiten la aparición de electrones sin huecos asociados a los mismos. Los átomos de este tipo se llaman donantes ya que "donan" o entregan electrones. Suelen ser de valencia cinco,como el Arsénico y el Fósforo. De esta forma, no se ha desbalanceado la neutralidad eléctrica, ya que el átomo introducido al semiconductor es neutro, pero posee un electrón no ligado, a diferencia de los átomos que conforman la estructura original, por lo que la energía necesaria para separarlo del átomo será menor que la necesitada para romper una ligadura en el cristal de silicio (o delsemiconductor original). Finalmente, existirán más electrones que huecos, por lo que los primeros serán los portadores mayoritarios y los últimos los minoritarios. La cantidad de portadores mayoritarios será función directa de la cantidad de átomos de impurezas introducidos.
Tipo P
Se llama así al material que tiene átomos de impurezas que permiten la formación de huecos sin que aparezcan electronesasociados a los mismos, como ocurre al romperse una ligadura. Los átomos de este tipo se llaman aceptores, ya que "aceptan" o toman un electrón. Suelen ser de valencia tres, como el Aluminio, el Indio o el Galio. Nuevamente, el átomo introducido es neutro, por lo que no modificará la neutralidad eléctrica del cristal, pero debido a que solo tiene tres electrones en su última capa de valencia,...
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