Guia 3 De Dispositivos 2015

Lab. de Dispositivos Electrónicos

2015

(GRUPOS 1 y 2)

UNIVERSIDAD PARTICULAR CATÓLICA DE SANTA MARÍA DE AREQUIPA

ESCUELA PROFESIONAL DE INGENIERÍA ELECTRONICA
CÓDIGO:
ASIGNATURA:

GUÍA DE LABORATORIO NRO 03

7404112A
DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

SEGUNDA FASE: TRANSISTORES

EL TRANSISTOR BIPOLAR

Docente(s):
Ing. Ronald Coaguila Gómez

Fecha: 2015.09.28.

I. OBJETIVO: Analizar lascaracterísticas electrónicas del Transistor

Bipolar
II. MARCO TEORICO:
FUNDAMENTO
El tipo de circuito

con

transistor

que se emplea

con más frecuencia es

la

configuración de emisor común. En ella la señal de entrada se aplica entre la base y el
emisor y la de salida se toma entre colector y el emisor. El emisor es común a los
circuitos de entrada y salida .En la

Fig.1-1

se ilustra un transistor

NPN enconfiguración de emisor común.

EMISOR COMUN
Examinar la

Fig. 1-1 y observe que la unión

emisor - base

está polarizada

directamente y la unión base - colector, inversamente. Una señal de entrada que varíe
en sentido

positivo

,provocará un aumento

produciendo un incremento correspondiente

en la corriente de emisor
en la corriente de emisor

.Debido a las reducidas dimensiones de la regióna base,
a colector

de la base, la mayoría

de los

electrones del emisor se difunden hacia la región del colector y son atraídos por la
ING. RPCG

EPIE-UCSM

1

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polaridad

positiva externa

2015

(GRUPOS 1 y 2)

impuesta al colector .La corriente creciente del colector

produce un incremento correspondiente en la caída de tensión que se produce en laresistencia de carga del colector (RL), por tanto, la señal de salida está fuera de fase en
180o con respecto a la señal de entrada .La tensión de salida en R L (producida por IC )
es mayor que la tensión de entrada RB.
Las características generales de operación de la configuración de emisor común son
típicas y pueden variar de una unidad a otra ,para un tipo específico de transistor .
La impedancia deentrada es de un valor medio, dentro de un rango de 20 a 5,000
ohms, lo mismo que la de salida que puede estar entre 50 y 50,000 ohms.
La ganancia de corriente en la configuración de emisor común ,esta representada por
beta () y su fórmula es  = IC /IB . Puesto que la corriente de colector es siempre
mayor que la de base, la ganancia

de corriente es siempre

mayor que 1 .Beta ()

puederepresentarse también con el símbolo h FE .
La configuración de emisor común proporciona la mayor ganancia de potencia, debido a
las grandes ganancias de tensión y de corriente.
En este experimento

determinará las características

de un transistor

PNP en

configuración de emisor

común .En comparación

con uno NPN, los portadores

mayoritarios de corriente

de PNP son huecos y, por lo tanto, debeninvertirse las

polaridades de la fuente y del medidor.

III.

CUESTIONARIO PREVIO:
a) Analizar y señalar las características eléctricas y electrónicas del Transistor
BJT, en base a las hojas de datos de los diodos.
b) Explicar

brevemente

los

tipos

de

transistores

que

operan

como

amplificadores y como conmutadores
c) Explicar las diferencias internas y de polarización de los transistores NPN yPNP
d) Señalar y explicar los diferentes tipos de transistores que se usan para baja
frecuencia, alta frecuencia, baja potencia y alta potencia,

sus principales

aplicaciones, etc.
e) Analizar y efectuar el cálculo del siguiente circuito. Hallar y graficar Vce vs.
Ic ,

recta de carga ( Si conoce algún programa simulador, verifique

resultados)

ING. RPCG

EPIE-UCSM

2

Lab. de DispositivosElectrónicos

100k

2015

(GRUPOS 1 y 2)

10k
+
2N2222A

47k

IV.

10V
-

220

MATERIAL Y EQUIPO:
Fuente de energía 0.5 Vcd
Fuente de energía 0-20 Vcd
Osciloscopio
Generador de AF
Voltímetro 0-5 Vcd
Amperímetro 0-0.1 mAcd
Amperímetro 0-10-100 mAcd
Q1 - Transistor PNP BC558 o equivalente
R1 - Potenciómetro de 200 ohms ,1/2W
R2 - 100 ohms

,1/2W

R3 - Potenciómetro de 1K ohm , 2W
R4 - 270 ohms, 2W
C1...