INFORME PREVIO 7
Circuitos RLC
Autor: José Adolfo Cusihuallpa Llavilla
Facultad de Ingeniería Eléctrica y Electrónica, UniversidadNacional de Ingeniería UNI
Lima-Perú
Código de Alumno: 20120355E
E-mail: josedolfo.c@gmail.com
Resumen-Este informe presenta la simulación del circuito con el que
setrabaja en la septima experiencia de laboratorio del curso con la
medición de algunos parámetros.
II. DESARROLLO DE LA SIMULACION.
A. Caso 1: R2 = 30K Ω
I.Críticamente Amortiguado
INTRODUCCION
Para la elaboración del presente informe se usó el simulador
Multisim 13.0. Los valores de los elementos con los que se
trabajófueron medidos previamente en laboratorio.
De la simulación además haremos la medición de ciertos
parámetros, con los cuales se hará una comparación de estos
valoresmedidos en el simulador con los valores medidos en el
laboratorio (valores reales).
El circuito a usar se presenta en la Fig.1.
Fig.2.
Sobre AmortiguadoFig.1.
Fig.3.
Sub Amortiguado
Sub Amortiguado
Fig.4.
B. Caso 2: R2 = 50K Ω
Críticamente Amortiguado
Fig.8.
C. Caso 3: R2 = 0K Ω
Críticamente Amortiguado
Fig.9.
Sobre Amortiguado
Fig.5.
Sobre Amortiguado
Fig.6.
Fig.10.
Sub Amortiguado
Fig.11.
D. Comentarios
Se puede apreciar que para cada casosimulado la
forma de onda no cambia.
La observación más resaltante de los tres casos
simulados es que podemos ver que a medida que
disminuye la resistencia de lacarga el voltaje máximo
que se aprecia en la gráfica del osciloscopio aumenta.
III. BIBLIOGRAFIA
http://es.wikipedia.org/wiki/Sistemas_de_segundo_ord
en
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