GCifuentes Chile 2013

Páginas: 3 (727 palabras) Publicado: 28 de abril de 2015
UNIVERSIDAD DE SANTIAGO DE CHILE
FACULTAD DE INGENIERIA
DEPARTAMENTO DE INGENIERIA METALURGICA

LA TIOUREA (TU) EN LA ELECTROREFINACIÓN DE
COBRE
•Profesor Dr. GERARDO CIFUENTES MOLINA
2013www.ufrgs.br/cyted-recmet/wordpress/

Desde el punto de vista de la electroquímica,
el proceso central de una Refinería es la
Electrólisis, que corresponde a la deposición
selectiva de un metal proveniente deun ánodo
y que se ha quedado disuelto en una solución
mediante la aplicación de corriente eléctrica
(DC). Para el cobre, las reacciones
electroquímicas básicas involucradas son:
Reacción anódica:Reacción catódica:
Reacción neta:

Cu º (impuro ) ⇒ Cu 2 + + 2 e −
Cu 2+ + 2 e − ⇒ Cu º ( puro )

Cu º (impuro ) ⇒ Cu º ( puro )

ESQUEMA TEÓRICO DE LA
ELECTRO REFINACIÓN

∆E CELDA = ∆E th + ηa + ηc + I⋅ R e + Pérdidas sistema

CALIDAD CATÓDICA

Elemento
Cu
O
Ni
Pb
As
Sb
Se
Fe
Te
S
Bi
Ag
Au

Anodo Comercial
(%)
99,4-99,8
0,1-0,3
0-0,05
0-0,01
0-0,15
0-0,03
0-0,02
0,00-0,03
0-0.001
0.001-0.0030-0,01
trazas-0,07
0-0.005

Cátodo Comercial Grado A
(%)
99,999
(no incluido en análisis)
trazas-0,0007
trazas-0,0005
trazas-0,0001
trazas-0,0002
trazas-0,0001
0,0002-0,0006
trazas –0,0001
0,0004-0,0007trazas –0,0003
0,0005-0.001
0-0.00001

Aditivos orgánicos en Electro refinación
de Cobre
La adición de agentes orgánicos al electrolito en
la electro refinación de cobre sirve para proveer
calidad enel depósito catódico por acción directa
o indirecta. La adsorción de aditivos sobre los
cátodos depende de la contaminación del depósito
catódico, su naturaleza específica como tipo y
concentraciónCola,
15.000 g/mol

Avitone,
2.000 a 8.000 g/mol

Tiourea (TU),
76,12 g/mol

Hay evidencias en la literatura, indicando que la
cantidad de impurezas en la malla del metal
depositado dependengrandemente de la
estructura de la deposición del metal. Cuanto
más densa es la estructura del metal depositado
y la superficie del cátodo es más lisa, más baja
es la cantidad de impurezas fijadas por...
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