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DISEÑO Y SIMULACIÓN ELECTRÓNICA
RELACIÓN DE PRÁCTICAS DEL CURSO 2005-2006

PRÁCTICA 1
3-7 OCTUBRE 2005


MANEJO DE LA DOCUMENTACIÓN ON-LINE

Obtener teóricamente Vout aplicando previamenteThevenin entre A y B.
Obtener teóricamente Rth mediante Vth-Isc (Isc corriente de Norton) y aplicando un generador externo Vo

Indicar los ficheros CIR necesarios para obtener todos losresultados anteriores (Vth, Isc, Rth).

Comprobar simulando que se obtiene el mismo resultado de
Vout empleando el circuito completo o los circuitos
equivalentes de Thevenin y Norton.



ANÁLISIS.DC
Variación de vin en un inversor resistivo con un BJT
(barrido lineal)
Cursores, etiquetas, varios PLOT, cortar y pegar traces
barrido logarítmico (DEC OCT)
Determinación de los puntosde análisis
Poner eje-x logarítmico
CAMBIO DE ESCALA EJE-X EJE-Y

ANÁLISIS .TRAN (Inversor resistivo)
SEÑAL TIPO PULSE
tpLH, tpHL, ttLH, ttHL, sxvalue( ) slevel( )

SELECCIÓN DEL TIPODE ANÁLISIS DC o TRAN DESDE PROBE.

PRÁCTICA 2
10-14 OCTUBRE 2005

* VER LOS RETRASOS DE UN INVERSOR (CARGA RESISTIVA)
Aplicar señal tipo PULSE con tr=tf=0

* CURVAS CARACTERÍSTICAS. ANÁLISIS.DC
Transistor 2n2222 y BJT ideal (=50).
Obtener las curvas IC=f(VCE)IB y de , IC=f(IB)VCE para el 2n2222 y el BJT ideal y las curvas ID=f(VDS)VGS del MOS de tecnología 1m, nombre de modelo MODN1(librería MODMOS.LIB en USERLIB).

* Variación del parámetro de un modelo (BF) con .DC
Efecto análisis DC y TRAN (Vin triangular corte-activa) en inversor resistivo.

* Variación de un parámetroglobal (Rc en el inversor) con .DC
Inversor con transistor ideal (=50).
Estudio previo:
Elegir los componentes para que en el barrido de Rc (desde 1k a 10k) el transistor esté en activa ysaturación, Vin=2v.
Comprobar el efecto en un análisis TRAN (Vin triangular corte-activa)

* INFORMACIÓN FICHERO .OUT
Comando OPTIONS (list, node, library)
Usar la opción library en apartado de las...