prac 4 LINEAL





PRACTICA 4
Amplificador E.C con acoplamiento RC
OBJETIVOS
El estudiante calcule un amplificador en la configuración de emisor común con acoplamiento RC para una ganancia de voltaje en la banda medida (y una frecuencia de corte en bajas dadas.
El estudiante utilice la información requerida para el diseño a partir de las hojas de datos del transistor empleado.
Que el estudiante obtenga einterprételas graficas e bode así como las graficas de impedancia de entrada y de salida en función de la frecuencia.
Que el estudiante indique las causas de las diferencias encontradas entre los valores teóricos y experimentales de las variables mencionadas anteriormente.
ANTECEDENTES
Graficas de Bode (magnitud y fase)
Modelos de transistor bipolar.
Polarización de transistores bipolares.
Análisisy cálculo del amplificador E.C con acoplamiento RC
Calculamos el valor comercial de las componentes del circuito de la figura 1 para así poder obtener una frecuencia de corte en bajas de . La ganancia en voltaje del amplificador en la banda media debió de ser de . El generador proporciona una señal sinusoidal, la impedancia de salida del generador es Rg=82Ω y la impedancia de carga es unaresistencia de valor Rcar=4,7kΩ (para todas las especificaciones tuvimos que tomar en cuenta una variación de 10%.
Calculamos la frecuencia de corte en altas , para este circuito cuando se conecta un capacitor exterior Cext=1000pF entre el colector y la base del transistor.













FIGURA 1: Amplificador en la configuración de emisor común.

DESARROLLO DE LAPRÁCTICA
1. Con los valores que calculamos, armamos el circuito e la figura 1 y efectuamos las siguientes mediciones:
a) Medición de Vce e Ic.
b) Medición de ganancia en función de la frecuencia.
c) Medición de fase en función de la frecuencia.
d) Medición de la impedancia de entrada en función de la frecuencia.
e) Medición de impedancia de salida en función de la frecuencia.
Llenar las tablas ytrazar las graficas correspondientes.
2. En el circuito de la figura 1 conectamos un capacitor Cext=1000pf entre el colector y la base del transistor y efectuamos otra vez las mediciones de
Los resultados obtenidos se muestran en la siguiente tabla:
Frecuencia (Hz)
Voltaje de entrada Vg (V)
Voltaje de salida Vsal (V)
Ganancia de voltaje

Ganancia de voltaje en DB

Divisiones correspondientes alperiodo Np
Divisiones correspondientes al ángulo de fase N
Angulo de fase

99
1
4.6
4.6
13.25
0.01010101
7.4ms
263.72
175
1
6.6
6.6
16.39
0.00571429
3.8ms
239.4
235
1
7.8
7.8
17.84
0.00425532
2.6ms
219.96
275
1
8.2
8.2
18.27
0.00363636
2.2ms
217.8
300
1
8.6
8.6
18.68
0.00333333
2ms
216
350
1
9
9
19.08
0.00285714
1.7ms
216.72
500
1
9.6
9.6
19.64
0.002
1.12ms
201.6
1k
1
10
10
20
0.001
540us
194.45k
1
10.2
10.2
20.17
0.0002
92us
165.6
50k
1
9.6
9.6
19.64
0.00002
8.6us
154.8
96k
1
8.8
8.8
18.8
1.0417E-05
4.3us
148
200k
1
6.4
6.4
16.12
0.000005
1.7us
122.4
500k
1
3.6
3.6
11.12
0.000002
500ns
90
600k
1
3.2
3.2
10.1
1.6667E-06
420ns
90.72
700k
1
2.8
2.8
8.9
1.4286E-06
360ns
90.72
800k
1
1.8
1.8
5.16
0.00000125
300ns
86.4
900k
1
1.5
1.5
3.52
1.1111E-06
240ns
76.76
Tabla1: Resultadosexperimentales del modulo de ganancia en voltaje y del ángulo de fase en función de la frecuencia con capacitor ext.
Frecuencia (Hz)
Voltaje de entrada Vg (V)
Voltaje de salida Vsal (V)
Ganancia de voltaje

Ganancia de voltaje en DB

Divisiones correspondientes al periodo Np
Divisiones correspondientes al ángulo de fase N
Angulo de fase

99
1
4.72
4.72
13.47
0.01010101
3ms
106.92
175
1
6.8
6.8
16.650.00571429
2ms
126.00
235
1
8
8
18.06
0.00425532
1.5ms
126.90
275
1
8.4
8.4
18.48
0.00363636
1.3ms
128.70
300
1
8.8
8.8
18.88
0.00333333
1.2ms
129.60
350
1
9.12
9.12
19.19
0.00285714
1.1ms
138.60
500
1
9.8
9.8
19.82
0.002
800us
144.00
1k
1
10
10
20
0.001
460us
165.60
5k
1
10.8
10.8
20.66
0.0002
1.22us
2.20
50k
1
10.6
10.6
20.51
0.00002
10us
180.00
96k
1
10.6
10.6
20.51
1.0417E-05
5us
172.79
200k
1
10.6...