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1. Comprobar el efecto transistor.
Armar el circuito de la figura 1 y comprobar el "efecto transistor", en el cual se hace evidente la inyección de portadores de la región de emisor hasta laregión de colector, debiendo estar la unión emisor-base polarizada directa, independientemente de la polarización que se presente en la unión colector-base.
Comprobar que el valor de la corriente medidaen el colector, prácticamente es igual a la que se tiene en el emisor.

Fig.1 Circuito para comprobar el efecto transistor.

Procedimiento:
Para la construcción del circuito usamos unprotoboard; al finalizar tomamos los valores de la corriente los mismo que al ser demasiado bajos en la orden de los nano amperios la corriente no puede ser medida.
Imágenes:

Comprobación de terminales deltransistor

Escala del multímetro no permite medir la corriente

Conclusiones:
Gracias a la teoría sabemos que los valores que se quisieron medir en la práctica son despreciables debido a queestán en el orden de microamperios, esto pudo ser demostrado ya que los dispositivos con los que contábamos no eran suficientemente precisos para medir estos valores, por lo que podemos concluir que sonvalores realmente bajos que en esta ocasión no pudieron ser medidos, dando en ambos casos una corriente igual a cero.

2. Observar y medir el voltaje de ruptura en la unión base-emisor y de la unióncolector-base de un transistor bipolar de tecnología planar.
Actualmente la gran mayoría de los transistores bipolares están construidos con tecnología planar, en ellos las regiones de emisor,base y colector presentan diferentes concentraciones de impurezas y tamaños, debido a las características de construcción que se tienen en las uniones emisor-base y colector-base, el voltaje deruptura que se presenta en la unión emisor-base es menor que el que se presenta en la unión colector-base, llegándose en la práctica a generalizar diciendo; que la unión emisor-base de un transistor...