Fotoresistencia
Páginas: 3 (734 palabras)
Publicado: 1 de noviembre de 2013
Una fotorresistencia es un componente electrónico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede también ser llamado fotorresistor, fotoconductor, célulafotoeléctrica o resistor dependiente de la luz, cuya siglas (LDR) se originan de su nombre en inglés light-dependent resistor.
Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz queincide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. Elelectrón libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
FOTORRESISTENCIAS
Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuyaresistencia varia en función de la iluminación. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz(light dependent resistors), fotoconductores o células fotoconductoras.
Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón - hueco. Al haber un mayor número de portadores, elvalor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.
Figura 10: Fotogeneración de portadores
Si dejamos de iluminar, los portadoresfotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será mayor.
Figura 11: Estado de conducción sinfotogeneración
Por supuesto, el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda determinadas. Es decir, la variación de resistencia será máxima para una longitud de ondadeterminada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deberá ser suministrada por el proveedor. En general, la variación de resistencia en función de la longitud de onda presentan curvas...
Un fotorresistor está hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz queincide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energía para saltar la banda de conducción. Elelectrón libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia.
FOTORRESISTENCIAS
Una fotorresistencia se compone de un material semiconductor cuyaresistencia varia en función de la iluminación. La fotorresistencia reduce su valor resistivo en presencia de rayos luminosos. Es por ello por lo que también se le llama resistencias dependientes de luz(light dependent resistors), fotoconductores o células fotoconductoras.
Cuando incide la luz en el material fotoconductor se generan pares electrón - hueco. Al haber un mayor número de portadores, elvalor de la resistencia disminuye. De este modo, la fotorresistencia iluminada tiene un valor de resistencia bajo.
Figura 10: Fotogeneración de portadores
Si dejamos de iluminar, los portadoresfotogenerados se recombinarán hasta volver hasta sus valores iniciales. Por lo tanto el número de portadores disminuirá y el valor de la resistencia será mayor.
Figura 11: Estado de conducción sinfotogeneración
Por supuesto, el material de la fotorresistencia responderá a unas longitudes de onda determinadas. Es decir, la variación de resistencia será máxima para una longitud de ondadeterminada. Esta longitud de onda depende del material y el dopado, y deberá ser suministrada por el proveedor. En general, la variación de resistencia en función de la longitud de onda presentan curvas...
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