moosfet

MOSFET

Tipos de MOSFET
Agotamiento: Un MOSFET tipo agotamiento de canal n se forma en un sustrato de silicio de tipo p, con dos silicios N+ fuertemente dopados para tener conexiones de bajaresistencia. La compuerta está aislada del canal mediante una delgada capa de oxido. Las tres terminales se conectan como compuerta, drenaje y fuente. Normalmente, el sustrato se conecta a la fuente. Elvoltaje de compuerta a fuente (Vgs), puede ser positivo o negativo si Vgs es negativo, algunos de los electrones del área del canal N serán repelidos y se creara una región de agotamiento por debajo dela capa de oxido, que resultara en un canal efectivo más angosto y en una lata resistencia de drenaje a fuente. Si Vgs se hace suficientemente negativo, el canal se agotara totalmente, ofreciendo unalto valor RDS y no habrá flujo de corriente drenaje a fuente, IDS=0. Cuando esto ocurre el valor VGS se conoce como voltaje de estrechamiento, Vp. Por otra parte, VGS se hace positivo, el canal seensancha e IDS aumenta debido a la reducción en RDS. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierte la polaridad de VDS, IDS y VGS.

Enriquecimiento: Los MOSFET de enriquecimiento se basan enla creación de un canal entre el drenador y el surtidor, al aplicar una tensión en la compuerta. La tensión de la compuerta atrae portadores minoritarios hacia el canal, de manera que se forma unaregión de inversión, una región con dopado opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de lacantidad de portadores de carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la concentración de electrones, o huecos.
Venjatas del MOSFET sobre el BJTMOSFET
BJT
Transistor controlado por voltaje
Requiere de una corriente pequeña, casi nula
Alta velocidad de conmutación, del orden de los nano segundos
Sin problemas de fenómenos de ruptura...