Laboratorio #1
Páginas: 3 (553 palabras)
Publicado: 13 de julio de 2011
REPUBLICA BOLIVARIANA DE VENEZUELA
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITECNICA
DE LA FUERZA ARMADA
NUCLEO CARACAS
INFORME DE LABORATORIO ELECTRONICA #1
POLARIZACION DE BJT
INTEGRANTES:FRANCISCO GONZALEZ CI: 16890770
MARTHA GARCIA CI: 18025878
CARACAS, Junio de 2011
En la primera practica de laboratorio se estudio el transistor BJT, especificamente las distintas condiciones depolarización del mismo, variando valores de distintas resistencias para asi llevarlo a trabajar en los distintos modos de operación.
Materiales usados para la practica:
-Protoboard
-Resistenciasvarias
-Transistor BC548A
-Fuente de voltaje DC
Se procedio a montar en el proto board el siguiente circuito:
Cabe destacar que para una mayor precisión en el laboratorio usamos en lugar de lasresistencias de 56k y 47k, dos décadas de resistencia (son mucho más fáciles de manipular para cambiar los valores y mas exactas muchas veces en su valor nominal).
Luego de armado el circuito seprocedió a calcular los siguientes valores Icq y Vceq en el circuito del transistor tanto teóricamente como de forma práctica.
Valores tomados en el laboratorio (usando el multímetro del laboratorio):R2 (KΩ) | R3(KΩ) | Icq (mA) | Vceq(V) |
56 | 47 | 1.62 | 5.44 |
56 | 68 | 1.868 | 4.57 |
56 | 33 | 1.20 | 7.3 |
68 | 47 | 1.55 | 5.84 |
33 | 47 | 2.26 | 3 |
∞ | 47 | 0 | 12 |
56 | ∞ |2.95 | 53mV |
Análisis de los resultados:
Como se puede observar el circuito dado posee configuración Polarización por divisor de voltaje la cual es una de las configuraciones más usadas, en estetipo de configuración los niveles de Icq y Vceq pueden ser casi independientes del valor β. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto de operación sobre las características,definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del circuito. Como se observa en la tabla las variaciones R3 hacen ver que mientras menor sea esta resistencia se...
UNIVERSIDAD NACIONAL EXPERIMENTAL POLITECNICA
DE LA FUERZA ARMADA
NUCLEO CARACAS
INFORME DE LABORATORIO ELECTRONICA #1
POLARIZACION DE BJT
INTEGRANTES:FRANCISCO GONZALEZ CI: 16890770
MARTHA GARCIA CI: 18025878
CARACAS, Junio de 2011
En la primera practica de laboratorio se estudio el transistor BJT, especificamente las distintas condiciones depolarización del mismo, variando valores de distintas resistencias para asi llevarlo a trabajar en los distintos modos de operación.
Materiales usados para la practica:
-Protoboard
-Resistenciasvarias
-Transistor BC548A
-Fuente de voltaje DC
Se procedio a montar en el proto board el siguiente circuito:
Cabe destacar que para una mayor precisión en el laboratorio usamos en lugar de lasresistencias de 56k y 47k, dos décadas de resistencia (son mucho más fáciles de manipular para cambiar los valores y mas exactas muchas veces en su valor nominal).
Luego de armado el circuito seprocedió a calcular los siguientes valores Icq y Vceq en el circuito del transistor tanto teóricamente como de forma práctica.
Valores tomados en el laboratorio (usando el multímetro del laboratorio):R2 (KΩ) | R3(KΩ) | Icq (mA) | Vceq(V) |
56 | 47 | 1.62 | 5.44 |
56 | 68 | 1.868 | 4.57 |
56 | 33 | 1.20 | 7.3 |
68 | 47 | 1.55 | 5.84 |
33 | 47 | 2.26 | 3 |
∞ | 47 | 0 | 12 |
56 | ∞ |2.95 | 53mV |
Análisis de los resultados:
Como se puede observar el circuito dado posee configuración Polarización por divisor de voltaje la cual es una de las configuraciones más usadas, en estetipo de configuración los niveles de Icq y Vceq pueden ser casi independientes del valor β. El nivel de IBQ se modificará con el cambio en beta, pero el punto de operación sobre las características,definido por ICQ y VCEQ puede permanecer fijo si se utilizan los parámetros apropiados del circuito. Como se observa en la tabla las variaciones R3 hacen ver que mientras menor sea esta resistencia se...
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