Repaso Parcial Mem Y Per

Memoria: RAM: Se guarda los datos temporalmente, que está utilizando en el momento presente.
SRAM: Es un tipo de memoria basada en semiconductores que a diferencia de la memoria DRAM, es capaz demantener los datos, mientras esté alimentada, sin necesidad de circuito de refresco.
DRAM: Dynamic Random Access Memory, (o RAM dinámica), para denominar a un tipo de tecnología de memoria RAM basada encondensadores, los cuales pierden su carga progresivamente, necesitando de un circuito dinámico de refresco que, cada cierto período.
ROM: Read Only Memory, circuito integrado de memoria de sololectura que almacena instrucciones y datos de forma permanente.
PROM: Programmable read-only memory, es una memoria digital donde el valor de cada bit depende del estado de un fusible (o antifusible), quepuede ser quemado una sola vez. Por esto la memoria puede ser programada.
EPROM: Erasable Programmable Read-Only Memory. Es un tipo de chip de memoria ROM no volátil. Está formada por celdas deFAMOS o "transistores de puerta flotante", cada uno de los cuales viene de fábrica sin carga, por lo que son leídos como 1.
EEPROM: Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory (ROM programable yborrada eléctricamente). Es un tipo de memoria ROM que puede ser programada, borrada y reprogramada eléctricamente. Son memorias no volátiles, las celdas de memoria de una EEPROM están constituidas porun transistor MOS, que tiene una compuerta flotante (estructura SAMOS).


FLASH: Derivada de la memoria EEPROM, permite la lectura y escritura de múltiples posiciones de memoria en la mismaoperación. Gracias a ello, la tecnología flash, siempre mediante impulsos eléctricos, permite velocidades superiores de funcionamiento.
Celda de memoria: Es la unidad mas básica de almacenamiento de información0,1 y su unidad de medida es el bite palabra
Capacidad de memoria: Es la cantidad de información que puede almacenar una memoria, se almacena en un grupo de bites denominado palabra, y por lo...