Modulo-Electrónica Basica

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA – UNAD Escuela de ciencias Básicas Tecnología e Ingeniería Ingeniería Electrónica

UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA
ESCUELA DE CIENCIAS BÁSICAS TECNOLOGÍA E INGENIERÍA PROGRAMA DE INGENIERÍA ELECTRÓNICA

201419 – ELECTRÓNICA BÁSICA

BOGOTÁ AGOSTO DE 2011 Réplica del primer transistor, desarrollado en Bell Labs, en 1947.

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GUÍA DIDÁCTICA - ELECTRÓNICA BÁSICA @Copyright UNIVERSIDAD NACIONAL ABIERTA Y A DISTANCIA ISBN 2006 Centro Nacional de Medios para el Aprendizaje Primera revisión Julio 20 de 2007. Editado - 20 de agosto de 2011.

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ÍNDICE DE CONTENIDO

INTRODUCCIÓN UNIDAD I: FUNDAMENTOS DE LOS SEMICONDUCTORES Capitulo 1: Los Diodos Lección 1: Diodos Semiconductores. Lección 2: Análisis de circuitos con diodos. Lección 3: Rectificación de media onda y rectificación de onda completa. Lección 4: Circuitos recortadores, sujetadores, y multiplicadores de Voltaje.Lección 5: Diodo Zener y LED. Capitulo 2: Transistores Bipolares BJT Lección 6: Construcción y operación de transistores. Lección 7: Configuraciones del BJT. Lección 8: Acción de amplificación del transistor. Lección 9: Límite de operación, hoja de especificaciones, pruebas de transistores. Lección 10: Punto de operación. Capitulo 3: Polarización DC del transistor BJT Lección 11: Circuito depolarización fija y de polarización estabilizada por emisor. Lección 12: Polarización por divisor de voltaje y con retroalimentación de voltaje. Lección 13: Operaciones de diseño. Lección 14: Redes de conmutación con transistores. Lección 15: Estabilización de polarización. FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 1 UNIDAD II. FET Y OTROS DISPOSITIVOS PNPN Capitulo 4: EL FET Lección 16: Construcción ycaracterísticas de los JFET Lección 17: MOSFET de tipo decremental e incremental. Lección 18: Manejo de MOSFET. Lección 19: VMOS (Vertical Metal Oxide Silicon) Lección 20: CMOS (MOS con arreglo complementario)

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Capitulo 5: Polarizaciones del FET Lección 21: Configuraciones depolarización del FET Lección 22: MOSFET de tipo decremental e incremental. Lección 23: Redes combinadas. Lección 24: Diseño Lección 25: FET de canal –P y curva de polarizaciones para JFET. Capitulo 6: Otros Dispositivos PNPN Lección 26: Diodos de cuatro capas Lección 27: El SCR (Silicon Controled Rectifier) Lección 28: Otros Tiristores Lección 29: Disparo y Bloqueos de los Tiristores Lección 30: AlgunasAplicaciones típicas de los Tiristores. FUENTES DOCUMENTALES DE LA UNIDAD 2

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LISTADO DE GRÁFICOS Y FIGURAS
Figura 1. Diodo ideal. (a) Símbolo; (b) Característica Figura 2. Cortocircuito Figura 3. Circuito abierto Figura 4. Estructura atómica de un conductor: el cobre(Cu). Figura 5. Niveles de energía. Figura 6. Bandas de conducción y valencia. Figura 7. Representación de un cristal de silicio Figura 8. Movimiento de electrones libres. Figura 9. Enlace covalente roto Figura 10. Grafica de movimiento de electrones en el silicio. Figura 11. La Unión PN Figura 12. Zona de deplexión Figura 13. Polarización directa. Figura 14. Sentido del movimiento del electrónlibre (e-) y de la corriente (I). Figura 15. Polarización inversa. Figura 16. Sentido del movimiento del electrón libre y de la corriente. Figura 17. Mapa Conceptual Diodo Semiconductor Figura 18. Análisis de una resistencia. Figura 19. Comportamiento de una resistencia en la región de polarización directa. Figura 20. Comportamiento de una resistencia en polarización inversa. Figura 21. Curva...