Motores De Inducción

TRANSISTOR FET (JFET)

Cuando seleccionamos un transistor tendremos que conocer el tipo de encapsulado, así como el esquema de identificación de los terminales. También tendremos que conocer unaserie de valores máximos de tensiones, corrientes y potencias que no debemos soprepasar para no destruir el dispositivo. El parametro de la potencia disipada por el transistor es especialmente críticocon la temperatura, de modo que esta potencia decrece a medida que aumenta el valor de la temperatura, siendo a veces necesario la instalacion de un radiador o aleta refrigeradora. Todos estos valorescríticos los proporcionan los fabricantes en las hojas de características de los distintos dispositivos.
Zonas de funcionamiento del transistor de efcto de campo (FET):
1. ZONA ÓHMICA o LINEAL: Enesta zona el transistor se comporta como una resistenci variable dependiente del valor de VGS.Un parámetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), ydistintos valores de VGS.
2. ZONA DE SATURACIÓN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS
3. ZONA DE CORTE: La intensidad dedrenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se trata deun dispositivo simétrico).
| La operación de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario. |

Entrelas principales aplicaciones de este dispositivo podemos destacar:
APLICACIÓN | PRINCIPAL VENTAJA | USOS |
Aislador o separador (buffer) | Impedancia de entrada alta y de salida baja | Usogeneral, equipo de medida, receptores |
Amplificador de RF | Bajo ruido | Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones |
Mezclador | Baja distorsión de intermodulación | Receptores de FM y...