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Trabajo colaborativo N o. 1 –Electrónica Básica - 201 41 9

T R AB AJO C O L AB OR ATIV O N o. 1 N om bre d e curso: EL EC T R Ó N IC A B Á S IC A - 201419 Tem áticas revisadas: U N ID AD N o. 1  C apitulo 1  C apítulo 2  C apítulo 3  C apítulo 4

– Diodos Sem iconductores. – A plicaciones con diodos. – Transistores bipolares BJT. – P olarización D C del transistor B JT.

Estrategia deaprendizaje: Ap rendizaje C olabo rativo V aloración de la actividad: P un taje m áxim o es d e 100 p un to s Aspectos generales: Este trabajo se com pone de D O S (2) actividades: 1. Profundización de la U nidad N o. 1 en el trabajo colaborativo 2. C om ponente práctico de la unidad.

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Profundización de la Unidad No. 1. Estecomponente tiene un puntaje máximo de 25 sobre 100 puntos de la actividad. Consiste en la realización de diez problemas. En este aparte el grupo de trabajo colaborativo, haciendo uso del foro y de wiki del grupo desarrollaran cada uno de los siguientes problemas (Cinco (5) con diodos y cinco (5) con transistores). OBJETIVO Profundizar en el modelamiento matemático de los componentes semiconductores. Comotambién en la comprensión del funcionamiento de estos dispositivos. PROCEDIMIENTO: El grupo de común acuerdo se repartirá la realización de cada uno de los problemas. Al menos dos problemas por estudiante. Esta negociación deberán hacerla en el foro del grupo: GENERALIDADES. Inicialmente en el WIKI del grupo deberán hacer los aportes de cómo han solucionado los problemas. Una vez, estén todosresueltos y que cada estudiante los haya comprendido, uno de los integrantes del grupo realizará el informe final de esta parte y los subirá en el foro de PRODUCCIÓN INTELECTUAL LECTURA RECOMENDADA: diodos.pdf PROBLEMAS: En la resolución de todos los problemas se usará, por defecto, el sistema consistente de unidades V, mA, KΩ. PARTE 1: Trabajos de Diodos

Problema 1 Utilizando para el diodo elmodelo “diodo ideal”, analice el circuito de la figura y determine los valores de la corriente I y de la tensión V.

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Problema 2 Utilizando el modelo “diodo ideal”, excepto por la tensión de ruptura indicada para el diodo Zener, determine la función de transferencia vo = F(vi) del cuadripolo de la figura.

Problema 3 Considere los doscircuitos con diodos de las figuras A y B. Determine la tensión de salida en función de la entrada v i para los siguientes casos:

(a) Considerando un modelo ideal para los diodos. (b) Considerando un modelo con tensión de encendido (o de corte) Eγ = 1V. Problema 4 Considere el siguiente circuito, en el que una red N está conectada a una resistencia de carga RL. (a) Determine la característicai–v de la red N suponiendo un modelo ideal para los diodos. (b) Se pretende que, al conectar la red N con la resistencia de carga RL, la tensión entre los terminales v de ésta sea EZ.  ¿Cuál es la mínima resistencia de carga para que efectivamente se cumpla v=EZ?  ¿Cuál es la máxima corriente que la red puede proporcionar a RL cumpliendo v=EZ?

Problema 5 Considere el circuito de la figura. (a)Considerando un modelo ideal para el

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diodo, determine qué condición debe cumplir para que el diodo siempre esté encendido (ON). (b) Determine la tensión v1 si k = 2 y R1=R2=R. (c) Suponiendo k = 2 y R1=R2=R, considere ahora un modelo con tensión de encendido (corte) Eγ para el diodo. Determine v1 en función de E para los distintosmodos de operación del diodo. PARTE 2: Trabajo de Problemas de BJT’s Problema 1 Analice el circuito de la figura y determine el valor que ha de tener R para que para vi = 5V la corriente I valga 100mA. Para el BJT use el modelo con parámetros:    β = 50, VBE,u = VBE,act = VBE,sat = 0,7V y VCE,sat = 0,2V.

Problema 2 Analice el circuito de la figura y determine el valor de Vo. Use para los...