polarizacion del bjt

Páginas: 6 (1352 palabras) Publicado: 20 de septiembre de 2014
POLARIZACIÓN DEL BJT: POLARIZACIÓN FIJA
Los transistores tienen como función principal la amplificación de señales, para lograr este cometido deben ser polarizados adecuadamente mediante la aplicación de voltajes DC en sus uniones B-E y B-C. Esto se consigue a través de circuitos de polarización, los cuales garantizan que el transistor se encuentre ubicado en un punto sobre su "recta decarga" y en su zona activa.
Existen una gran variedad de circuitos de polarización, dentro de los cuales podemos identificar claramente cuatro tipos básicos:

a) circuito de polarización fija ( corriente de base constante)
b) circuito de polarización estabilizada por emisor
c) circuito de polarización por divisor de voltaje ( tipo H o universal)
d) circuito de polarización por realimentación decolector
Empezaremos analizando el más sencillo de éstos circuitos.
a) circuito de polarización fija: este circuito es el mas sencillo de todos los circuitos de polarización. La resistencia Rc limita la corriente máxima que circula por el transistor cuando este se encuentra en saturación, mientras que la resistencia de base RB regula la cantidad de co - rriente que ingresa a la base deltransistor (IB), la cual determina en que zona se polarizará el transistor (saturación, activa o corte).



Eligiendo adecuadamente el valor de estas resistencias podremos determinar con exactitud el punto de trabajo (Q) del transistor. Como se mencionó al inicio, lo que se busca es polarizar al transistor en su zona activa, sobre su recta de carga, para lograr esto debemos hacer uso de ecuacionescaracterísticas del circuito. Empezaremos por analizar dichas ecuaciones. Para realizar esto último, debemos identificar la malla de entrada y de salida del circuito.
Malla de entrada: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa RB, la unión B-E (produciendo el voltaje VBE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación de malla:
Vcc= IB*RB + VBE ...(1)

Por tratarse detransistores de silicio, VBE= 0,7 v
De la ecuación (1) podemos despejar el valor de IBQ (corriente de base en el punto Q), considerando que tenemos como datos RB, RC, beta (b) y Vcc. Entonces:
IBQ = (Vcc - VBE)/RB ... (2)
Malla de salida: partiendo de Vcc, la corriente atraviesa Rc, los terminales C-E (produciendo el VCE) hasta llegar a tierra. Entonces podemos plantear la siguiente ecuación:Vcc= IC*RC + VCE ... (3)
De la ecuación (3) podemos despejar IC:

IC = -(1/RC)*VCE + (Vcc/RC) ... (4)

La ecuación (4) representa la Ecuación de la Recta de Carga, cuya gráfica nos permite encontrar dos puntos característicos: la corriente máxima de colector (Isat) y el voltaje colector-emisor máximo (Vcorte). Además podemos ubicar sobre ella el punto de trabajo (Q) del transistor, quegráficamente representa la intersección de la Recta de carga con la curva característica.

Para: VCE= 0, tenemos:

ICmax= Isat= Vcc/RC (saturación)

Para: VCEmax=Vcorte= Vcc, tenemos: IC= 0
Además, conociendo IBQ podemos determinar el valor de ICQ y de IEQ, y con ello el valor de VCEQ:
ICQ = b*IBQ
IEQ = (1+b)*IBQ
VCEQ = Vcc - ICQ*RC

Estos valores definen el punto de trabajo del transistory con ello su zona de trabajo.Este tipo de polarización no es muy estable, pues el punto Q varía bastante a medida que el transistor se encuentra trabajando más tiempo.

Cuando se requiere realizar el diseño de un circuito de este tipo, es necesario tener como datos el punto Q, el Vcc y el beta (b) del transistor. Por ejemplo, si deseamos polarizar a un transistor 2N2222A en el punto: ICQ= 10mA y VCEQ= 10 v, con Vcc= 20 v, debemos calcular el valor de RB y RC.
Considerando el beta típico que proporciona el fabricante, b= 200. Entonces:
RB= (Vcc - VBE)/IBQ
Como: IBQ= ICQ/b, entonces: RB= (Vcc - VBE)/(ICQ/b) , remplazando valores:
RB= (20 - o.7)/(10/200) = 386 k
Ahora calculamos RC:
RC= ( Vcc - VCEQ)/ICQ , remplazando valores tenemos:
RC= ( 20 - 10 )/ 10 = 1 k
El beta típico...
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