MEMORIAS ROM
Páginas: 6 (1284 palabras)
Publicado: 15 de noviembre de 2015
MEMORIAS ROM
•Jhosset
•Omar
Alvarado
Reyes
•Jonathan
•Leonardo
Tarapuez
Tayupanta
MEMORIAS DE SÓLO LECTURA (ROM)
Una ROM mantiene de forma permanente o semipermanente los
datos almacenados, que pueden ser leídos ,no se pueden cambiar en
absoluto, se requiere un equipo especial para ello.
Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las
aplicaciones.
Las ROM mantienenlos datos almacenados cuando se desconecta la
alimentación.
La familia de las memorias ROM
La ROM de máscara es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan
permanentemente en la memoria durante el proceso de fabricación.
La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que el usuario, con ayuda de
equipos especializados, almacena eléctricamente los datos. (tecnología MOS obipolar)
La EPROM, o memoria PROM borrable (erasable PROM) es exclusivamente un dispositivo
MOS.
La UV EPROM puede ser programada eléctricamente por el usuario, pero los datos
almacenados deben borrarse mediante la exposición a la luz ultravioleta durante un periodo de
varías minutos.
La PROM borrable eléctricamente se puede borrar en unos pocos milisegundos.
La ROM de máscara
Normalmente, la ROM demáscara se denomina simplemente ROM.
Es una memoria programada de forma permanente durante el
proceso de fabricación.
Proporcionar funciones especificadas por el usuario. Una vez que se
programa la memoria, ésta no puede cambiarse.
La mayoría de los circuitos integrados ROM utilizan la presencia o
ausencia de una conexión de transistor en una unión fila/columna
para representar un 1 oun O.
Celdas MOS de una ROM
Una ROM básica
Los cuadrados en color gris claro representan los l s almacenados, y
los cuadrados en gris oscuro representan los Os almacenados.
El procedimiento de lectura básico es el siguiente: cuando se aplica
un código de dirección binario a las líneas de entrada de dirección,
la línea de la fila correspondiente se pone a nivel ALTO. Este nivel
ALTO seconecta a las líneas de las columnas a través de los
transistores en cada unión (celda) donde se almacena un 1. En cada
celda en la que se almacena un 0, la línea de columna permanece a
nivel BAJO, debido a la resistencia de terminación.
Organización interna de la ROM
Cuando se aplica cualquiera de
los 256 códigos binarios (ocho
bits) a las líneas de dirección, se
presentan cuatro bits de datosen las salidas si las entradas de
habilitación del chip se
encuentran a nivel BAJO
Dispositivo de 1024 bits organizado en una matriz de
256 x 4.
Aunque la estructura de 256 x 4 de este dispositivo parece indicar
que tiene 256 filas y 4 columnas en la matriz de memoria, éste no
es el caso en realidad. Realmente la matriz de memoria es una
matriz de 32 x 32 (32 filas y 32 columnas), como muestrael
siguiente diagrama de bloques.
Tiempo de acceso de la ROM
El tiempo de acceso de una ROM, ta es el tiempo que
transcurre desde que se aplica un código de
dirección válido en las líneas de entrada hasta que
aparecen los datos válidos en las líneas de salida.
El tiempo de acceso se puede también medir desde
que se activa la entrada de habilitación del chip (Ê)
hasta que aparecen losdatos válidos en la salida,
cuando ya se encuentra una dirección válida en las
líneas de entrada.
MEMORIAS ROM
PROGRAMABLES
(PROM Y EPROM)
Las PROM son básicamente
iguales que las ROM de máscara,
una vez que han sido
programadas.
Como ya hemos visto, las ROM son
un tipo de dispositivo lógico
programable. La diferencia
consiste en que las PROM salen de
fábrica sin estar programadas y se
programan amedida para
satisfacer las necesidades del
usuario.
Memorias PROM
Las PROM utilizan
algún tipo de
mecanismo de
fundición para
almacenar bits,
donde un hilo de
memoria se
funde o queda
intacto para
representar un 0 o
un 1. El proceso de
fundición es
irreversible; una vez
que una
PROM ha sido
programada no
puede cambiarse.
La Figura muestra una
matriz MOS de una PROM
con hilos fusibles. Los...
•Jhosset
•Omar
Alvarado
Reyes
•Jonathan
•Leonardo
Tarapuez
Tayupanta
MEMORIAS DE SÓLO LECTURA (ROM)
Una ROM mantiene de forma permanente o semipermanente los
datos almacenados, que pueden ser leídos ,no se pueden cambiar en
absoluto, se requiere un equipo especial para ello.
Una ROM almacena datos que se utilizan repetidamente en las
aplicaciones.
Las ROM mantienenlos datos almacenados cuando se desconecta la
alimentación.
La familia de las memorias ROM
La ROM de máscara es un tipo de memoria en la que los datos se almacenan
permanentemente en la memoria durante el proceso de fabricación.
La PROM, o ROM programable, es aquel tipo de ROM en la que el usuario, con ayuda de
equipos especializados, almacena eléctricamente los datos. (tecnología MOS obipolar)
La EPROM, o memoria PROM borrable (erasable PROM) es exclusivamente un dispositivo
MOS.
La UV EPROM puede ser programada eléctricamente por el usuario, pero los datos
almacenados deben borrarse mediante la exposición a la luz ultravioleta durante un periodo de
varías minutos.
La PROM borrable eléctricamente se puede borrar en unos pocos milisegundos.
La ROM de máscara
Normalmente, la ROM demáscara se denomina simplemente ROM.
Es una memoria programada de forma permanente durante el
proceso de fabricación.
Proporcionar funciones especificadas por el usuario. Una vez que se
programa la memoria, ésta no puede cambiarse.
La mayoría de los circuitos integrados ROM utilizan la presencia o
ausencia de una conexión de transistor en una unión fila/columna
para representar un 1 oun O.
Celdas MOS de una ROM
Una ROM básica
Los cuadrados en color gris claro representan los l s almacenados, y
los cuadrados en gris oscuro representan los Os almacenados.
El procedimiento de lectura básico es el siguiente: cuando se aplica
un código de dirección binario a las líneas de entrada de dirección,
la línea de la fila correspondiente se pone a nivel ALTO. Este nivel
ALTO seconecta a las líneas de las columnas a través de los
transistores en cada unión (celda) donde se almacena un 1. En cada
celda en la que se almacena un 0, la línea de columna permanece a
nivel BAJO, debido a la resistencia de terminación.
Organización interna de la ROM
Cuando se aplica cualquiera de
los 256 códigos binarios (ocho
bits) a las líneas de dirección, se
presentan cuatro bits de datosen las salidas si las entradas de
habilitación del chip se
encuentran a nivel BAJO
Dispositivo de 1024 bits organizado en una matriz de
256 x 4.
Aunque la estructura de 256 x 4 de este dispositivo parece indicar
que tiene 256 filas y 4 columnas en la matriz de memoria, éste no
es el caso en realidad. Realmente la matriz de memoria es una
matriz de 32 x 32 (32 filas y 32 columnas), como muestrael
siguiente diagrama de bloques.
Tiempo de acceso de la ROM
El tiempo de acceso de una ROM, ta es el tiempo que
transcurre desde que se aplica un código de
dirección válido en las líneas de entrada hasta que
aparecen los datos válidos en las líneas de salida.
El tiempo de acceso se puede también medir desde
que se activa la entrada de habilitación del chip (Ê)
hasta que aparecen losdatos válidos en la salida,
cuando ya se encuentra una dirección válida en las
líneas de entrada.
MEMORIAS ROM
PROGRAMABLES
(PROM Y EPROM)
Las PROM son básicamente
iguales que las ROM de máscara,
una vez que han sido
programadas.
Como ya hemos visto, las ROM son
un tipo de dispositivo lógico
programable. La diferencia
consiste en que las PROM salen de
fábrica sin estar programadas y se
programan amedida para
satisfacer las necesidades del
usuario.
Memorias PROM
Las PROM utilizan
algún tipo de
mecanismo de
fundición para
almacenar bits,
donde un hilo de
memoria se
funde o queda
intacto para
representar un 0 o
un 1. El proceso de
fundición es
irreversible; una vez
que una
PROM ha sido
programada no
puede cambiarse.
La Figura muestra una
matriz MOS de una PROM
con hilos fusibles. Los...
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