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Un MOSFET de potencia es un tipo específico de semiconductor de óxido de metal transistor de efecto campo ( MOSFET ) diseñado para manejar niveles de potencia significativos. Encomparación con los demás dispositivos semiconductores de potencia , por ejemplo, con aislamiento de compuerta del transistor bipolar ( IGBT ), tiristores , sus principales ventajas son dealta conmutación de velocidad y buena eficiencia a bajas tensiones. Comparte con el IGBT una puerta aislada que hace que sea fácil de conducir.
Esto fue posible gracias a la evolución de CMOS tecnología,desarrollado para la fabricación decircuitos integrados a finales de 1970. El MOSFET de potencia comparte su principio de funcionamiento con su homólogo de baja potencia, el MOSFET lateral .
El MOSFET depotencia es el de baja tensión más utilizado (es decir, menos de 200 V) interruptor. Se puede encontrar en la mayoría de las fuentes de alimentación , convertidores dc a dc y baja tensióncontroladoresde motor .
Estructura Basica
Varias estructuras se habían explorado en el comienzo de la década de 1980, cuando se introdujeron las primeras MOSFET de potencia. Sin embargo, la mayoría de ellos hansido abandonados (al menos hasta hace poco) a favor de la estructura vertical Difuso MOS (VDMOS) (también llamada doble Difuso MOS o simplemente DMOS).
La sección transversal de un VDMOS (véase lafigura 1) muestra la "verticalidad" del dispositivo: Se puede ver que el electrodo de fuente se coloca sobre el drenaje, que resulta en una corriente principalmente vertical cuando el transistor está enel estado en-. La " difusión "en VDMOS se refiere al proceso de fabricación: los pozos P (véase la figura 1) se obtienen mediante un proceso de difusión (en realidad un proceso de difusión doble paraobtener el P y N + regiones, de ahí el nombre de doble difusa).
MOSFET de potencia tienen una estructura diferente a la del MOSFET lateral : al igual que con la mayoría de los dispositivos de...