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Páginas: 6 (1484 palabras)
Publicado: 10 de noviembre de 2012
Dispositivos Optoelectrónicos
José Ramón Sendra Sendra 18 de abril de 2001
Índice General
1 Sensores 1.1 Funcionamiento básico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 ¿Cómo se detecta la radiación electromagnética? . . 1.1.1.1 Cuantos de energía, efecto fotoeléctrico. . 1.1.2 Conductividad eléctrica. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2.1 Conductividad en general . . . . . . . . .1.1.2.2 Conductividad en metales . . . . . . . . . 1.1.2.3 Conductividad en semiconductores . . . . 1.1.2.4 Fotoconductividad . . . . . . . . . . . . . 1.1.3 Transmisión y absorción. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.3.1 ¿Qué zona del espectro se detecta? . . . . 1.1.4 Diferencias entre fotorreceptores . . . . . . . . . . . 1.2 Fotorresistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1Teoría de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2 Ejemplos de utilización. . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.1 Báscula Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . 1.2.2.2 Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.3 Oscilador . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.4 Oscilador controlado por luz. . . . . . . . 1.3 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 UniónPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Fotodiodos PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.3 Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.4 Fotodiodos APD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5 Electrónica para fotodiodos . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.1 Amplificador de transconductancia . . . . 1.3.5.2 Tensiones de offset . . . . . . . . . . . . 1.3.5.3Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.4 Amplificador oscilante . . . . . . . . . . . 1.4 Fototransistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Circuitería para aplicación mediante un fototransistor 1.4.2 Características técnicas . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2.1 Características estáticas . . . . . . . . . . 1.5 Comparación entre los dispositivos sensores . . . . . . . .. 1 6 6 6 6 8 8 9 9 10 11 12 12 14 14 16 16 17 18 19 20 20 21 22 22 23 24 25 25 26 27 27 28 28 31
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ÍNDICE GENERAL
1.6 Circuitos Integrados Optoelectrónicos(OPICs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 TSL260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 31 31 32 32 32 33 34 35 36 37 39 39 40 40 41 41 43 43 43 44 47 49 49 50 52 54 54 54 55 55 55 55 55 56 57 57 58 58 59 60 60 60 61
2
Emisores 2.1 Diodos electroluminiscentes (LED’s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1 Introducción . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.1 Eficiencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.2 Potencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.3 Distribución angular y potencia externa . . . . . . . 2.1.1.4 Ancho de banda espectral . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.5 Longitud de onda de emisión. . . . . . . . . . . . . 2.1.2 Características técnicas . . . . . . . . . ....
José Ramón Sendra Sendra 18 de abril de 2001
Índice General
1 Sensores 1.1 Funcionamiento básico . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.1 ¿Cómo se detecta la radiación electromagnética? . . 1.1.1.1 Cuantos de energía, efecto fotoeléctrico. . 1.1.2 Conductividad eléctrica. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.2.1 Conductividad en general . . . . . . . . .1.1.2.2 Conductividad en metales . . . . . . . . . 1.1.2.3 Conductividad en semiconductores . . . . 1.1.2.4 Fotoconductividad . . . . . . . . . . . . . 1.1.3 Transmisión y absorción. . . . . . . . . . . . . . . . 1.1.3.1 ¿Qué zona del espectro se detecta? . . . . 1.1.4 Diferencias entre fotorreceptores . . . . . . . . . . . 1.2 Fotorresistencias . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.1Teoría de funcionamiento . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2 Ejemplos de utilización. . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.1 Báscula Schmitt-Trigger. . . . . . . . . . 1.2.2.2 Integrador . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.3 Oscilador . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2.2.4 Oscilador controlado por luz. . . . . . . . 1.3 Fotodiodo . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 UniónPN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.2 Fotodiodos PN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.3 Fotodiodos PIN . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.4 Fotodiodos APD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5 Electrónica para fotodiodos . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.1 Amplificador de transconductancia . . . . 1.3.5.2 Tensiones de offset . . . . . . . . . . . . 1.3.5.3Ancho de banda . . . . . . . . . . . . . . 1.3.5.4 Amplificador oscilante . . . . . . . . . . . 1.4 Fototransistores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Circuitería para aplicación mediante un fototransistor 1.4.2 Características técnicas . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2.1 Características estáticas . . . . . . . . . . 1.5 Comparación entre los dispositivos sensores . . . . . . . .. 1 6 6 6 6 8 8 9 9 10 11 12 12 14 14 16 16 17 18 19 20 20 21 22 22 23 24 25 25 26 27 27 28 28 31
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ÍNDICE GENERAL
1.6 Circuitos Integrados Optoelectrónicos(OPICs) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 TSL260 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2 31 31 32 32 32 33 34 35 36 37 39 39 40 40 41 41 43 43 43 44 47 49 49 50 52 54 54 54 55 55 55 55 55 56 57 57 58 58 59 60 60 60 61
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Emisores 2.1 Diodos electroluminiscentes (LED’s) . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1 Introducción . . . . . . . .. . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.1 Eficiencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.2 Potencia interna . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.3 Distribución angular y potencia externa . . . . . . . 2.1.1.4 Ancho de banda espectral . . . . . . . . . . . . . . 2.1.1.5 Longitud de onda de emisión. . . . . . . . . . . . . 2.1.2 Características técnicas . . . . . . . . . ....
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