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Informe de la Práctica 05: MOSFET Tipo Enriquecimiento-Pequeña Señal.



Eric Santiago Granda, Daniel Ramírez Castañeda.
Laboratorio Electrónica Análoga II, Escuela de Mecatrónica,Facultad de Minas Universidad Nacional de Colombia – Sede Medellín

Resumen – Este documento contiene el análisis teórico del diseño de un amplificador basado en un transistor de efecto de campo (MOSFETtipo enriquecimiento) y su implementación práctica. El diseño se lleva a cabo teniendo presente ciertos parámetros especificados como la impedancia de entrada y salida y la ganancia, además deparámetros inherentes al dispositivo que permiten un conocimiento detallado del mismo en ciertas circunstancias.

Palabras Clave – Compuerta, dreno, fuente, punto Q, transconductancia, voltaje umbral.Abstract – This document contains the theoretical analysis of the design of an amplifier based on a field effect transistor (MOSFET type enrichment) and its practical implementation. The design iscarried out in consideration of certain specified parameters as input and output impedance and gain, as well as inherent in the device parameters that allow a detailed understanding of it in certaincircumstances.

Index Terms– Gate, drain, source, point Q, transconductance, threshold voltage.

I. INTRODUCIÓN
na de las principales aplicaciones del transistor, tanto bipolar como de efecto decampo es la amplificación de señales, y ésta depende de la región donde esté operando dicho dispositivo. El presente documento analiza la amplificación debida a un transistor MOSFET tipoenriquecimiento, cuya característica física es la ausencia de canal entre las regiones dopadas, ya sean tipo n o tipo p, que forman parte de las terminales marcadas como dreno y fuente; el símbolo para estedispositivo precisamente hace alusión a este detalle. Una de las diferencias de los transistores de efecto de campo y los bipolares es la variable que controla la corriente de salida, es...